数据表
MOS场效应
PA2708TP
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA2708TP其具有散热器是N-
沟道MOS场效应晶体管设计用于
直流/直流转换器和电源管理应用
笔记本电脑。
订购信息
产品型号
包
电力HSOP8
记
PA2708TP-E1
PA2708TP-E1-AZ
PA2708TP-E2
电力HSOP8
电力HSOP8
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 5.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A)
R
DS(on)2
= 7.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 4700 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）
PA2708TP-E2-AZ
记
电力HSOP8
记
无铅（本产品不含有铅
外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
30
±20
±40
±68
34
4.3
150
55
+150
17
28.9
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧板， PW = 10秒
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 15 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= 20
→
0 V
热阻
渠道环境
渠道情况
记
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
96.2
3.68
° C / W
° C / W
记
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧基板
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一号文件G17034EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2005年6月NS CP （ K）
日本印刷
2004
PA2708TP
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全工作区
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
100
PW
I
D（ DC）的
r
we
Po
=
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
0
10
R
(a
DS （O
吨V
n)
GS
LIM
ITE
10 d
V)
100
80
60
40
20
I
D（脉冲）
s
离子
at
ip
ss
Di
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1ms
d
ITE
LIM
1
10ms
DC
T
C
= 25°C
单脉冲
0
20
40
60
80
100
120 140
160
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度 -
C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第（章-a）的
= 96.2 ° C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 3.68 ° C / W
1
0.1
单脉冲
单脉冲
R
第（章-a）的
：安装在1英寸×1英寸×0.8毫米， T A玻璃质沉积物环氧板
A
= 25°C
R
TH（ CH-C ）
: T
C
= 25°C
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
70
60
I
D
- 漏电流 - 一个
100
V
GS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
50
40
30
20
10
0
0
0.1
0.2
0.3
4.5 V
10
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲
0.01
1
2
3
4
5
脉冲
0.4
0.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表G17034EJ1V0DS
3
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