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数据表
MOS场效应
PA621TT
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
PA621TT是一个开关装置,它可以直接由一个被驱动
2.5 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色的开关
特性,并且是适合于应用程序,如电源开关
便携机等。
封装图(单位:mm )
2.0 ±0.2
0.25 ±0.1
6
5
4
2.1±0.1
1.6
0
~
0.05
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 50 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 2.5 A)
R
DS(on)2
= 53 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 2.5 A)
R
DS(on)3
= 79 mΩ以下。 (V
GS
= 2.5 V,I
D
= 2.5 A)
1
2
3
0.65
0.65
S
+0.1
0.05
MAX 。 0.8
订购信息
产品型号
0.05 S
标记: WB
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±12
±5.0
±20
0.2
1.4
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
保护
二极管
二极管
+0.1
0.2
0.05
等效电路
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
安装在FR- 4电路板,T
5秒。
Note2
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G16112EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年6月NS CP ( K)
日本印刷
0.4 ±0.1
PA621TT
0.15
6pinWSOF ( 1620 )
1,2,5,6 :排水
3
:门
4
资料来源:
0.1
M
S
来源
2002
PA621TT
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
V
DD
= 16 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 5.0 A
I
F
= 5.0 A,V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 2.5 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
0.5
1.0
1.0
4.8
40
42
59
270
80
60
30
200
120
160
3.3
0.7
1.8
0.90
50
53
79
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
±
10
1.5
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS
0
10%
V
GS
90%
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS
90%
10%
10%
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
2
数据表G16112EJ1V0DS
PA621TT
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
1.6
总功耗对比
环境温度
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
A
- 环境温度 -
°C
100
R
DS ( ON)
有限
(V
GS
= 4.5 V)
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D(脉冲)
PW = 100
s
10
I
D( DC)的
1
100毫秒
0.1
单脉冲
安装在FR- 4板
2
五十厘米乘1.1毫米
0.1
1
10
5s
1毫秒
10毫秒
0.01
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第(章-a)的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
100
10
单脉冲
安装在FR- 4板
2
五十厘米乘1.1毫米
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16112EJ1V0DS
3
PA621TT
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
20
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
100
V
GS
= 4.5 V
10
4.0 V
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
= 10 V
脉冲
15
1
0.1
0.01
0.001
10
2.5 V
5
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1.2
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
100
V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0毫安
1
0.8
1
0.6
0.1
0.4
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
100
脉冲
80
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
100
脉冲
80
V
GS
= 2.5 V
60
4.0 V
4.5 V
60
I
D
= 2.5 A
40
40
20
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
20
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16112EJ1V0DS
PA621TT
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
100
V
GS
= 4.5 V
脉冲
80
T
A
= 125°C
100
V
GS
= 4.0 V
脉冲
80
75°C
60
25°C
T
A
= 125°C
60
75°C
25°C
40
25°C
20
0.01
40
25°C
0.1
1
10
100
20
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
开关特性
120
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
1000
V
GS
= 2.5 V
脉冲
100
T
A
= 125°C
75°C
80
25°C
25°C
60
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
t
r
t
f
100
t
D(关闭)
t
D(上)
10
40
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与
漏源极电压
源极到漏极二极管
正向电压
1000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
C
国际空间站
脉冲
10
100
C
OSS
C
RSS
1
V
GS
= 0 V
0.1
10
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
数据表G16112EJ1V0DS
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2443+
23000
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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