UCC27200 ， UCC27201
www.ti.com
SLUS746 - 2006年12月
120 -V启动， 3 - A峰值，高频率，高侧/低侧驱动器
特点
从-40 ° C至140℃
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置
最大启动电压120 V
最高VDD电压20 V
片0.65 -V VF ， 0.6 Ω RD自举二极管
大于1 MHz的操作
20 ns的传播延迟时间
3 ，有水槽， 3 -A源输出电流
8 ns上升/ 7 - ns下降时间与1000 pF负载
1 ns的延迟匹配
欠压锁定为高边和
低侧驱动器
目录
设备额定值
电气特性
设备信息
应用信息
其他参考
2
4
11
14
22
描述
该UCC27200 / 1系列高频
N沟道MOSFET驱动器包括一个120 -V
自举二极管和高侧/低侧驱动器
独立的输入，最大程度的控制灵活性。
这使得N沟道MOSFET控制在
半桥，全桥，双开关正激和活性
钳位正向转换器。低侧和
高侧栅极驱动器可以独立控制
和相匹配的导通和在1纳秒
关断对方。
应用
电源为电信，数据通信，和
商家市场
半桥应用和全桥
转换器
隔离式总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器
简化应用图
+12V
+100V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
HI
PWM
调节器
LI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27200/1
V
SS
LO
隔离
和
反馈
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
UCC27200 ， UCC27201
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SLUS746 - 2006年12月
说明（续）
一个片上自举二极管，消除了外部分立二极管。欠压锁定功能提供了两种
高侧和低侧驱动器迫使输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
两个版本的UCC27200提供。该UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值
而UCC27201与TTL兼容阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA）和SON - 8 （ DRM ）封装。
订购信息
包装设备
(1)
温度范围
T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
(2)
(3)
输入兼容性
CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27200D
UCC27201D
使用PowerPad SOIC- 8
（ DDA ）
(2)
UCC27200DDA
UCC27201DDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27200DRMT
UCC27201DRMT
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容于255-260 ℃，
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC27200DR ）
订购每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200DRMT ，或更大的3000件卷轴为
产品编号UCC27200 DRMR 。
设备额定值
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度，除非另有说明，所有的电压是相对于V
SS (1)
参数
电源电压范围，
(2)
价值
-0.3 20
-0.3 20
单位
V
DD
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
电压在HB- HS
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
在T功耗
A
= 25°C （D包）
(3)
-0.3到V
DD
+ 0.3,
-2到V
DD
+ 0.3
V
HS
- 0.3 V
HB
+ 0.3
V
HS
- 2至V
HB
+ 0.3, (V
HB
- V
HS
<20)
-1 120
-5 120
-0.3 120
-0.3 20
-40到+150
-65到+150
+300
1.3
2.7
3.3
W
(3)
V
°C
在T功耗
A
= 25 ° C（ DDA包）
(3)
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRM包）
(1)
(2)
(3)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于VSS 。电流是积极进入，负出指定的终端。
采用JEDEC提出的高K测试PCB该数据取自。详情请参见热特性部分。
2
提交文档反馈
UCC27200 ， UCC27201
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
DD
V
HS
V
HB
电源电压范围
在HS电压
在HS电压， （重复脉冲<100 NS ）
对HB电压
在HS电压摆率
T
J
工作结温范围
-40
民
8
-1
-5
V
HS
+ 8,
V
DD
–1
喃
12
最大
17
105
110
V
HS
+ 17,
115
50
+140
V / ns的
°C
V
单位
静电放电（ ESD）保护
法
人体模型
清洁发展机制
民
2000
1000
单位
V
热特性
在工作自由空气的温度范围内，在室温下最大功耗：P
DISS
= (150-T
A
) /
θ
JA
,
（除非另有说明）
包
D
DDA
(1)
DRM
(2)
(1)
θ
JA
（ ° C / W） （结到
环境）
95
46
38
θ
JC
（ ° C / W） （结点到外壳）
71
71
56
θ
JP
（ ° C / W） （结到
使用PowerPad ）
NA
4.8
4.1
(2)
测试板条件：
3英寸X 3英寸， four4层，厚度： 0.062英寸
2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
2盎司纯铜接地层对内部2层。
六个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
测试板条件：
3英寸X 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
2盎司纯铜接地层对内部2层。
四个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
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120 -V启动， 3 - A峰值，高频率，高侧/低侧驱动器
特点
从-40 ° C至140℃
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置
最大启动电压120 V
最高VDD电压20 V
片0.65 -V VF ， 0.6 Ω RD自举二极管
大于1 MHz的操作
20 ns的传播延迟时间
3 ，有水槽， 3 -A源输出电流
8 ns上升/ 7 - ns下降时间与1000 pF负载
1 ns的延迟匹配
欠压锁定为高边和
低侧驱动器
目录
设备额定值
电气特性
设备信息
应用信息
其他参考
2
4
11
14
22
描述
该UCC27200 / 1系列高频
N沟道MOSFET驱动器包括一个120 -V
自举二极管和高侧/低侧驱动器
独立的输入，最大程度的控制灵活性。
这使得N沟道MOSFET控制在
半桥，全桥，双开关正激和活性
钳位正向转换器。低侧和
高侧栅极驱动器可以独立控制
和相匹配的导通和在1纳秒
