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数据表
MOS场效应
PA2711GR
开关
P沟道功率MOS FET
封装图(单位:mm )
8
5
1, 2, 3
资料来源:
4
:门
5 ,6,7 ,8:漏
描述
PA2711GR是P沟道的MOS场效应晶体管
专为笔记本电脑的电源管理应用
电脑和锂离子电池保护电路。
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 9 mΩ以下。 (V
GS
=
10
V,I
D
=
6.5
A)
R
DS(on)2
= 15 mΩ以下。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
6.5
A)
R
DS(on)3
= 20 mΩ以下。 (V
GS
=
4.0
V,I
D
=
6.5
A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2450 pF的典型。
小型表面贴装封装( SOP8电)
6.0 ±0.3
4.4
+0.10
–0.05
1
4
5.37最大。
1.44
0.8
1.8 MAX 。
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
订购信息
产品型号
电源SOP8
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
PA2711GR
绝对最大额定值(T
A
= 25 ℃,除非另有说明,所有端子连接。 )
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
–30
m20
m13
m52
2
2
150
-55到+ 150
13
16.9
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
来源
二极管
等效电路
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
注意事项1 。
2.
3.
4.
备注
Note4
Note4
I
AS
E
AS
PW
10
S,占空比
1%
2
装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板
安装在玻璃环氧基板( 1英寸× 1英寸× 0.8mm)的, PW = 10秒
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= ± 15 V ,R
G
= 25
,
L = 100
H,V
GS
= –20
0 V
强电场,当暴露于该装置中,可引起栅氧化层的破坏,并最终
影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电之多
可能,并迅速消散了一次,已经发生时。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G15979EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2004年3月NS CP ( K)
日本印刷
2004
PA2711GR
电气特性(T
A
= 25 ℃,除非另有说明,所有端子连接。 )
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
测试条件
V
DS
=
30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
DS
=
10 V,I
D
=
6.5 A
V
GS
=
10 V,I
D
=
6.5 A
V
GS
=
4.5 V,I
D
=
6.5 A
V
GS
=
4.0 V,I
D
=
6.5 A
V
DS
=
10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
=
15 V,I
D
=
6.5 A
V
GS
=
10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
m
100
1.0
10
22
7.4
10
12
2450
740
410
10
15
230
130
9
15
20
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
2.5
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
24 V
V
GS
=
10 V
I
D
=
13 A
I
F
= 13 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 13 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
57
6.3
19
0.81
62
31
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
=
20 →
0 V
I
D
V
DD
50
L
V
DD
PG 。
BV
DSS
V
DS
V
GS
()
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
电波表
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
10% 10%
90%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
DS
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表G15979EJ1V0DS
PA2711GR
电气特性(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
120
2.8
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功耗 - W
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
X 2.2毫米
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
A
- 环境温度 -
°C
-100
R
DS ( ON)
有限
(在V
GS
=
10 V)
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
PW = 100
s
I
D
- 漏电流 - 一个
-10
1毫秒
DC
-1
功耗有限公司
100毫秒
10毫秒
-0.1
单脉冲,T
A
= 25°C
安装在陶瓷基板
1200 mm
2
X 2.2毫米, 1台
-0.01
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第(章-a)的
= 62.5℃ / W
10
1
0.1
单脉冲,T
A
= 25°C
安装于1200毫米的陶瓷基片
2
X 2.2毫米
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G15979EJ1V0DS
3
PA2711GR
漏电流与
漏源极电压
-60
4.5
V
-50
V
GS
=
10
V
4.0
V
正向传递特性
-1000
-100
-10
-1
-0.1
脉冲
-0.01
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
I
D
- 漏电流 - 一个
-40
-30
-20
-10
0
0
-0.4
I
D
- 漏电流 - 一个
脉冲
V
DS
=
10
V
0
-1
-2
-3
-4
-5
-0.8
-1.2
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
-3
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
100
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
-
10
1
脉冲
V
DS
=
10
V
0.1
-0.1
-1
-10
-100
脉冲
V
DS
=
10
V
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
30
脉冲
25
20
15
10
5
0
-0.1
V
GS
=
4.0
V
4.5
V
10
V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
脉冲
I
D
=
6.5
A
30
20
10
0
0
-5
-10
-15
-20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G15979EJ1V0DS
PA2711GR
漏极至源极导通电阻与
通道温度
电容与漏源极电压
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
25
20
15
10
5
0
-50
脉冲
I
D
=
6.5 A
0
50
100
150
V
GS
=
4.0 V
4.5 V
10 V
C
RSS
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T
ch
- 通道温度 - C
开关特性
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
1000
-30
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D(关闭)
-15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
I
D
=
13
A
V
DD
=
24
V
15
V
6
V
100
t
f
t
r
-20
-10
10
t
D(上)
V
DD
=
15
V
V
GS
=
10
V
R
G
= 10
-10
-100
-10
V
GS
V
DS
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
-5
1
-0.1
0
-1
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
1000
100
10
1
0.1
脉冲
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
1000
V
GS
=
10
V
0V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
10
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表G15979EJ1V0DS
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA2711GR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UPA2711GR
RENESAS/瑞萨
22+
32570
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
UPA2711GR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8395
贴◆插
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
UPA2711GR
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
SOP-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UPA2711GR
NEC
20+
3968
SOP8
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
UPA2711GR
RENESAS/瑞萨
24+
21000
SOP-8
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
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电话:13798269714
联系人:刘生
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NEC
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