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5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
5800
5801
采用BiMOS II锁存驱动程序
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW锁存输入BiMOS
集成电路合并大电流,高电压输出CMOS逻辑。该
CMOS输入部分包括4个或8个数据( “D”型)锁存器
相关的常见CLEAR , STROBE和OUTPUT ENABLE
电路。电源输出为双极NPN达林顿。该合并
技术提供通用的,灵活的接口。这些公司BiMOS电源
接口IC大大有利于计算机或微处理器的的简化
处理器的I / O 。该UCN5800A和UCN5800L每个包含四个锁存
驱动程序;在UCN5801A , UCN5801EP和UCN5801LW包含8
锁存驱动程序。
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW取代原来的
采用BiMOS锁存输入驱动器IC ( UCN4400A和UCN4801A ) 。这些
第二代设备能够高得多的数据输入的
率并将于优于5 MHz的5 V逻辑通常工作
供应量。在12 V的电路工作能提供实质性的改进
在5 MHz的数字。
CMOS输入与标准CMOS和NMOS兼容
电路。 TTL电路可以强制增加输入上拉电阻
器。双极达林顿输出适用于直接驱动
很多外设/功率负载:继电器,灯,电磁阀,小DC
电机等
所有器件都具有集电极开路输出和积分二极管
感性负载瞬态抑制。输出晶体管是
可以吸收500毫安并能承受至少50 V ,在关中
状态。由于在封装功耗的限制, simul-
所有驱动程序的最大额定电流taneous操作只能是
通过在工作周期的降低来实现的。输出可以并联
对于更高的负载电流能力。
该UCN5800A被布置在一个标准的14引脚DIP ;该
UCN5800L和UCN5801LW在表面安装SOIC封装;该
UCN5801A在一个22引脚DIP与0.400" (10.16 MM)行中心;该
UCN5801EP采用28引脚PLCC 。
数据表
26180.10B
UCN5800L
1
14
UCN5800A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
14
V
DD
13
12
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
常见
锁存器
11
10
9
8
DWG 。 PP- 014A
注意UCN5800A ( DIP )和UCN5800L
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
at
+25
°
自由空气的温度
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . 50 V
电源电压,V
DD
. . . . . . . . . . . . . . 15 V
输入电压范围,
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续集电极电流,
l
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
封装功耗,
P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。请参阅图表
工作温度范围,
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . -20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
. . . . . . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
注意: CMOS器件具有输入静态
保护,但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
特点
s
s
4.4 MHz的数据输入速率
s
s
高电压,
s
高电流输出
s
s
CMOS , NMOS ,
TTL兼容的输入
输出瞬态保护
内部下拉电阻
低功耗CMOS锁存
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货,例如,
UCN5801EP
.
5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
功能框图
供应
V
DD
常见
IN
N
OUT
N
频闪
明确
OUTPUT ENABLE
普通MOS管
典型MOS LATCH
典型的双极性驱动
DWG 。 FP- 016-1
典型的输入电路
VDD
2.5
22引脚DIP ,R
θJA
= 50℃ / W的
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
28引脚PLCC ,R
θJA
= 55 ° C / W
14引脚DIP ,R
θJA
= 60 ° C / W
2.0
IN
24引脚SOIC ,R
1.5
θJA
= 68 ° C / W
1.0
DWG 。 EP- 010-4A
0.5
14引脚SOIC ,R
θJA
= 95 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°C
DWG 。 GP- 023-1
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 1985年, 1997年, Allegro MicroSystems公司
5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
DD
= 5V (除非另有说明) 。
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 50 V ,T
A
= +25°C
V
CE
= 50 V ,T
A
= +70°C
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安, V
