特点

脉宽调制高达2 kHz的时钟频率

防止短路，负载突降过压和反向V

S

占空比为0 100 ％连续

输出级的功率MOSFET

干扰和破坏保护符合VDE 0839及ISO / TR 7637/1

电荷泵噪声抑制

接地线断线保护

描述

该U6084B是一个PWM -IC与设计的控制双极技术

用作高侧开关的N沟道功率MOSFET。该IC非常适合在使用

灯的亮度控制（调光），如仪表盘应用。对于恒

亮度，预选占空比可以自动的一个函数减小

电源电压。

图1 。

框图与外部电路

C

5

16

9

短路

锁定监控

5

RC振荡器

6

C

1

PWM

充电13

泵

逻辑

3

控制输入

产量

C

3

47 nF的

14

11

电流监测

+短路检测

12

R

sh

V

BATT

PWM电源

控制

自动

占空比

减少

U6084B

V

S

47 k

C

2

占空比

范围

0-100%

占空比

减少

4

电压

监测

1

启用/

关闭

2

150

R

3

地

牧师4677B -AUTO - 2月4日

引脚配置

图2中。

钉扎

GND

EN / DIS

VI

简

NC

OSC

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VS

NC

产量

2 VS

SENSE

延迟

NC

LATCH

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

符号

GND

EN / DIS

VI

简

NC

OSC

NC

NC

LATCH

NC

延迟

SENSE

2VS

产量

NC

VS

功能

IC地面

启用/禁用

控制输入（占空比）

占空比降低

衰减

振荡器

没有连接

没有连接

状态的短路闩

没有连接

短路保护延迟

电流检测

倍压

产量

没有连接

电源电压V

S

2

U6084B

4677B–AUTO–02/04

U6084B

功能说明

PIN1 - GND

接地线断线

为了保护FET的情况下接地线断裂，门之间的820 kΩ电阻

和源建议，提供适当的开关通断状态。

调光器可被开启或关闭，以销2，独立地设定的占空比。

表1中。

2脚功能

V

2

约> 0.7 V或开路

< 0.7 V或连接到引脚1

功能

关闭

启用

引脚2 - 启用/禁用

3脚 - 控制输入

脉冲宽度是由外部电位器（47千欧）来控制。在煤焦

动感画（旋转/占空比的角度）是线性的。占空比可以从0变化到

的100％。有可能进一步限制占空比与电阻器R

1

和R

2

（见图3 8页）。

3脚进行保护，防止短路到V

BATT

和地线GND （V

BATT

≤

16.5 V).

引脚4 - 占空比

减少

根据图3与4脚连接第8页上，该组的占空比减小到

V

BATT

≈

12.5 V.这会导致FET中，并在灯的功率降低。此外，

灯的亮度是基本上独立的电源电压范围内，

V

BATT

= 12.5 16 V.

上升和下降时间（t

r

, t

f

）灯电压可以被限制，以减少无线电干扰

ENCE 。这是用一种控制功率MOSFET作为源的积分器进行

跟随者。斜坡时间由外部电容器C的控制

4

和振荡器电流

租（见图3第8页） 。

计算方法：

C

4

-

t

f

= t

r

= V

BATT

×

--------

I

OSC

输出斜率控制

随着V

BATT

= 12 V ，C

4

= 470 pF和我

OSC

= 40 μA ，因此，我们得到的斜率控制

470 pF的

-

t

f

= t

r

= 12 V

×

-----------------

×

141 s

40 A

引脚5 - 衰减

引脚6 - 振荡器

电容C

4

连接到引脚5阻尼振荡的倾向。

振荡器决定输出电压的频率。这是由一个定义的

外部电容C

2

。它被充电用恒定电流I，直到在上开关

阈值被达到。第二电流源，然后激活该丝锥的双重电流

租金， 2

×

一，从所述充电电流。的电容C

2

是通过这样喷出

电流I ，直到下切换阈值被达到。第二个来源是再

再次关闭并且过程开始一次。

3

4677B–AUTO–02/04

例如振荡器

频率计算

V

T100

= V

S

× α

1

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

1

V

T<100

= V

S

× α

2

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

2

V

TL

= V

S

× α

3

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

3

哪里

V

T100

=高开关阈值的100 ％占空比

V

T<100

=高开关阈值< 100 ％占空比

V

TL

=低开关阈值

α

1

,

α

2

和

α

3

是固定值

上述阈值电压计算中所给出的以下值

数据表。

V

BATT

= 12 V，I

S

= 4毫安，R

3

= 150

,

α

1

= 0.7,

α

2

= 0.67

α

3

= 0.28.

