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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第209页 > U62H64SA35
U62H64
汽车快速8K ×8 SRAM
特点
!
快8192 ×8位的静态CMOS
!
!
!
!
!
描述
该U62H64是一个静态RAM制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式：
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿
E1的边缘（在E 2 = H）。该
地址和控制输入端开路
同时。
根据W的信息
和G时，数据输入，或输出
是活动的。在读周期中，
数据输出被激活的
下降的G力，事后
数据字读将在
输出DQ0 - DQ7 。后
地址变化时，数据输出
进入高阻抗，直到新的读取Infor公司
息是可用的。数据输出
看跌不首选国家。如果
内存是由CMOS电平驱动
在活动状态，并且如果没有
地址变更，数据输入
和控制信号W或G，在
工作电流（在我
O
= 0 mA时）
下降到操作的值
当前，在待机模式。该
读周期由落下完
E 2或W ，或者由上升沿
，边缘E1分别。
数据保存期限保证下
2 V.
除E1和E2的，
所有投入由或非门的，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
这门电路
可以实现低功耗
通过激活待机要求
与TTL电平也。
!
!
!
!
!
!
!
!
!
内存
35 ns访问时间
双向数据输入和数据
输出
三态输出
在Vcc > 2V的数据保持方式
数据保持电流为2 V ：
< 3 μA （ K型）
< 50 μA （ A型）
待机电流
< 5 μA （ K型）
< 100 μA （ A型）
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围
-40到85°C
-40至125
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
闭锁抗扰度> 200毫安
包装： SOP28 （ 300万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W（ WE）
E2 （ CE2 ）
A8
A9
A11
G（ OE ）
A10
E1 （ CE1 ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
没有连接
SOP
顶视图
2004年4月20日
1
U62H64
框图
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A4
A5
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
128行
64× 8列
列地址
输入
列解码器
DQ0
双向数据I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
V
SS
W
G
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年4月20日
U62H64
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
c
a
符号
V
CC
V
I
V
O
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-40
-40
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
85
125
150
200
单位
V
V
V
°C
°C
°C
mA
K型
A型
T
a
T
英镑
|I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为7 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
CC （ DR ）
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
V
V
-
0.8
V
CC
+ 0.3
在脉冲宽度为10 ns -2 V或-1 V的脉冲宽度为50ns
2004年4月20日
3
U62H64
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 35 ns的
分钟。
马克斯。
单位
50
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
= 5.5 V
V
CC
V
E1
= V
E2
= V
CC
- 0.2 V
K型
A型
= 5.5 V
V
CC
V
E1
= V
E2
= 2.2 V
= 2.0 V
V
CC （ DR ）
V
E1
= V
E2
= V
CC （ DR ）
- 0.2 V
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
=
=
=
=
=
=
=
=
4.5 V
-4.0毫安
4.5 V
8.0毫安
4.5 V
2.4 V
4.5 V
0.4 V
2.4
-
-
8.0
-
-2
5
100
5
（典型值2 ）
A
A
mA
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
电源电流 - 数据保留模式
I
CC(SB)1
I
CC （ DR ）
3
50
-
0.4
-4.0
-
2
-
A
A
V
V
mA
mA
A
A
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入高漏电流
输入低漏电流
输出漏电流
高在三态输出
在低三态输出
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
IH
I
IL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0V
I
OHZ
I
OLZ
-
-2
2
-
A
A
4
2004年4月20日
U62H64
符号
开关特性
时间到输出低-Z从
低E1或E2高
G拉低
W高
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
低E1或E2 HIGH到Power -UP
高E1或E2低到掉电
Alt键。
t
LZCE
t
LZOE
t
LZWE
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
t
PU
t
PD
IEC
t
烯（ E）
t
EN（ G）
t
EN（ W）
t
cW
t
cR
t
一（ E）
t
一（ G）
t
a(A)
t
w(W)
t
W（ E）
t
SU（ A）
t
SU（ E）
t
SU（ W）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
V（A）
t
DIS （ E）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
0
35
20
25
0
25
20
15
0
0
5
15
15
12
分钟。
马克斯。
单位
5
0
0
35
35
35
15
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
0.8 V
t
DR
数据保留
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
4.5 V
V
E2(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E2(DR)
≤
0.2 V
V
CC （ DR ）
- 0.2 V
≤
V
E1(DR)
≤
V
CC （ DR ）
+ 0.3 V
V
E1(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E1(DR)
≤
0.2 V
V
E2(DR)
≤
0.2 V
芯片取消到数据保留时间
操作恢复时间在V
CC （ DR ）
2004年4月20日
5
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
U62H64
汽车快速8K ×8 SRAM
特点
!
