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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第261页 > UPA834TF_99
初步数据表
NPN硅外延晶体管晶体管
UPA834TF
特点
低噪音:
Q1 : NF = 1.4 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V , LC = 7毫安
Q2 : NF = 1.2 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V , LC = 7毫安
高增益:
Q1 : | S
21E
|
2
值12.0 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 7毫安
Q2 : | S
21E
|
2
= 9.0分贝TYP在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 7毫安
6 -PIN薄型迷你小注模封装
2不同的内置晶体管
(Q
1
: NE681 ,Q
2
: NE856 )
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形TS06
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
2.0
±
0.2
1.3
1
6
0.22
- 0.05
(所有引线)
+0.10
2
5
3
4
0.6
±
0.1
0.45
0 ~ 0.1
0.13
±
0.05
描述
该UPA834TF有两个不同的内置晶体管低成本
放大器和振荡器应用在VHF / UHF波段。低
噪声系数,高增益,高电流容量,并且介质
输出给该设备的高动态范围和优良的
线性度为两级放大器。该器件还非常
适合用于VCO /缓冲放大器应用中使用。该
更薄的封装形式允许更高密度的设计。
引脚连接
1.收集器( Q1 )
2.发射器( Q1 )
3.收集器( Q2 )
4.基地( Q2 )
5.发射器( Q2 )
6.基地( Q1 )
注意:
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q1
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q2
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流
反馈
收益
1
at
V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
GHz的
pF
dB
dB
A
A
100
GHz的
pF
dB
dB
7
3.0
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
10
在V
CB
= 3 V,L
E
= 0中,f = 1 MHz的
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
电容
2
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
反馈
电容
2
在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
单位
A
A
70
4.5
7.0
0.45
12
1.4
2.7
1.0
1.0
145
0.9
UPA834TF
TS06
典型值
最大
0.8
0.8
150
注意事项: 1,脉冲测量,脉冲宽度
350
s,
占空比
2 %.
当用电容表(自动平衡电桥法) ,与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容计销。
美国加州东部实验室
UPA834TF
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
Q1
20
10
1.5
65
Q2
20
12
3
100
150
150
200
2
150
150
-65到+150
注: 1.操作超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
2.当操作这两种设备中,功率耗散为
任一设备不应超过110毫瓦。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
Q2
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
Q1 + Q2总
200
Q1 + Q2总
200
用1元时, Q1
用1元时, Q2
在使用Q1
2元
100
在使用Q2
2元
100
0
50
100
150
0
50
100
150
环境温度,T
A
(°C)
环境温度,T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
25
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
l
B
=160
A
140
A
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
20
160
A
15
140
A
120
A
100
A
10
80
A
60
A
5
40
A
l
B
=20
A
20
120
A
15
100
A
80
A
10
60
A
40
A
5
20
A
0
0.5
1.0
0
5
10
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
UPA834TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
20
V
CE
= 3 V
20
V
CE
= 3 V
Q2
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
集电极电流, LC (毫安)
10
集电极电流, LC (毫安)
0.5
1.0
10
0
0
0.5
1.0
基地发射极电压,V
BE
(V)
基地发射极电压,V
BE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 3 V
100
100
200
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
直流电流增益,H
FE
直流电流增益,H
FE
50
50
20
20
10
0.5
1
5
10
50
10
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
5.0
F = 1 MHz的
5.0
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
反馈电容,肌酐(PF )
反馈电容,肌酐(PF )
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
UPA834TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
增益带宽积主场迎战
集电极电流
10
20
Q2
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽积,女
T
(千兆赫)
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
10
增益带宽积,女
T
(千兆赫)
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
8
6
5
4
2
2
0
0.5
1.0
5.0
10
50
1
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
插入功率增益与
集电极电流
15
15
插入功率增益与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
10
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
10
5
5
0
0.5
1
5
10
50
0
0.5
1
5
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
插入功率增益与
频率
25
24
插入功率增益与
频率
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
LC = 7毫安
20
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
LC = 7毫安
20
16
15
12
10
8
5
4
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
频率f ( GHz)的
频率f ( GHz)的
UPA834TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
噪声系数与
集电极电流
5
V
CE
= 3 V
LC = 1GHz的
6
V
CE
= 3 V
LC = 1GHz的
Q2
噪声系数与
集电极电流
噪声系数NF ( dB)的
4
噪声系数NF ( dB)的
4
3
2
2
1
0
0.5
1.0
5.0
10
50
0
0.5
1.0
5.0
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
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