UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UF3205
HEXFET功率MOSFET
描述
在UTC
UF3205
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，快速开关，低栅极电荷和极
高效。此装置适用于所有商业工业
应用在功率耗散水平到约50瓦。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<8mΩ @V
GS
=10V
*超低栅极电荷（ 146nC最大）
*低反向传输电容（C
RSS
= （典型值） 。 211 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UF3205L-TA3-T
UF3205G-TA3-T
包
TO-220
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
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2009 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-304.A
UF3205
绝对最大额定值
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
±20
V
栅源电压
V
GSS
连续（V
GS
=10V)
I
D
110
漏电流
A
脉冲（注2）
I
DM
390
雪崩电流（注2）
I
AR
62
A
重复的（注2）
E
AR
20
雪崩能量
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
1050
功耗
(T
C
=25°C)
P
D
200
W
结温
T
J
+175
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3. T
J
= 25℃时，L = 138μH ，R
G
=25, I
AS
=62A
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
62
0.75
民
55
25
±100
0.057
2.0
4.0
8.0
3247
781
211
146
35
54
14
101
50
65
4.5
7.5
1.3
110
390
69
143
104
215
典型值
单位
° C / W
° C / W
最大单位
V
μA
nA
V /°C的
V
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
V
A
A
ns
nC
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=55V,V
GS
=0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
击穿电压温度
△
BV
DSS
/△T
J
参考至25℃ ，我
D
=1mA
系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
静态漏源导通电阻（注）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=62A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
门源电荷
Q
GS
V
DS
= 44V ，我
D
= 62A ，V
GS
=10V
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 28V ，我
D
= 62A ，R
G
=4.5,
V
GS
= 10V （注）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
内部排水电感
L
D
内部源极电感
L
S
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 62A ，V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 62A ，的di / dt = 100A / μs的（注）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲width≤400μs ;值班cycle≤2 ％ 。
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QW-R502-304.A
UF3205
测试电路和波形
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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UF3205
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
2A开关测试电路
2B的开关波形
Q
G
V
GS
Q
GS
Q
GD
V
D
收费
3A栅极电荷测试电路
3B栅极电荷波形
BV
DSS
I
D（T）
V
DD
I
AS
t
p
V
DS （T ）
时间
4A非钳位感应开关测试电路
4B
非钳位感应开关波形
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UF3205
典型特征
300
250
漏电流，我
D
(A)
200
150
100
50
0
10 20 30 40 50 60 70
0
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
漏源导通电阻
特征
漏电流，我
D
(A)
漏电流与
漏源击穿电压
300
250
200
150
100
50
0
0
功率MOSFET
漏电流与
栅极阈值电压
1.0 1.5
2.0 2.5 3.0
0.5
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏电流与
源极到漏极电压
20
16
漏电流，我
D
(A)
12
8
4
0
12
10
漏电流，我
D
(A)
8
6
4
2
0
50
100
150
200
0
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
源极到漏极电压，V
SD
(V)
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