数据表
硅晶体管
PA807T
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
（带内置2个元素）超级迷你模具
特点
低电流，高增益
|S
21e
|
2
= 9 dB典型值。 @V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
|S
21e
|
2
= 8.5 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
超级迷你模具套餐领养
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5179)
2.0±0.2
封装图纸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
1.3
订购信息
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6
（ Q1基极） ，引脚5 （ Q2基极） ， 4针
（ Q2发射极）面穿孔
带的一侧。
0.65
2
PA807T
PA807T-T1
0.65
3
0.9±0.1
个。 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
5
3
2
10
30在1元
60中2的元素
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
-65到+150
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mW
引脚配置（顶视图）
6
Q
1
0-0.1
NEC销售代表。 （单位样本数量为50
5
4
Q
2
1
2
3
引脚连接
1.收集器（ Q1） 4.发射器（ Q2 ）
2.发射器（ Q1 ）
5.基地（ Q2 ）
3.收集器（ Q2 ） 6.基地（ Q1 ）
该设备采用射频技术。采取适当的预防措施以保护其免受过大的输入电平，如静电。
一号文件P12153EJ2V0DS00 （第2版）
（上一个号ID- 3641 ）
发布日期1996年十一月
日本印刷
0.15
+0.1
–0
备注
如果您需要评估样品，请联系
0.7
4
5
0.2
+0.1
–0
1
6
X Y
1995
1994
NPN硅高
高频三极管
特点
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米封装2 NE686模
低噪声系数：
NF = 1.5 dB典型值在2 GHz
高增益：
|S
21E
|
2
= 9 dB典型值在2 GHz
高增益带宽：
f
T
= 13 GHz的
低电流工作模式
2.0
±
0.2
1.3
2
0.65
1
UPA807T
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S06
（ TOP VIEW ）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
6
0.2 （所有信息）
5
3
4
描述
NEC的UPA807T是两个NPN高频硅外延
晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。
各晶体管被独立地安装并容易config-
置的对无论是双晶体管或级联操作。高
f
T
低电压偏置和小尺寸使该器件适合
各种手持无线应用。
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
0 ~ 0.1
+0.10
引脚输出
1.集晶体管1
2.发射极晶体管1
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.基晶体管2
6.基晶体管1
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容在V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
h
FE
比例：H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
h
FE2
= Q的值越大，
1
或Q
2
GHz的
pF
dB
dB
0.85
7.5
单位
A
A
70
10
100
13
0.4
9
1.5
2
0.6
民
UPA807T
S06
典型值
最大
0.1
0.1
140
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。对于磁带和卷轴版本使用
产品编号UPA807T -T1 ， 3K每卷。
美国加州东部实验室
UPA807T
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
PT
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1模
2模具
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
评级
5
3
2
10
30
60
150
-65到+150
T
J
T
英镑
注意： 1.Operation超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
总功耗对比
环境温度
50
V
CE
= 2 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
总功率耗散，P
T
（ mW）的
200
集电极电流， LC （毫安）
40
30
100
2个元素共
60毫瓦
20
10
每个元件
30毫瓦
0
50
100
150
0
0.5
1.0
环境温度，T
A
(°C)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
500
直流电流增益主场迎战
集电极电流
集电极电流， LC （毫安）
20
200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
10
100
A
80
A
60
A
40
A
l
B
= 20
A
15
直流电流增益，H
FE
200
100
V
CE
= 2 V
50
V
CE
= 1 V
5
20
10
0
1.0
2.0
3.0
1
2
5
10
20
50
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流， LC （毫安）
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