V

T100

= （ 12 V - 4毫安

×

150

) ×

0.7

≈

8 V

V

T<100

= 11.4 V

×

0.67 = 7.6 V

V

TL

= 11.4 V

×

0.28 = 3.2 V

为100％时，振荡器频率f的占空比，如下所示：

I

OSC

f = -----------------------------------------------------------

其中C

2

= 22 nF的我

OSC

= 40 A

-

2

× (

V

T100

–

V

TL

) ×

C

2

因此：

40 A

F = ------------------------------------------------ ------------------ = 189赫兹

-

2

× (

8 V

–

3.2 V

) ×

22 nF的

对于小于100％时，振荡器频率f的占空比，如下所示：

I

OSC

f

= ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

-

2

× (

V

T<100

–

V

TL

) ×

C

2

+

4

×

V

BATT

×

C

4

其中C

4

= 470 pF的

40 A

F = ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ = 185赫兹

-

2

× (

7.6 V

–

3.2 V

) ×

22 nF的+ 4

×

12 V

×

470 pF的

精选的C不同的价值观

2

和C

4

提供了一个范围的振荡器频率

从10到2000赫兹。

销7 ，8，10和15

引脚9 - 状态短

电路的锁存器

未连接。

短路锁存器的状态可以通过销9 （集电极开路输出）进行监测。

表2中。

引脚9功能

9针

L

H

功能

短路检测

没有短路检测

4

U6084B

4677B–AUTO–02/04

U6084B

引脚11和12 - 短路保护和电流感应

短路检测和

延时T

d

灯电流由外部分流电阻法监测。如果灯电流

超过该阈值的短路检测电路（Ⅴ

T2

≈

90毫伏） ，占空比

被切换到100％和电容器C

5

由20微安的电流源充电

(I

ch

- I

DIS

） 。外部FET的截止阈值后，关闭（V

T11

）被达到。

只有在上电复位重新接通场效应管是可能的。趋势/涌流

资料来源，我

DIS

，确保电容C

5

不受寄生电流充电。电容C

5

由我出院

DIS

以典型。 0.7 V.

时间延迟，T

d

，如下所示：

(

V

11

–

0.7 V

)

-

t

d

= C

5

×

---------------------------------

(

I

ch

–

I

DIS

)

用C

5

= 330 nF的和V

BATT

= 12 V ，我们有

(

9.8 V

–

0.7 V

)