关断对方。
应用
电源为电信，数据通信，和
商家市场
半桥应用和全桥
转换器
隔离式总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器
简化应用图
+12V
+100V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
HI
PWM
调节器
LI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27200/1
V
SS
LO
隔离
和
反馈
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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说明（续）
一个片上自举二极管，消除了外部分立二极管。欠压锁定功能提供了两种
高侧和低侧驱动器迫使输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
两个版本的UCC27200提供。该UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值
而UCC27201与TTL兼容阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA）和SON - 8 （ DRM ）封装。
订购信息
包装设备
(1)
温度范围
T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
(2)
(3)
输入兼容性
CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27200D
UCC27201D
使用PowerPad SOIC- 8
（ DDA ）
(2)
UCC27200DDA
UCC27201DDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27200DRMT
UCC27201DRMT
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容于255-260 ℃，
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC27200DR ）
订购每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200DRMT ，或更大的3000件卷轴为
产品编号UCC27200 DRMR 。
设备额定值
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度，除非另有说明，所有的电压是相对于V
SS (1)
参数
电源电压范围，
(2)
价值
-0.3 20
-0.3 20
单位
V
DD
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
电压在HB- HS
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
在T功耗
A
= 25°C （D包）
(3)
-0.3到V
DD
+ 0.3,
-2到V
DD
+ 0.3
V
HS
- 0.3 V
HB
+ 0.3
V
HS
- 2至V
HB
+ 0.3, (V
HB
- V
HS
<20)
-1 120
-5 120
-0.3 120
-0.3 20
-40到+150
-65到+150
+300
1.3
2.7
3.3
W
(3)
V
°C
在T功耗
A
= 25 ° C（ DDA包）
(3)
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRM包）
(1)
(2)
(3)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于VSS 。电流是积极进入，负出指定的终端。
采用JEDEC提出的高K测试PCB该数据取自。详情请参见热特性部分。
2
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
DD
V
HS
V
HB
电源电压范围
在HS电压
在HS电压， （重复脉冲<100 NS ）
对HB电压
在HS电压摆率
T
J
工作结温范围
-40
民
8
-1
-5
V
HS
+ 8,
V
DD
–1
喃
12
最大
17
105
110
V
HS
+ 17,
115
50
+140
V / ns的
°C
V
单位
静电放电（ ESD）保护
法
人体模型
清洁发展机制
民
2000
1000
单位
V
热特性
在工作自由空气的温度范围内，在室温下最大功耗：P
DISS
= (150-T
A
) /
θ
JA
,
（除非另有说明）
包
D
DDA
(1)
DRM
(2)
(1)
θ
JA
（ ° C / W） （结到
环境）
95
46
38
θ
JC
（ ° C / W） （结点到外壳）
71
71
56
θ
JP
（ ° C / W） （结到
使用PowerPad ）
NA
4.8
4.1
(2)
测试板条件：
3英寸X 3英寸， four4层，厚度： 0.062英寸
2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
2盎司纯铜接地层对内部2层。
六个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
测试板条件：
3英寸X 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
2盎司纯铜接地层对内部2层。
四个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
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120 -V启动， 3 - A峰值，高频率，高侧/低侧驱动器
1
特点
目录
设备额定值
电气特性
设备信息
应用信息
其他参考
2
4
11
14
22
从-40 ° C至140℃
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置
最大启动电压120 V
最高VDD电压20 V
片0.65 -V VF ， 0.6 Ω RD自举二极管
大于1 MHz的操作
20 ns的传播延迟时间
3 ，有水槽， 3 -A源输出电流
8 ns上升/ 7 - ns下降时间与1000 pF负载
1 ns的延迟匹配
欠压锁定为高边和
低侧驱动器
2
描述
该UCC27200 / 1系列高频N沟道
MOSFET驱动器包括一个120 -V自举二极管和
与独立输入的高侧/低侧驱动器
最大的控制灵活性。这使得N沟道
在半桥，全桥，双开关MOSFET控制
向前和有源钳位正向转换器。该
低侧和高侧栅极驱动器是
独立地控制和匹配到1纳秒
之间的导通和关断对方。
应用
电源为电信，数据通信，和
商家市场
半桥应用和全桥
转换器
隔离式总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器
简化应用图
+12V
+100V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
HI
PWM
调节器
LI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27200/1
V
SS
LO
隔离
和
反馈
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2006-2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27200 ， UCC27201
SLUS746B - 2006年12月 - 修订2008年11月
.......................................................................................................................................
