【数据表MOS场效应PA675TN沟道MOS场效应晶体管对于高速开关描述该PA675T是一个N沟道纵型】,IC型号UPA675T,UPA675T PDF资料,UPA675T经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

MOS场效应

PA675T

N沟道MOS场效应晶体管

对于高速开关

描述

该

PA675T是一个N沟道纵型MOS场效应管。因为它

可以通过一个电压低至1.5V的驱动，它是不

既要考虑驱动电流，这种场效应管是理想的

致动器的低电流的便携式系统，例如头戴耳机

音响和摄像机。

封装图（单位：mm ）

0.2

-0

+0.1

0.15

-0.05

+0.1

1.25 ±0.1

2.1 ±0.1

6

5

4

0-0.1

特点

在包的两个MOS FET的电路的尺寸相同的SC- 70

自动安装支持

门可以用一个1.5 V的电源来驱动

由于其高输入阻抗，有没有必要

考虑驱动电流

自偏压电阻可以省略，数

所需的部件可以降低

1

2

3

0.7

0.9 ±0.1

0.65

0.65

1.3

2.0 ±0.2

引脚连接

订购信息

6

5

4

产品型号

包

SC- 88 （ SSP ）

1.

2.

3.

4.

5.

6.

源1

门1

排水2

源2

门2

排水1

(S1)

(G1)

(D2)

(S2)

(G2)

(D1)

PA675T

记

记

标识： SA

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（TC = 25 ° C）

漏电流（脉冲）

记

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

16

±7.0

±0.1

±0.2

0.2

150

-55到+150

V

V

A

A

W

°C

°C

1

2

3

总功率耗散（T

C

= 25°C)

通道温度

储存温度

记

PW

≤

10毫秒，占空比

≤

50%

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G15454EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2001年5月NS CP （ K）

日本印刷

2001

PA675T

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

测试条件

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±7.0 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 3 V，I

D

= 10

A

V

DS

= 3 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 1.5 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 3 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 3 V，I

D

= 10毫安

V

GS

= 3 V

R

G

= 10

0.5

20

20

7

5

10

13

3

15

70

100

110

50

15

12

0.8

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

±3.0

1.1

单位

A

A

V

mS

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

开关时间测量电路和条件

门

电压

波

形式

V

GS

0

I

D

漏

当前

波

形式

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

10%

90%

90%

I

D

10%

0

DUT

R

L

V

DD

V

GS

90%

PG 。

R

G

10%

t

D（关闭）

t

关闭

V

GS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

f

2

数据表G15454EJ1V0DS

PA675T

典型特征（T

A

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

300

P

T

- 总功率耗散 - 毫瓦

漏电流与

漏源极电压

50

V

GS

= 2.0 V

40

I

D

- 漏电流 - 毫安

自由的空气

250

200

150

100

50

To

ta

l

ne

un

it

1.8 V

30

Pe

ro

20

1.6 V

10

1.4 V

1.2 V

0

25

50

75

100

125

150

0

T

C

- 环境温度 - C

正向转移导纳主场迎战

漏电流

500

|y

fs

| - 正向转移导纳 - 质谱

1

2

3

4

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

5

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

200

T

A

= –25C

100

50

V

GS

= 1.5 V

20

10

2.5 V

5

0.5

1

2

5

4.0 V

10

20

50 100 200

500

V

DS

= 3 V

200

100

T

A

= –25C

25C

75C

50

20

10

5

10

20

50

100

I

D

- 漏电流 - 毫安

200

I

D

- 漏电流 - 毫安

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

200

T

A

= 25C

100

50

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

200

T

A

= 75C

100

50

V

GS

= 1.5 V

20

10

V

GS

= 1.5 V

20

10

5

2.5 V

4.0 V

2.5 V

5

0.5

1

2

5

4.0 V

10

20

50 100 200

500

0.5

1

2

5

10

20

50 100 200

500

I

D

- 漏电流 - 毫安

I

D

- 漏电流 - 毫安

数据表G15454EJ1V0DS

3

PA675T

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

30

T

A

= –25C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

30

T

A

= 25C

20

I

D

= 10毫安

1毫安

20

I

D

= 10毫安

1毫安

10

10

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

7

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

7

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

30

T

A

= 75C

I

SD

- 二极管正向电流 - 毫安

SOURCE转发漏二极管

电压

200

100

50

20

10

5

2

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

1.0

20

I

D

= 10毫安

1毫安

10

0

2

3

4

5

6

1

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

7

电容与

漏源极电压

50

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

RSS

, C

OSS

- 电容 - pF的

开关特性

500

V

DD

= 3 V

V

GS

= 3 V

t

r

200

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

20

10

5

C

国际空间站

C

OSS

100

50

t

f

t

D（上）

20

t

D（关闭）

2

1

C

RSS

0.5

1

2

5

10

20

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

50

10

20

50

100

200

I

D

- 漏电流 - 毫安

500

4

数据表G15454EJ1V0DS

PA675T

[备忘录]

数据表G15454EJ1V0DS

5

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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