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数据表
MOS场效应
PA1810
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
PA1810是它可以是一个开关器件
直接采用2.5 V电源驱动。
PA1810采用低导通电阻和
开关特性优良,并且适用于
应用,例如便携式计算机的电源开关
等等。
8
封装图(单位:mm )
5
1 ,5,8 :漏
2,3 ,6,7 :源
4
:门
1.2最大。
1.0±0.05
0.25
+5°
–3°
0.1±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
可以通过一个2.5 V电源驱动
低通态电阻
R
DS(on)1
= 55 mΩ以下。 (V
GS
= -4.5 V,I
D
= –2.0 A)
R
DS(on)2
= 60 mΩ以下。 (V
GS
= -4.0 V,I
D
= –2.0 A)
R
DS(on)3
= 100 m MAX 。 (V
GS
= -2.5 V,I
D
= –2.0 A)
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
PA1810GR-9JG
0.8最大。
0.10 M
0.1
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
等效电路
–12
10/+5
±4.0
±16
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
°C
°C
保护
二极管
来源
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
T
ch
T
英镑
二极管
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1 %
2
2.
装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时,一个额外的保护电路,如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D11819EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1999年6月NS CP ( K)
日本印刷
1996, 1999
PA1810
电气特性(T
A
= 25 °C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
测试条件
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±10 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
V
DS
= -10 V,I
D
= –2.0 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –2.0 A
V
GS
= -4.0 V,I
D
= –2.0 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= –2.0 A
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= –10 V
I
D
= –2.0 A
V
GS ( ON)
= –4.0 V
R
G
= 5
V
DD
= –10 V
I
D
= –4.0 A
V
GS
= –4.0 V
I
F
= 4.0 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 4.0 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
S
–0.5
2.5
–0.8
8.5
41
43
71
1100
750
240
40
100
90
70
35
5
16
0.75
50
35
55
60
100
分钟。
典型值。
马克斯。
–10
±10
–1.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
0 10 %
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
10 %
t
f
V
GS
I
G
= 2毫安
V
GS ( ON)
90 %
V
GS
电波表
R
L
V
DD
0
10 %
PG 。
50
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1 %
I
D
电波表
2
数据表D11819EJ1V0DS00
PA1810
典型特征(T
A
= 25
°
C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
正向偏置安全工作区
100
d
ITE V)
林4.5
n)
o
S(
=
R
GS
V
(@
I
D
(脉冲)
10
PW
ms
10
0m
s
DC
的dT - 降额因子 - %
I
D
- 漏电流 - 一个
80
=1
10
ms
I
D
(DC)的
60
1
40
0.1
T
A
= 25 C
单脉冲
安装在陶瓷
为50cm底
2
X 1.1毫米
20
0
30
60
90
120
150
0.01
0.1
1
10
100
T
A
- 环境温度 -
C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
传输特性
V
GS ( OFF )
- 门源截止电压 - V
100
10
1
V
DS =
10
V
门源截止电压主场迎战
通道温度
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
50
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
mA
I
D
- 漏电流 - 一个
0.1
0.01
0.001
0
T
A
= 125C
75C
25C
25C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
V
GS
- 门到SORCE电压 - V
T
ch
- 通道温度 - C
漏极至源极导通电阻与
漏电流
100
V
GS
=
2.5
V
100
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
DS
=
10V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向传递ADMMITTANCE比。
漏电流
10
T
A
=
25
C
25
C
75
C
125
C
80
T
A
= 125C
75C
60
25C
1
25C
40
0.1
0.1
1
10
100
20
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表D11819EJ1V0DS00
3
PA1810
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
80
V
GS
=
4.0
V
漏极至源极导通电阻与
通道温度
100
I
D
=
2.0
A
80
V
GS
=
2.5
V
60
60
T
A
= 125C
75C
4.0
V
40
25C
40
25C
20
0.01
0.1
1
10
100
20
50
T
ch
0
I
D
- 漏电流 - 一个
50
100
- 通道温度-C
150
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
80
西塞,科斯,的Crss - 电容 - pF的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
100
I
D
=
2.0
A
电容与漏极TO
源极电压
10000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
1000
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
100
40
20
0
2
4
10
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100
6
8
10
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
开关特性
1000
td
(上)
, TR , TD
(关闭)
, TF - Swwitchig时间 - NS
源极到漏极二极管的正向电压
100
tr
100
tf
td
(关闭)
td
(上)
V
DD
=
10
V
V
GS
(
on
) =
4.0
V
R
G
= 5
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
F
- 源极到漏极电流 - 一个
10
1
10
0.1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
4
数据表D11819EJ1V0DS00
PA1810
动态输入特性
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
10
8
6
4
2
I
D
=
4.0
A
V
DD
=
10
V
0
0
10
20
30
40
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
50
60
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
第(章-a)的
- 瞬态热阻 - C / W
安装在陶瓷
50厘米基底
2
X 1.1毫米
单脉冲
100
62.5C/W
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
数据表D11819EJ1V0DS00
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1810
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