www.ti.com
说明（续）
一个片上自举二极管，消除了外部分立二极管。欠压锁定功能提供了两个
高侧和低侧驱动器迫使输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
两个版本的UCC27200提供。该UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值
而UCC27201与TTL兼容阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA）和SON - 8 （ DRM ）封装。
订购信息
包装设备
(1)
温度范围
T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
(2)
(3)
输入兼容性
CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27200D
UCC27201D
使用PowerPad SOIC- 8
（ DDA ）
(2)
UCC27200DDA
UCC27201DDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27200DRMT
UCC27201DRMT
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容于255-260 ℃，
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC27200DR ）
订购每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200DRMT ，或更大的3000件卷轴为
产品编号UCC27200 DRMR 。
设备额定值
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度，除非另有说明，所有的电压是相对于V
SS (1)
参数
电源电压范围，
(2)
价值
-0.3 20
-0.3 20
单位
V
DD
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
电压在HB- HS
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
在T功耗
A
= 25°C （D包）
(3)
(3)
(3)
-0.3到V
DD
+ 0.3,
-2到V
DD
+ 0.3
V
HS
- 0.3 V
HB
+ 0.3
V
HS
- 2至V
HB
+ 0.3, (V
HB
- V
HS
<20)
-1 120
-5 120
-0.3 120
-0.3 20
-40到+150
-65到+150
+300
1.3
2.7
3.3
W
°C
V
在T功耗
A
= 25 ° C（ DDA包）
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRM包）
(1)
(2)
(3)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于VSS 。电流是积极进入，负出指定的终端。
采用JEDEC提出的高K测试PCB该数据取自。详情请参见热特性部分。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
DD
V
HS
V
HB
电源电压范围
在HS电压
在HS电压， （重复脉冲<100 NS ）
对HB电压
在HS电压摆率
T
J
工作结温范围
-40
民
8
-1
-5
V
HS
+ 8,
V
DD
–1
喃
12
最大
17
105
110
V
HS
+ 17,
115
50
+140
V / ns的
°C
V
单位
静电放电（ ESD）保护
法
人体模型
清洁发展机制
民
2000
1000
单位
V
热特性
在工作自由空气的温度范围内，在室温下最大功耗：P
DISS
= (150-T
A
) /
θ
JA
（除非
另有说明）
包
D
DDA
(1)
DRM
(1)
(2)
θ
JA
（ ° C / W） （结到
环境）
95
46
38
θ
JC
（ ° C / W） （结点到外壳）
71
71
56
θ
JP
（ ° C / W） （结到
使用PowerPad ）
NA
4.8
4.1
(2)
测试板条件：
一。 3英寸X 3英寸， four4层，厚度： 0.062英寸
B 。 2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
。 2盎司纯铜接地层对内部2层。
。六个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
测试板条件：
一。 3英寸X 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 2盎司的铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
。 2盎司纯铜接地层对内部2层。
。四个散热孔，在器件封装下使用PowerPad 面积。
版权所有 2006-2008 ，德州仪器
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.......................................................................................................................................
