数据表
MOS场效应
PA621TT
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA621TT是一个开关装置,它可以直接由一个被驱动
2.5 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色的开关
特性,并且是适合于应用程序,如电源开关
便携机等。
封装图(单位:mm )
2.0 ±0.2
0.25 ±0.1
6
5
4
2.1±0.1
1.6
0
~
0.05
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 50 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 2.5 A)
R
DS(on)2
= 53 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 2.5 A)
R
DS(on)3
= 79 mΩ以下。 (V
GS
= 2.5 V,I
D
= 2.5 A)
1
2
3
0.65
0.65
S
+0.1
0.05
MAX 。 0.8
订购信息
产品型号
包
0.05 S
标记: WB
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±12
±5.0
±20
0.2
1.4
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
门
保护
二极管
体
二极管
漏
+0.1
0.2
0.05
等效电路
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
安装在FR- 4电路板,T
≤
5秒。
Note2
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G16112EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年6月NS CP ( K)
日本印刷
0.4 ±0.1
PA621TT
0.15
6pinWSOF ( 1620 )
1,2,5,6 :排水
3
:门
4
资料来源:
0.1
M
S
来源
2002