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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第61页 > UPA1807
数据表
MOS场效应
PA1807
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1807是一种开关装置，其可被驱动
直接通过4.0 V的电源。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，如DC / DC转换器和功率
笔记本电脑等的管理。
8
封装图（单位：mm ）
5
1 ，2，3 ：源
4
：门
5 ，6，7 ，8：漏
1.2最大。
1.0 ±0.05
0.25
3°
+5°
–3°
0.1 ±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
4.0 V可驱动
低通态电阻
R
DS(on)1
= 10 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A)
R
DS(on)2
= 14 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A)
R
DS(on)3
= 16 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 6.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
包
0.65
0.8最大。
0.1
PA1807GR-9JG
电源TSSOP8
0.27
+0.03
–0.08
0.10 M
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
等效电路
30
±20
±12
±48
2.0
150
55
+150
V
V
A
A
W
°C
°C
门
保护
二极管
来源
门
体
二极管
漏
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
2
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G16249EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年8月NS CP （ K）
日本印刷
2002
PA1807
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 24 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 6.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.5
7.0
2.0
15
8.1
10.5
12
1000
390
140
16
11
46
11.5
19
3.1
5.0
0.82
32
24
10
14
16
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
I
D
电波表
V
GS
V
GS
电波表
I
G
= 2毫安
V
GS
90%
R
L
V
DD
0
10%
PG 。
90%
90%
50
I
D
0 10%
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G16249EJ1V0DS
PA1807
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
环境温度
2.5
P
T
- 总功耗 - W
安装在陶瓷基片
2
5000毫米× 1.1毫米
2
安装在FR- 4电路板
2
2500毫米× 1.6毫米
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
I
D（ DC）的
10
I
D（脉冲）
PW = 1毫秒
I
D
- 漏电流 - 一个
1
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
= 10 V)
DC
100毫秒
10毫秒
0.1
单脉冲
安装在陶瓷基片
以5000 mm
2
X 1.1毫米
0.1
1
10
100
0.01
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
单脉冲
安装在FR- 4电路板
的2500毫米
2
X 1.6毫米
125°C/W
100
10
安装在陶瓷基片
2
5000毫米× 1.1毫米
62.5°C/W
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16249EJ1V0DS
3
PA1807
漏电流与
漏源极电压
50
脉冲
4.5 V
正向传递特性
100
10
V
DS
= 10 V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
= 10 V
30
I
D
- 漏电流 - 一个
40
4.0 V
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
2.4
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
V
DS
= 10 V
脉冲
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
-50
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0毫安
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
1
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
I
D
= 6.0 A
脉冲
16
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
16
12
10 V
8
12
I
D
= 6.0 A
8
4
4
0
-50
0
50
100
150
0
0
2
4
6
8
10
T
ch
- 通道温度 - C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16249EJ1V0DS
PA1807
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
20
脉冲
16
V
GS
= 4.0 V
12
4.5 V
8
10 V
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
4
0
0.01
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
10000
源极到漏极二极管的正向电压
100
脉冲
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
1000
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
f
10
100
t
D（关闭）
t
D（上）
10
t
r
1
0.01
1
V
GS
= 0 V
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
D
- 漏电流 - 一个
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
动态输入/输出特性
10
I
D
= 12 A
8
V
DD
= 24 V
15 V
6.0 V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
6
4
2
0
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表G16249EJ1V0DS
5
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UC3715DTR
UM621024C-70LL
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UPD753104GK
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U2860BB
U2860B-B
UPSD3313DV-40U6
UPA2708TP
供货商
型号
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数量
封装
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    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1807
    -
    -
    -
    -
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电话：19520735817/13148740183
联系人：米小姐，黄小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
UPA1807
NEC
21+
2800
SMD
P沟道场效应管
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
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NEC
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电话：0755-82723761/82772189
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地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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