数据表
MOS场效应
PA2711GR
开关
P沟道功率MOS FET
封装图(单位:mm )
8
5
1, 2, 3
资料来源:
4
:门
5 ,6,7 ,8:漏
描述
该
PA2711GR是P沟道的MOS场效应晶体管
专为笔记本电脑的电源管理应用
电脑和锂离子电池保护电路。
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 9 mΩ以下。 (V
GS
=
10
V,I
D
=
6.5
A)
R
DS(on)2
= 15 mΩ以下。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
6.5
A)
R
DS(on)3
= 20 mΩ以下。 (V
GS
=
4.0
V,I
D
=
6.5
A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2450 pF的典型。
小型表面贴装封装( SOP8电)
6.0 ±0.3
4.4
+0.10
–0.05
1
4
5.37最大。
1.44
0.8
1.8 MAX 。
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
PA2711GR
绝对最大额定值(T
A
= 25 ℃,除非另有说明,所有端子连接。 )
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
–30
m20
m13
m52
2
2
150
-55到+ 150
13
16.9
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
来源
门
体
二极管
等效电路
漏
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
注意事项1 。
2.
3.
4.
备注
Note4
Note4
I
AS
E
AS
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2
装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板
安装在玻璃环氧基板( 1英寸× 1英寸× 0.8mm)的, PW = 10秒
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= ± 15 V ,R
G
= 25
,
L = 100
H,V
GS
= –20
→
0 V
强电场,当暴露于该装置中,可引起栅氧化层的破坏,并最终
影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电之多
可能,并迅速消散了一次,已经发生时。
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一号文件G15979EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2004年3月NS CP ( K)
日本印刷
2004