【数据表MOS场效应PA1855N沟道MOS场效应晶体管切换描述该PA1855是它可以是一个开关器件直】,IC型号UPA1855,UPA1855 PDF资料,UPA1855经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1855

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1855是它可以是一个开关器件

直接采用2.5 V电源驱动。

该

PA1855采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V电源驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 23 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)2

= 24 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)3

= 29 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1855GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

20

±12

±6.0

±24

2.0

150

-55到+150

V

A

W

°C

门

保护

二极管

Gate1

等效电路

Drain1

Drain2

总功耗

通道温度

储存温度

体

二极管

Gate2

体

二极管

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

Source1

门

保护

二极管

Source2

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13454EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年5月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1998, 1999

PA1855

电气特性（T

A

= 25 °C)

特征

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

I

D

= 3.0 A

V

GS （ ON）

= 4.0 V

R

G

= 10

V

DD

= 10 V

I

D

= 6.0 A

V

GS

= 4.0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 15 A /

s

0.5

1

1.0

13.3

17

18

22

980

293

205

86

247

480

659

8.8

2.2

3.2

0.82

44

2.2

23

24

29

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

R

G

= 10

V

DD

I

D

90 %

I

D

0 10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

V

GS

I

G

= 2毫安

V

GS （ ON）

90 %

V

GS

电波表

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

50

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

2

数据表D13454EJ2V0DS

PA1855

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

5

100

正向偏置安全工作区

d

ITE ）

林4.5 V

I

D

（脉冲）

)

on

=

S(

R

D

V

GS

(@

I

D

(

DC

)

PW

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

=1

60

PW

1

DC

=1

00

ms

=1

0m

s

ms

40

20

0.1

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

单脉冲

安装在陶瓷

2

为50cm X 1.1毫米局

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

漏电流与

漏源极电压

25

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

- 漏电流 - 一个

传输特性

100

10

I

D

- 漏电流 - 一个

V

DS

= 10 V

20

V

GS

= 2.5 V

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125C

T

A

= 75C

T

A

= 25C

T

A

= -25C

15

10

5

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0.00001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V

10

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

1.0

1

T

A

= 75

C

T

A

= 125

C

0.1

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表D13454EJ2V0DS

3

PA1855

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 2.5 V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 4.0 V

30

T

A

= 125C

T

A

= 75C

T

A

= 25C

30

T

A

= 125C

T

A

= 75C

20

T

A

= -25C

20

T

A

= 25C

T

A

= -25C

10

0.01

0.1

1

10

100

10

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极通态电阻与

通道温度

30

I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V

V

GS

= 4.0 V

40

V

GS

= 4.5 V

30

T

A

= 125C

20

V

GS

= 4.5 V

20

T

A

= 75C

T

A

= 25C

T

A

= -25C

10

0.01

0.1

1

10

100

10

- 50

I

D

- 漏电流 - 一个

0

50

100

T

ch

- 通道温度-C

150

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

电容与漏极TO

源极电压

10000

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

50

I

D

= 3.0 A

F = 1 MHz的

40

1000

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

30

20

100

10

0

2

4

6

8

10

12

10

0.1

1

10

100

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

4

数据表D13454EJ2V0DS

PA1855

开关特性

1000

td

（上）

， TR ， TD

（关闭）

， TF - Switchig时间 - NS

源极到漏极二极管的正向电压

100

tf

td

（关闭）

tr

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

10

100

td

（上）

1

0.1

V

DD

= 10V

V

GS

(

on

) = 4.0V

R

G

= 10

10

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

动态输入特性

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

I

D

= 6.0 A

4

V

DD

= 16 V

10 V

3

2

1

0

1

2

3 4

5 6

7

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

5

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

瞬态热阻与脉冲宽度

100

62.5

° C / W

10

1

安装在陶瓷板上

50厘米

2

X 1.1毫米

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10m

100m

1

10

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表D13454EJ2V0DS

5

数据表

MOS场效应

PA1855

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1855是它可以是一个开关器件

直接采用2.5 V电源驱动。

该

PA1855采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V电源驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 23 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)2

= 24 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)3

= 29 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1855GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

20

±12

±6.0

±24

2.0

150

-55到+150

V

A

W

°C

门

保护

二极管

Gate1

等效电路

Drain1

Drain2

总功耗

通道温度

储存温度

体

二极管

Gate2

体

二极管

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

Source1

门

保护

二极管

Source2

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13454EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年5月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1998, 1999

PA1855

电气特性（T

A

= 25 °C)

特征

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

I

D

= 3.0 A

V

GS （ ON）

= 4.0 V

R

G

= 10

V

DD

= 10 V

I

D

= 6.0 A

V

GS

= 4.0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 15 A /

s

0.5

1

1.0

13.3

17

18

22

980

293

205

86

247

480

659

8.8

2.2

3.2

0.82

44

2.2

23

24

29

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

R

G

= 10

V

DD

I

D

90 %

I

D

0 10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

V

GS

I

G

= 2毫安

V

GS （ ON）

90 %

V

GS

电波表

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

50

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

2

数据表D13454EJ2V0DS

PA1855

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

5

100

正向偏置安全工作区

d

ITE ）

林4.5 V

I

D

（脉冲）

)

on

=

S(

R

D

V

GS

(@

I

D

(

DC

)

PW

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

=1

60

PW

1

DC

=1

00

ms

=1

0m

s

ms

40

20

0.1

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

单脉冲

安装在陶瓷

2

为50cm X 1.1毫米局

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

漏电流与

漏源极电压

25

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

- 漏电流 - 一个

传输特性

100

10

I

D

- 漏电流 - 一个

V

DS

= 10 V

20

V

GS

= 2.5 V

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125C

T

A

= 75C

T

A

= 25C

T

A

= -25C

15

10

5

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0.00001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V

10

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

1.0

1

T

A

= 75

C

T

A

= 125

C

0.1

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表D13454EJ2V0DS

3

PA1855

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 2.5 V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 4.0 V

30

T

A

= 125C

T

A

= 75C

T

A

= 25C

30

T

A

= 125C

T

A

= 75C

20

T

A

= -25C

20

T

A

= 25C

T

A

= -25C

10

0.01

0.1

1

10

100

10

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极通态电阻与

通道温度

30

I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V

V

GS

= 4.0 V

40

V

GS

= 4.5 V

30

T

A

= 125C

20

V

GS

= 4.5 V

20

T

A

= 75C

T

A

= 25C

T

A

= -25C

10

0.01

0.1

1

10

100

10

- 50

I

D

- 漏电流 - 一个

0

50

100

T

ch

- 通道温度-C

150

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

电容与漏极TO

源极电压

10000

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

50

I

D

= 3.0 A

F = 1 MHz的

40

1000

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

30

20

100

10

0

2

4

6

8

10

12

10

0.1

1

10

100

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

4

数据表D13454EJ2V0DS

PA1855

开关特性

1000

td

（上）

， TR ， TD

（关闭）

， TF - Switchig时间 - NS

源极到漏极二极管的正向电压

100

tf

td

（关闭）

tr

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

10

100

td

（上）

1

0.1

V

DD

= 10V

V

GS

(

on

) = 4.0V

R

G

= 10

10

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

动态输入特性

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

I

D

= 6.0 A

4

V

DD

= 16 V

10 V

3

2

1

0

1

2

3 4

5 6

7

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

5

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

瞬态热阻与脉冲宽度

100

62.5

° C / W

10

1

安装在陶瓷板上

50厘米

2

X 1.1毫米

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10m

100m

1

10

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表D13454EJ2V0DS

5