快8192 ×8位的静态CMOS
!
!
!
!
!
描述
该U62H64是一个静态RAM制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式：
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿
E1的边缘（在E 2 = H）。该
地址和控制输入端开路
同时。
根据W的信息
和G时，数据输入，或输出
是活动的。在读周期中，
数据输出被激活的
下降的G力，事后
数据字读将在
输出DQ0 - DQ7 。后
地址变化时，数据输出
进入高阻抗，直到新的读取Infor公司
息是可用的。数据输出
看跌不首选国家。如果
内存是由CMOS电平驱动
在活动状态，并且如果没有
地址变更，数据输入
和控制信号W或G，在
工作电流（在我
O
= 0 mA时）
下降到操作的值
当前，在待机模式。该
读周期由落下完
E 2或W ，或者由上升沿
，边缘E1分别。
数据保存期限保证下
2 V.
除E1和E2的，
所有投入由或非门的，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
这门电路
可以实现低功耗
通过激活待机要求
与TTL电平也。
!
!
!
!
!
!
!
!
!
内存
35 ns访问时间
双向数据输入和数据
输出
三态输出
在Vcc > 2V的数据保持方式
数据保持电流为2 V ：
< 3 μA （ K型）
< 50 μA （ A型）
待机电流
< 5 μA （ K型）
< 100 μA （ A型）
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围
-40到85°C
-40至125
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
闭锁抗扰度> 200毫安
包装： SOP28 （ 300万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W（ WE）
E2 （ CE2 ）
A8
A9
A11
G（ OE ）
A10
E1 （ CE1 ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
没有连接
SOP
顶视图
2004年4月20日
1
U62H64
框图
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A4
A5
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
128行
64× 8列
列地址
输入
列解码器
DQ0
双向数据I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
V
SS
W
G
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年4月20日
U62H64
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
c
a
符号
V
CC
V
I
V
O
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-40
-40
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
85
125
150
200
单位
V
V
V
°C
°C
°C
mA
K型
A型
T
a
T
英镑
|I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为7 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
CC （ DR ）
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
V
V
-
0.8
V
CC
+ 0.3
在脉冲宽度为10 ns -2 V或-1 V的脉冲宽度为50ns
2004年4月20日
3
U62H64
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 35 ns的
分钟。
马克斯。
单位
50
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
= 5.5 V
V
CC
V
E1
= V
E2
= V
CC
- 0.2 V
K型
A型
= 5.5 V
V
CC
V
E1
= V
E2
= 2.2 V
= 2.0 V
V
CC （ DR ）
V
E1
= V
E2
= V
CC （ DR ）
- 0.2 V
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
=
=
=
=
=
=
=
=
4.5 V
-4.0毫安
4.5 V
8.0毫安
4.5 V
2.4 V
4.5 V
0.4 V
2.4
-
-
8.0
-
-2
5
100
5
（典型值2 ）
A
A
mA
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
电源电流 - 数据保留模式
I
CC(SB)1
I
CC （ DR ）
3
50
-
0.4
-4.0
-
2
-
A
A
V
V
mA
mA
A
A
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入高漏电流
输入低漏电流
输出漏电流
高在三态输出
在低三态输出
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
IH
I
IL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0V
I
OHZ
I
OLZ
-
-2
2
-
A
A
4
2004年4月20日
U62H64
符号
开关特性
时间到输出低-Z从
低E1或E2高
G拉低
W高
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
低E1或E2 HIGH到Power -UP
高E1或E2低到掉电
Alt键。
t
LZCE
t
LZOE
t
LZWE
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
t
PU
t
PD
IEC
t
烯（ E）
t
EN（ G）
t
EN（ W）
t
cW
t
cR
t
一（ E）
t
一（ G）
t
a(A)
t
w(W)
t
W（ E）
t
SU（ A）
t
SU（ E）
t
SU（ W）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
V（A）
t
DIS （ E）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
0
35
20
25
0
25
20
15
0
0
5
15
15
12
分钟。
马克斯。
单位
5
0
0
35
35
35
15
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
0.8 V
t
DR
数据保留
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
4.5 V
V
E2(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E2(DR)
≤
0.2 V
V
CC （ DR ）
- 0.2 V
≤
V
E1(DR)
≤
V
CC （ DR ）
+ 0.3 V
V
E1(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E1(DR)
≤
0.2 V
V
E2(DR)
≤
0.2 V
芯片取消到数据保留时间
操作恢复时间在V
CC （ DR ）
2004年4月20日
5
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
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