【数据表MOS场效应PA672TN沟道MOS FET阵列切换该PA672T是提供了一个超小型的模具设备】,IC型号UPA672,UPA672 PDF资料,UPA672经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

MOS场效应

PA672T

N沟道MOS FET阵列

切换

该

PA672T是提供了一个超小型的模具设备

有两个MOS FET元件。它实现了高密度

安装，节省安装成本。

包装尺寸（单位：毫米）

0.2

–0

+0.1

0.15

–0.05

+0.1

特点

在包的大小相同的两个MOS FET的电路

SC-70

自动安装支持

1.25 ±0.1

2.1 ±0.1

6

5

4

0-0.1

1

2

3

0.7

0.9 ±0.1

0.65

0.65

1.3

2.0 ±0.2

引脚连接

6

5

4

1

2

3

1.源1 （ S1 ）

2.门1 （ G1 ）

3.排水2 （ D2 ）

4.源2 （ S2）

5.门2 （ G2 ）

6.漏1 （D1）的

标记： MA

绝对最大额定值（T

A

= 25 C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

PW

≤

10毫秒，占空比

≤

50 %

测试条件

评级

50

±7.0

100

200

200 （总）

150

-55到+150

单位

V

V

mA

mA

mW

C

C

一号文件G11259EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

1996

PA672T

电气特性（T

A

= 25 C)

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 3 V，I

D

能力= 20 mA ，V

GS （ ON）

= 3 V,

R

G

= 10

,

R

L

= 120

测试条件

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±7.0

V, V

DS

= 0

V

DS

= 3.0 V，I

D

= 1.0

A

V

DS

= 3.0 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 3.0 V, V

GS

= 0中，f = 1.0兆赫

0.7

20

20

15

6

8

1.2

9

50

20

40

40

20

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±5.0

1.5

单位

A

A

V

mS

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

开关时间测量电路和条件

V

GS

DUT

R

L

门

电压

波形

10 %

V

GS （ ON）

90 %

0

V

DD

R

G

PG 。

漏

当前

波形

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

0

10 %

I

D

90 %

90 %

I

D

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

PA672T

典型特征（T

A

= 25 C)