t

d

= 330 nF的

×

-------------------------------------- = 150毫秒

20

A

电流限制

灯电流是由一个控制放大器，保护外部功率晶体管不限

器。通过一个外部分流电阻上的电压降作为测量变量。

电流限制发生了V的电压降

T1

≈

100毫伏。由于存在差

ENCE V

T

- V

T2

≈

10毫伏，电流限制时才会发生的短路检测

电路回应。

一个上电复位后，其输出是无效的半周期的振荡器。在这段时间内，

电源电压的电容器可以被充电，使得电流限制是有保证的

短路的情况下，当IC被接通的第一次。

引脚13和14 - 费

泵和输出

销14 （输出）是适于控制功率MOSFET。在积极整合

相，该运算放大器的电源电流通过电容器C主要供给

3

（引导） 。此外，涓流充电是由一个集成的振荡器产生

(f

13

≈

400千赫兹）和倍压电路。这允许栅极电压供给以

的占空比为100％ 。

引脚16 - 电源电压，

V

s

或V

BATT

欠压检测

中的近似V电压的情况下

BATT

< 5.0 V ，外部FET关闭

和锁存器，用于短路检测复位。

滞后确保FET接通再次约为V

BATT

≥

5.4 V.

过压检测

第1阶段

如果V的过压

BATT

> 20 V （典型地）发生，则外部晶体管被关断，并

再次开启在V

BATT

< 18.5 V（滞后） 。

如果V

BATT

> 28.5 V（典型的） ，在IC的电压限制在26至20V降低

外部晶体管的栅极保持在上述IC接地的电势，从而亲

场效应管和灯的过电压脉冲的事件之间ducing电压交流

（如负载突降） 。短路保护不动作。在V

BATT

< 23 V时，

过压检测台2处于关闭状态。

第2阶段

5

4677B–AUTO–02/04

U6084B

PWM功率控制，具有自动占空比降低

描述

的U6084B是双极技术的PWM集成电路设计的

对于一个N沟道功率MOSFET用作控制

高侧开关。该IC非常适合于亮度使用

灯的控制（调光） ，如在仪表板

应用程序。对于恒定的亮度预选

占空比可以自动的一个函数被减少

电源电压。

特点

D

脉冲宽度调制高达2 kHz的时钟频率

D

防止短路，负载突降

过压和反向V

S

D

根据干扰和破坏保护

VDE 0839及ISO / TR 7637/1 。

D

占空比为0 100 ％连续

D

输出级的功率MOSFET

D

电荷泵噪声抑制

D

接地线断线保护

订购信息

扩展型数

U6084B–FP

包

SO16

备注

框图

C

5

V

S

16

9

短路

锁定监控

5

6

C

1

47 k

W

3

C

2

控制输入

RC振荡器

PWM

逻辑

产量

14

收费

泵

13

C

3

47 nF的

11

电流监测

+短路检测

12

R

sh

V

BATT

占空比

范围

0–100%

占空比

减少

4

C

6

电压

监测

1

启用/

关闭

2

95 9751

150

W

R

3

地

与外部电路如图1框图

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

1 (8)

U6084B

引脚说明

GND

恩/ DIS

V

I

简

1

2

3

4

16

15

14

13

12

11

10

9

95 9754

V

S

NC

产量

2 V

S

SENSE

延迟

NC

LATCH

衰减5

OSC

NC

NC

6

7

8

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

符号

GND

恩/ DIS

V

I

简

NC

OSC

NC

NC

LATCH

NC

延迟

SENSE

2V

S

产量

NC

V

S

功能

IC地面

启用/禁用

控制输入（占空比）

占空比降低

衰减

振荡器

没有连接

没有连接

状态短路闭锁

没有连接

短路保护延迟

电流检测

倍压

产量

没有连接

电源电压V

S

功能说明

PIN1 ， GND

接地线断线

保护FET中的接地线断裂的情况下，

一个820

W

栅极和源极之间的电阻，其是中建议

谁料，提供适当的关断状态。

4脚，占空比减少

与引脚4根据图2 ，设置连接值班

12.5五，这会导致一个

周期被降低从V

BATT

功率降低FET中，并在灯。此外，

灯的亮度是基本上独立的

电源电压范围，V

BATT

= 12.5 16 V.



输出斜率控制

上升和下降时间（t

r

, t

f

）灯电压可以是

限制，减少无线电干扰。这是用做

积分器，其控制功率MOSFET的源极跟着

低。斜坡时间由外部控制

电容器C4和振荡器的电流（见图2） 。

计算方法：

t

f

r

引脚2 ，启用/禁用

调光器可以打开或关闭引脚2 indepen-

dently设定占空比。

V

2

约。 >0.7 V或开路

< 0.7 V或连接到引脚1

功能

关闭

启用

C

4

I

OSC

随着V

BATT

= 12 V ，C

4

= 470 pF和我

OSC

= 40

m

A，因此我们

获得的受控斜率

BATT

+

t

+

V

r

3脚，控制输入

脉冲宽度是由外部宝的手段控制

tentiometer （ 47

W

） 。的特性（角度

旋转/占空比）是线性的。占空比可变化

从0到100 ％。有可能进一步限制占空比

周期与电阻器R

1

和R

2

（参见图2） 。

3脚进行保护，防止短路到V

BATT

和地面

GND （V

BATT

16.5 V).

t

f

+

t

+

12 V

470 pF的

40

m

A

+

141

m

s

5脚，衰减

电容C

4

连接到引脚5阻尼振荡

倾向。

6脚，振荡器

振荡器确定输出的频率

电压。这是由一个外部电容C定义

2

。这是

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

x

2 (8)