DD
= 7.0 V
输入电压
V
IN(0)
V
IN(1)
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V (见注)
输入阻抗
r
IN
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V
电源电流
I
DD ( ON)
(每
舞台)
I
DD ( OFF )
(总)
钳位二极管
漏电流
钳位二极管的正向电压
I
R
V
DD
= 12 V ,输出打开
V
DD
= 10 V ,输出打开
V
DD
= 5.0 V ,输出打开
V
DD
= 12 V ,输出打开,输入= 0 V
V
DD
= 5.0 V ,输出打开,输入= 0 V
V
R
= 50 V ,T
A
= +25°C
V
R
= 50 V ,T
A
= +70°C
V
F
I
F
= 350毫安
分钟。
10.5
8.5
3.5
50
50
50
范围
典型值。马克斯。
0.9
1.1
1.3
200
300
600
1.0
0.9
0.7
50
1.7
50
100
1.1
1.3
1.6
1.0
2.0
1.7
1.0
200
100
50
100
2.0
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
k
k
k
mA
mA
mA
A
A
A
A
V
注意:这些设备与标准TTL或DTL的操作可能需要使用适当的上拉电阻,以确保最小的逻辑“1”。
频闪
28
产量
启用
27
供应
V
DD
明确
ST
NC
OE
C
NC
NC
26
4
3
2
1
IN
1
IN
2
5
6
7
25
24
23
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
锁存器
UCN5801EP
(额外的引脚图
是下页)
IN
3
IN
4
IN
5
8
9
22
21
20
19
IN
6
10
IN
7
11
14
NC
13
NC
17
NC
15
12
16
K
钳位二极管
常见
OUT
8
18
IN
8
DWG 。 PP- 037
5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
UCN5801A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
V
DD
21
20
19
18
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
OUTN
明确
F
频闪
A
产量
启用
客栈
D
E
E
C
B
C
B
A
C
B
G
G
DWG 。编号A- 10,895A
锁存器
17
16
15
14
13
12
时序条件
(逻辑电平V
DD
和地面)
A.
最小数据有效时间之前频闪启用
(数据建立时间) ........................................... ...............
50纳秒
B.
最小数据有效时间选通后禁用
(数据保持时间) ............................................. .................
50纳秒
C.
最小选通脉冲宽度.............................................. 125 ....
ns
DWG 。 PP- 015
D.
间频闪激活和典型时间
输出ON到OFF转换............................................ 500
ns
E.
间频闪激活和最少的时间
输出OFF到ON的转变............................................ 500
ns
UCN5801LW
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
NO
连接
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
NC
V
DD
24
23
22
21
20
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
NO
连接
DWG 。 PP- 015-1
F.
最小净脉冲宽度.............................................. ...... 300
ns
G.
最小数据脉冲宽度.............................................. 225 .......
ns
信息存在于一个输入端传送到其锁存时
频闪高。高CLEAR输入会设置所有锁存到输出
关闭条件下,无论数据或选通输入电平。高
OUTPUT ENABLE将设置所有输出为OFF状态,而不管
的任何其他的输入条件。当输出使能低,则
输出取决于它们各自的锁存器的状态。
锁存器
19
18
17
16
15
14
13
真值表
产量
IN
N
0
1
X
X
X
X
频闪
1
1
X
X
0
0
明确
0
0
1
X
0
0
启用
0
0
X
1
0
0
t-1
X
X
X
X
ON
关闭
OUT
N
t
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
X =无关。
T-1 =前一输出状态。
t为当前的输出状态。
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
典型用途
单极步进电机驱动
+30 V
输出使能(低电平有效)
明确
1
频闪
IN 1
ρ
IN 2
IN 3
在4
2
3
锁存器
4
5
6
7
14
V
DD
13
12
11
10
9
8
V
DD
出1
输出2
OUT 3
出4
UCN-5800A
+30 V
DWG 。编号B- 1537
单极波驱动
单极2相驱动
频闪
IN 1
IN 2
IN 3
在4
出1
输出2
OUT 3
出4
频闪
IN 1
IN 2
IN 3
在4
出1
输出2
OUT 3
出4
DWG 。 GP- 060
DWG 。 GP- 060-1
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