总功耗对比

环境温度

300

漏电流与

漏源极电压

100

P

T

- 总功率耗散 - 毫瓦

自由的空气

250

80

I

D

- 漏电流 - 毫安

4.0 V

3.5 V

3.0 V

200

60

2.5 V

150

Pe

ro

ne

100

To

ta

l

un

it

40

50

20

V

GS

= 2.0 V

0

50

75

100

125

25

T

A

- 环境温度 - C

150

0

1

2

3

4

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

5

传输特性

100

|y

fs

| - 正向转移导纳 - 质谱

V

DS

= 3 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

V

DS

= 3 V

10

I

D

- 漏电流 - 毫安

T

A

= –25 C

50

25 C

1

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

125 C

0.1

20

0.01

0.001

0

1

2

3

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

0

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

100

50

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻

与漏电流

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻

与漏电流

100

V

GS

= 4 V

50

20

10

5

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

20

10

5

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

2

1

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

2

1

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

3

PA672T

漏极至源极导通反抗

与门源电压

30

I

D

= 10毫安

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

电容与漏极TO

源极电压

10

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

5

C

国际空间站

C

OSS

20

I

D

= 1毫安

10毫安

50毫安

2

1

0.5

C

RSS

10

0.2

0.1

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

1

2

3

4

5

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

7

1

2

5

10

20

50

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

开关特性

100

100

t

r

源极到漏极二极管

正向电压

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

r

- 开关时间 - NS

50

t

f

20

t

D（关闭）

I

SD

- 源极到漏极电流 - 毫安

10

5

t

D（上）

10

2

1

1

20

V

DD

= 3 V

V

GS （ ON）

= 3 V

R

G

= 10

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

50

100 200

I

D

- 漏电流 - 毫安

500

1000

4

PA672T

参考

文件名称

NEC半导体设备可靠性/质量控制系统

质量等级NEC半导体设备

半导体设备安装技术手册

先导，以质量为保证半导体器件

半导体选择指南

文档编号

TEI-1202

IEI-1209

C10535E

MEI-1202

X10679E

5

数据表

MOS场效应

PA672T

N沟道MOS FET阵列

切换

该

PA672T是提供了一个超小型的模具设备

有两个MOS FET元件。它实现了高密度

安装，节省安装成本。

包装尺寸（单位：毫米）

0.2

–0

+0.1

0.15

–0.05

+0.1

特点

在包的大小相同的两个MOS FET的电路

SC-70

自动安装支持

1.25 ±0.1

2.1 ±0.1

6

5

4

0-0.1

1

2

3

0.7

0.9 ±0.1

0.65

0.65

1.3

2.0 ±0.2

引脚连接

6

5

4

1

2

3

1.源1 （ S1 ）

2.门1 （ G1 ）

3.排水2 （ D2 ）

4.源2 （ S2）

5.门2 （ G2 ）

6.漏1 （D1）的

标记： MA

绝对最大额定值（T

A

= 25 C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

PW

≤

10毫秒，占空比

≤

50 %

测试条件

评级

50

±7.0

100

200

200 （总）

150

-55到+150

单位

V

V

mA

mA

mW

C

C

一号文件G11259EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

1996

PA672T

电气特性（T

A

= 25 C)

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 3 V，I

D

能力= 20 mA ，V

GS （ ON）

= 3 V,

R

G

= 10

,

R

L

= 120

测试条件

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±7.0

V, V

DS

= 0

V

DS

= 3.0 V，I

D

= 1.0

A

V

DS

= 3.0 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 3.0 V, V

GS

= 0中，f = 1.0兆赫

0.7

20

20

15

6

8

1.2

9

50

20

40

40

20

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±5.0

1.5

单位

A

A

V

mS

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

开关时间测量电路和条件

V

GS

DUT

R

L

门

电压

波形

10 %

V

GS （ ON）

90 %

0

V

DD

R

G

PG 。

漏

当前

波形

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

0

10 %

I

D

90 %

90 %

I

D

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

PA672T

典型特征（T

A

= 25 C)

总功耗对比

环境温度

300

漏电流与

漏源极电压

100

P

T

- 总功率耗散 - 毫瓦

自由的空气

250

80

I

D

- 漏电流 - 毫安

4.0 V

3.5 V

3.0 V

200

60

2.5 V

150

Pe

ro

ne

100

To

ta

l

un

it

40

50

20

V

GS

= 2.0 V

0

50

75

100

125

25

T

A

- 环境温度 - C

150

0

1

2

3

4

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

5

传输特性

100

|y

fs

| - 正向转移导纳 - 质谱

V

DS

= 3 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

V

DS

= 3 V

10

I

D

- 漏电流 - 毫安

T

A

= –25 C

50

25 C

1

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

125 C

0.1

20

0.01

0.001

0

1

2

3

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

0

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

100

50

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻

与漏电流

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻

与漏电流

100

V

GS

= 4 V

50

20

10

5

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

20

10

5

T

A

= 75 C

25 C

–25 C

2

1

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

2

1

1

2

5

10

20

I

D

- 漏电流 - 毫安

50

100

3

PA672T

漏极至源极导通反抗

与门源电压

30

I

D

= 10毫安

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

电容与漏极TO

源极电压

10

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

5

C

国际空间站

C

OSS

20

I

D

= 1毫安

10毫安

50毫安

2

1

0.5

C

RSS

10

0.2

0.1

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

1

2

3

4

5

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

7

1

2

5

10

20

50

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

开关特性

100

100

t

r

源极到漏极二极管

正向电压

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

r

- 开关时间 - NS

50

t

f

20

t

D（关闭）

I

SD

- 源极到漏极电流 - 毫安

10

5

t

D（上）

10

2

1

1

20

V

DD

= 3 V

V

GS （ ON）

= 3 V

R

G

= 10

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

50

100 200

I

D

- 漏电流 - 毫安

500

1000

4

PA672T

参考

文件名称

NEC半导体设备可靠性/质量控制系统

质量等级NEC半导体设备

半导体设备安装技术手册

先导，以质量为保证半导体器件

半导体选择指南

文档编号

TEI-1202

IEI-1209

C10535E

MEI-1202

X10679E

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UPA672

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UPA672

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20+

26000

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UPA672

NEC

15+

8803

SOT-363

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联系人：朱

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UPA672

NEC

24+

27200

SOT363

全新原装现货，原厂代理。

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联系人：张女士

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UPA672

NEC

21+22+

12600

SOT363

原装正品

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联系人：朱先生

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XX

24+

5000

SOT-323-6

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联系人：王小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)

UPA672

NEC

22+

8523

363

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

UPA672

XX

2024

20918

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XX

2024

20918

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联系人：何小姐

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22+

32570

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