U6084B

充电用恒定电流I，直到上部开关

荷兰国际集团阈值被达到。第二电流源是再

激活该水龙头双电流， 2 I ，从

充电电流。的电容C

2

，通过由此排放

的电流I ，直到下切换阈值

抵达。第二源，然后再次关闭和

程序启动一次。

例如振荡器频率计算

V

T100

精选的C不同的价值观

2

和C

4

提供了一个

范围振荡频率f ，从10到2000赫兹的。

销7 ，8，10和15

未连接。

+

V

V

+

V

V

+

V

S

T 100

TL

S

S

+

(V

*

I

a

+

(V

*

I

a

+

(V

*

I

a

3

1

BATT

S

2

BATT

BATT

S

R

3

)

S

a

a

3

1

引脚9 ，状态短路闭锁

2

R

3

)

R

3

)

a

短路闭锁的状态可以通过监视

引脚9 （集电极开路输出） 。

9针

L

H

功能

短路检测

无短路检测

哪里

V

T100

+

高的开关阈值（100 ％占空比）

V

T

t

100

V

TL

a

1

,

a

2

和

a

3

是固定不变的。

+

低开关阈值

+

高开关阈值（

t

100％占空比）

销11和12中，短路保护

和电流检测

1.短路检测与时延，T

d

灯电流由外部来监测

分流电阻器。如果灯电流超过阈值

为短路检测电路（Ⅴ

T2

90毫伏） ，在

占空比被切换到100％，并且电容器C

5

由20的电流源充电

m

A（I

ch

– I

DIS

） 。该

外接FET后，截止门槛关闭

(V

T11

）被达到。重新接通场效应管是POS-

只有在上电复位sible 。电流源，我

DIS ，

确保电容器C

5

不受寄生充电

电流。电容C

5

由我出院

DIS

以典型。

0.7 V.

V

BATT

= 12 V，I

S

= 4毫安，R

3

= 150

W

,

a

1

= 0.7,

a

2

= 0.67

a

3

= 0.28.

V

T100

上述阈值电压的计算

在数据表中给出的以下值。

+

(12 V

*

4毫安150

W

)

V

t

+

11.4 V 0.67

+

7.6 V

V

+

11.4 V 0.28

+

3.2 V

T 100

TL

0.7

[

8 V



为100 ％时，振荡器的频率f的占空比，是

如下：

f

+

2

+

2

+

2

I

OSC

(V

T100

*

V

TL

)

C

2

，其中C

2

22 nF的

40

m

A

我

OSC

+

+

因此：

f

40

m

A

(8 V 3.2 V)

时间延迟，T

d

，如下所示：

22 nF的

*

+

189赫兹

t

d

+

C

@

(V

*

0.7 V） （我

*

I

5

T11

ch

DIS

)

为小于100 ％的占空比，则振荡器的频

昆西中，f ，如下所示：

f

(V

T

t

100

*

I

OSC

V

TL

) C

2

)

4

)

4

用C

5

= 330 nF的和V

BATT

= 12 V ，我们有

V

BATT

C

4

t

d

12 V

470 pF的

而

C

4

= 470 pF的

7.6 V

+

2

+

185赫兹

*

3.2 V

40 A

22 nF的

m

+

330 nF的

@

(9.8 V

*

0.7 V) 20

m

A

+

150毫秒。

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

3 (8)

