数据表
双极模拟集成电路
PC1679G
5 V偏压， 15.5 dBm的输出， 1.8 GHz宽带
硅MMIC放大器
描述
该
PC1679G是专为中等输出功率放大器高硅单片集成电路
频系统的应用程序。由于+13 dBm的典型。在1 GHz的输出，该IC可推荐用于发射
级放大L波段的无线通信系统。该IC封装8引脚塑料SOP 。
该IC采用NEC公司的20 GHz的F制造
T
纳沙
TM
四，硅双极工艺。该方法使用硅
氮化物钝化膜和金电极。这些材料可以保护芯片表面免受外部污染和
防止腐蚀/迁移。因此，该集成电路具有优异的性能，均匀性和可靠性。
特点
电源电压
饱和输出功率
宽带响应
隔离
功率增益
: V
CC
= 4.5 5.5 V
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 500 MHz的外部电感器
: f
u
= 1.8 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
： ISL = 34 dB典型值。 @ F = 500 MHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 500 MHz的
订购信息
产品型号
包
8引脚塑料SOP （ 225万）
记号
1679
供给方式
压纹带12mm宽。
1脚为带拉出方向。
数量2.5 KP /卷。
压纹带12mm宽。
1脚是带游泳池的方向。
数量2.5 KP /卷。
PC1679G-E1
PC1679G-E2
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号：
PC1679G)
小心静电敏感器件。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P12434EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期1999年9月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1994, 1999
PC1679G
测试电路
V
CC
1 800 pF的
C
3
8
50
IN
1 800 pF的
C
1
1
5
1 800 pF的
L
C
2
L： 20.5 T， 2毫米内径，
φ
0.25 UEW
（约300 NH）
50
OUT
2, 3, 4, 6, 7
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管消耗30毫安，输出中等功率。提供电流输出
晶体管，连接V之间的电感器
CC
引脚（引脚8）和输出引脚（引脚5）。选择较大的电感值，如
上面列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面时，电感使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 800 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
对于输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此它们的电容被选为针对50的阻抗较低
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
以得到平坦的增益从100兆赫以上， 1 800 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表P12434EJ4V0DS00
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数据表
双极模拟集成电路
PC1679G
5 V偏压， 15.5 dBm的输出， 1.8 GHz宽带
硅MMIC放大器
描述
该
PC1679G是专为中等输出功率放大器高硅单片集成电路
频系统的应用程序。由于+13 dBm的典型。在1 GHz的输出，该IC可推荐用于发射
级放大L波段的无线通信系统。该IC封装8引脚塑料SOP 。
该IC采用NEC公司的20 GHz的F制造
T
纳沙
TM
四，硅双极工艺。该方法使用硅
氮化物钝化膜和金电极。这些材料可以保护芯片表面免受外部污染和
防止腐蚀/迁移。因此，该集成电路具有优异的性能，均匀性和可靠性。
特点
电源电压
饱和输出功率
宽带响应
隔离
功率增益
: V
CC
= 4.5 5.5 V
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 500 MHz的外部电感器
: f
u
= 1.8 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
： ISL = 34 dB典型值。 @ F = 500 MHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 500 MHz的
订购信息
产品型号
包
8引脚塑料SOP （ 225万）
记号
1679
供给方式
压纹带12mm宽。
1脚为带拉出方向。
数量2.5 KP /卷。
压纹带12mm宽。
1脚是带游泳池的方向。
数量2.5 KP /卷。
PC1679G-E1
PC1679G-E2
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号：
PC1679G)
小心静电敏感器件。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P12434EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期1999年9月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1994, 1999
PC1679G
测试电路
V
CC
1 800 pF的
C
3
8
50
IN
1 800 pF的
C
1
1
5
1 800 pF的
L
C
2
L： 20.5 T， 2毫米内径，
φ
0.25 UEW
（约300 NH）
50
OUT
2, 3, 4, 6, 7
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管消耗30毫安，输出中等功率。提供电流输出
晶体管，连接V之间的电感器
CC
引脚（引脚8）和输出引脚（引脚5）。选择较大的电感值，如
上面列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面时，电感使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 800 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
对于输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此它们的电容被选为针对50的阻抗较低
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
以得到平坦的增益从100兆赫以上， 1 800 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表P12434EJ4V0DS00
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