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内，V
DD
= V
HB
= 12 V, V
HS
= V
SS
= 0 V ，在LO和HO ，T空载
A
= T
J
= -40 ° C至
+ 140℃ ， （除非另有说明）
参数
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入
V
撞
V
点亮
V
IHYS
V
撞
V
点亮
V
IHYS
R
IN
输入阈值上升
输入阈值下降
输入电压滞后
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
VDD上升阈值
VDD阈值迟滞
VHB上升阈值
VHB阈值迟滞
自举二极管
V
F
V
FI
R
D
低电流正向电压
大电流正向电压
动态阻力
ΔVF / ΔI
I
VDD
- HB = 100
A
I
VDD
- HB = 100毫安
I
VDD
- HB = 100 mA和80
mA
I
LO
= 100毫安
T
J
= -40 125 ℃的
V
陆
高电平输出电压
T
J
= -40 140℃
山顶上拉电流
峰值下拉电流
何栅极驱动器
V
HOL
低电平输出电压
T
J
= -40 125 ℃的
V
HOH
高电平输出电压
T
J
= -40 140℃
山顶上拉电流
峰值下拉电流
传播延迟
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100毫安，V
HOH
= V
HB
-
V
HO
I
HO
= -100毫安，V
HOH
= V
HB
-
V
HO
V
HO
= 0 V
V
HO
= 12 V
0.18
0.25
0.25
3
3
0.4
0.4
0.42
A
V
I
LO
= -100毫安，V
陆
= V
DD
-
V
LO
I
LO
= -100毫安，V
陆
= V
DD
-
V
LO
V
LO
= 0 V
V
LO
= 12 V
0.65
0.85
0.6
0.85
1.1
1.0
V
5.8
100
6.2
UCC27201
0.8
UCC27200
3
5.8
5.4
0.4
1.7
1.6
100
200
7.1
0.5
6.7
0.4
7.2
350
7.8
V
mV
k
2.5
V
8
VDD静态电流
VDD工作电流
启动电压静态电流
BOOT电压工作电流
HB到V
SS
静态电流
HB到V
SS
工作电流
UCC27200
UCC27201
V
LI
= V
HI
= 0
F = 500千赫，C
负载
= 0
F = 500千赫，C
负载
= 0
V
LI
= V
HI
= 0 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
V
HS
= V
HB
= 110 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
0.4
2.5
3.8
0.4
2.5
0.0005
0.1
0.8
4
5.5
0.8
4
1
uA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
欠压保护（ UVLO ）
LO栅极驱动器
V
大声笑
低电平输出电压
0.18
0.25
0.25
3
3
0.4
0.4
0.42
A
V
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SLUS746B - 2006年12月 - 修订2008年11月
电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内，V
DD
= V
HB
= 12 V, V
HS
= V
SS
= 0 V ，在LO和HO ，T空载
A
= T
J
= -40 ° C至
+ 140℃ ， （除非另有说明）
参数
T
DLFF
T
DHFF
T
DLRR
T
DHRR
V
LI
下降到V
LO
落下
V
HI
下降到V
HO
落下
V
LI
上升到V
LO
升起
V
HI
上升到V
HO
升起
T
J
= -40 125 ℃的
T
J
= -40 140℃
T
J
= -40 125 ℃的
T
J
= -40 140℃
T
J
= -40 125 ℃的
T
J
= -40 140℃
T
J
= -40 125 ℃的
T
J
= -40 140℃
测试条件
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
民
典型值
20
20
20
20
20
20
20
20
1
1
C
负载
= 1000 pF的
C
负载
= 1000 pF的
C
负载
= 0.1
F
C
负载
= 0.1
F
8
7
0.35
0.3
0.6
0.6
50
I
F
= 20 mA时，我
转
= 0.5 A
(1) (2)
20
最大
45
50
45
50
45
50
45
50
7
7
ns
单位
延迟匹配
T
MON
T
MOFF
t
R
t
F
t
R
t
F
李ON ， OFF HI
李OFF ， ON HI
LO ， HO
LO ， HO
LO ， HO （ 3 V至9 V ）
LO ， HO （ 3 V至9 V ）
最小输入脉冲宽度改变输出
自举二极管关断时间
(1)
(2)
ns
输出上升时间和下降时间
ns
us
杂项
ns
对于T典型值
A
= 25°C
I
F
：正向电流适用于自举二极管，我
转
：反向电流，适用于自举二极管。
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