U6084B

2.电流限制

灯电流由控制放大器限于该

保护外部功率晶体管。上的电压降

通过一个外部分流电阻作为测量VARI-

能。电流限制发生了的电压降

超欠

to

该

区别

V

T1

100毫伏。

V

T1

–V

T2

10毫伏，电流限制，只有当发生

短路检测电路回应。

一个上电复位后，其输出是无效的半

振荡周期。在此期间，电源电压钙

pacitor可以充电的电流的限制是

保证在发生短路的情况下，当IC处于

接通是第一次。

引脚16 ，电源电压，V

s

或V

BATT

欠压检测：

在约的电压的情况下。 V

BATT

< 5.0 V时， EX-

ternal场效应管被关断和闩锁短路

检测被复位。

滞后确保FET接通再次

大约V

BATT

5.4 V.

过压检测

第1阶段

如果过电压V

BATT

> 20 V （典型值）发生，外部

晶体管被关断和再次接通时

V

BATT

< 18.5 V（滞后） 。

第2阶段

如果V

BATT

> 28.5 V（典型值） ，该IC的电压限制

从外部的26至20V的栅极减压

晶体管保持在上述IC接地的电位，从而

在FET和灯之间产生交流电压

过压的情况下脉冲发生的历史（如负载突降） 。

短路保护不动作。在

V

BATT

< 23 V时，过压检测第2阶段是

关闭。







引脚13和14 ，电荷泵和输出

输出，引脚14 ，适用于控制电源MOSFET导

FET 。在积极整合阶段，供应

所述运算放大器的电流主要是由供给

电容C

3

（引导） 。此外，涓涓细流

电荷由一个集成的振荡器产生

(f

13

400千赫兹）和倍压电路。这per-

MITS栅极电压供给，在100 ％的占空比。



绝对最大额定值

参数

结温

环境温度范围

存储温度范围

符号

T

j

T

AMB

T

英镑

价值

150

-40到+110

-55到+125

单位

°C

°C

°C

热阻

参数

交界处的环境

符号

R

thJA

价值

120

单位

K / W

电气特性

T

AMB

= -40+ 110C ，V

BATT

= 9 16.5 V ，参考点地（基本功能的6.0 V至9.0 V保证）

除非另有说明（参见图1） 。所有其他值参考GND引脚（引脚1 ） 。

参数

消耗电流

电源电压

稳压

电池欠压

发现

4 (8)

测试条件/销

PIN码16

过压检测，

第1阶段

I

S

= 10毫安

PIN码16

= ON

=关闭

符号

I

S

V

BATT

V

S

V

BATT

分钟。

典型值。

马克斯。

6.8

25

27.0

5.6

6.0

单位

mA

V

V

V

24.5

4.4

4.8

5.0

5.4

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

U6084B

参数

测试条件/销

电池过压检测

销2

阶段1：

= ON

=关闭

第2阶段：

= ON

=关闭

稳压

I

S

= 30毫安

PIN码16

短路保护

引脚12

短路电流极限值V

T1

= V

S

– V

12

化

短路检测

V

T2

= V

S

– V

12

延时定时器短路检测

引脚11

关闭门槛

V

T11

= V

S

– V

11

充电电流

Dicharge电流

电容电流

I

5

= I

ch

– I

DIS

输出短路闭锁

9针

饱和电压

I

9

= 100

m

A

倍压

引脚13

电压

占空比100 ％

振荡器频率

内部电压限制

I

13

= 5毫安

g

（取低级）

门输出

引脚14

电压

g

低层

V

BATT

= 16.5 V,

T

AMB

= 110

°C,

R

3

= 150

W

高的水平，

占空比100 ％

当前

V

14

= LOW LEVEL

V

14

=高的水平，我

13

> |我

14

|

符号

V

BATT

V

BATT

V

Z

V

T1

V

T2

V

T1

– V

T2

分钟。

18.3

16.7

25.5

19.5

18.5

85

75

3

9.5

典型值。

20.0

18.5

28.5

23.0

20.0

100

90

10

9.8

23

3

20

150

马克斯。

21.7

20.3

32.5

26.5

21.5

120

105

30

10.1

单位

V

V

V

mV

mV

mV

V

m

A

m

A

mA

mV

V

T11

I

ch

I

DIS

I

5

V

SAT

V

13

f

13

V

13

V

13

V

14

13

27

350

2 V

S

280

26

(V

S+14

)

0.35

400

27.5

(V

S+15

)

0.70

520

30.0

(V

S+16

)

0.95

1.5 *)

千赫

V

V

V

14

I

14

1.0

–1.0

–20

6.9

10

0.68

0.65

0.26

26

6.0

V

13

mA

启用/禁用

当前

占空比降低

Z-电压

振荡器

频率

阈值循环

上

销2

V

2

= 0 V

I

4

= 500

m

A

引脚4

V

4

Pin6

V

T100

V

S

V

T

t

100

V

S

7.4

8.0

2000

0.72

0.69

0.3

54

13.5

I

2

–40

–60

m

A

V

Hz

V

14

V

14

低

振荡器电流

频率容差

*)

a

3

+

高，

a

+

+

低，

a

+

+

V

V

1

2

TL

S

a

1

a

2

a

3

f

0.7

0.67

0.28

40

9.9

V

BATT

= 12 V

C

4

打开，C

2

= 470 nF的，

占空比= 50 ％



I

OSC

f

m

A

Hz

参考点是电池地上。

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

5 (8)

特点

脉宽调制高达2 kHz的时钟频率

防止短路，负载突降过压和反向V

S

占空比为0 100 ％连续

输出级的功率MOSFET

干扰和破坏保护符合VDE 0839及ISO / TR 7637/1

电荷泵噪声抑制

接地线断线保护

描述

该U6084B是一个PWM -IC与设计的控制双极技术

用作高侧开关的N沟道功率MOSFET。该IC非常适合在使用

灯的亮度控制（调光），如仪表盘应用。对于恒

亮度，预选占空比可以自动的一个函数减小

电源电压。

图1 。

框图与外部电路

C

5

16

9

短路

锁定监控

5

RC振荡器

6

C

1

PWM

充电13

泵

逻辑

3

控制输入

产量

C

3

47 nF的

14

11

电流监测

+短路检测

12

R

sh

V

BATT

PWM电源

控制

自动

占空比

减少

U6084B

V

S

47 k

C

2

占空比

范围

0-100%

占空比

减少

4

电压

监测

1

启用/

关闭

2

150

R

3

地

牧师4677B -AUTO - 2月4日

引脚配置

图2中。

钉扎

GND

EN / DIS

VI

简

NC

OSC

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VS

NC

产量

2 VS

SENSE

延迟

NC

LATCH

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

符号

GND

EN / DIS

VI

简

NC

OSC

NC

NC

LATCH

NC

延迟

SENSE

2VS

产量

NC

VS

功能

IC地面

启用/禁用

控制输入（占空比）

占空比降低

衰减

振荡器

没有连接

没有连接

状态的短路闩

没有连接

短路保护延迟

电流检测

倍压

产量

没有连接

电源电压V

S

2

U6084B

4677B–AUTO–02/04

U6084B

功能说明

PIN1 - GND

接地线断线

为了保护FET的情况下接地线断裂，门之间的820 kΩ电阻

和源建议，提供适当的开关通断状态。

调光器可被开启或关闭，以销2，独立地设定的占空比。

表1中。

2脚功能

V

2

约> 0.7 V或开路

< 0.7 V或连接到引脚1

功能

关闭

启用

引脚2 - 启用/禁用

3脚 - 控制输入

脉冲宽度是由外部电位器（47千欧）来控制。在煤焦

动感画（旋转/占空比的角度）是线性的。占空比可以从0变化到

的100％。有可能进一步限制占空比与电阻器R

1

和R

2

（见图3 8页）。

3脚进行保护，防止短路到V

BATT

和地线GND （V

BATT

≤

16.5 V).

引脚4 - 占空比

减少

根据图3与4脚连接第8页上，该组的占空比减小到

V

BATT

≈

12.5 V.这会导致FET中，并在灯的功率降低。此外，

灯的亮度是基本上独立的电源电压范围内，

V

BATT

= 12.5 16 V.

上升和下降时间（t

r

, t

f

）灯电压可以被限制，以减少无线电干扰

ENCE 。这是用一种控制功率MOSFET作为源的积分器进行

跟随者。斜坡时间由外部电容器C的控制

4

和振荡器电流

租（见图3第8页） 。

计算方法：

C

4

-

t

f

= t

r

= V

BATT

×

--------

I

OSC

输出斜率控制

随着V

BATT

= 12 V ，C

4

= 470 pF和我

OSC

= 40 μA ，因此，我们得到的斜率控制

470 pF的

-

t

f

= t

r

= 12 V

×

-----------------

×

141 s

40 A

引脚5 - 衰减

引脚6 - 振荡器

电容C

4

连接到引脚5阻尼振荡的倾向。

振荡器决定输出电压的频率。这是由一个定义的

外部电容C

2

。它被充电用恒定电流I，直到在上开关

阈值被达到。第二电流源，然后激活该丝锥的双重电流

租金， 2

×

一，从所述充电电流。的电容C

2

是通过这样喷出

电流I ，直到下切换阈值被达到。第二个来源是再

再次关闭并且过程开始一次。

3

4677B–AUTO–02/04

例如振荡器

频率计算

V

T100

= V

S

× α

1

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

1

V

T<100

= V

S

× α

2

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

2

V

TL

= V

S

× α

3

=

(

V

BATT

–

I

S

×

R

3

) × α

3

哪里

V

T100

=高开关阈值的100 ％占空比

V

T<100

=高开关阈值< 100 ％占空比

V

TL

=低开关阈值

α

1

,

α

2

和

α

3

是固定值

上述阈值电压计算中所给出的以下值

数据表。

V

BATT

= 12 V，I

S

= 4毫安，R

3

= 150

,

α

1

= 0.7,

α

2

= 0.67

α

3

= 0.28.

V

T100

= （ 12 V - 4毫安

×

150

) ×

0.7

≈

8 V

V

T<100

= 11.4 V

×

0.67 = 7.6 V

V

TL

= 11.4 V

×

0.28 = 3.2 V

为100％时，振荡器频率f的占空比，如下所示：

I

OSC

f = -----------------------------------------------------------

其中C

2

= 22 nF的我

OSC

= 40 A

-

2

× (

V

T100

–

V

TL

) ×

C

2

因此：

40 A

F = ------------------------------------------------ ------------------ = 189赫兹

-

2

× (

8 V

–

3.2 V

) ×

22 nF的

对于小于100％时，振荡器频率f的占空比，如下所示：

I

OSC

f

= ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

-

2

× (

V

T<100

–

V

TL

) ×

C

2

+

4

×

V

BATT

×

C

4

其中C

4

= 470 pF的

40 A

F = ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ = 185赫兹

-

2

× (

7.6 V

–

3.2 V

) ×

22 nF的+ 4

×

12 V

×

470 pF的

精选的C不同的价值观

2

和C

4

提供了一个范围的振荡器频率

从10到2000赫兹。

销7 ，8，10和15

引脚9 - 状态短

电路的锁存器

未连接。

短路锁存器的状态可以通过销9 （集电极开路输出）进行监测。

表2中。

引脚9功能

9针

L

H

功能

短路检测

没有短路检测

4

U6084B

4677B–AUTO–02/04

U6084B

引脚11和12 - 短路保护和电流感应

短路检测和

延时T

d

灯电流由外部分流电阻法监测。如果灯电流

超过该阈值的短路检测电路（Ⅴ

T2

≈

90毫伏） ，占空比

被切换到100％和电容器C

5

由20微安的电流源充电

(I

ch

- I

DIS

） 。外部FET的截止阈值后，关闭（V

T11

）被达到。

只有在上电复位重新接通场效应管是可能的。趋势/涌流

资料来源，我

DIS

，确保电容C

5

不受寄生电流充电。电容C

5

由我出院

DIS

以典型。 0.7 V.

时间延迟，T

d

，如下所示：

(

V

11

–

0.7 V

)

-

t

d

= C

5

×

---------------------------------

(

I

ch

–

I

DIS

)

用C

5

= 330 nF的和V

BATT

= 12 V ，我们有

(

9.8 V

–

0.7 V

)

t

d

= 330 nF的

×

-------------------------------------- = 150毫秒

20

A

电流限制

灯电流是由一个控制放大器，保护外部功率晶体管不限

器。通过一个外部分流电阻上的电压降作为测量变量。

电流限制发生了V的电压降

T1

≈

100毫伏。由于存在差

ENCE V

T

- V

T2

≈

10毫伏，电流限制时才会发生的短路检测

电路回应。

一个上电复位后，其输出是无效的半周期的振荡器。在这段时间内，

电源电压的电容器可以被充电，使得电流限制是有保证的

短路的情况下，当IC被接通的第一次。

引脚13和14 - 费

泵和输出

销14 （输出）是适于控制功率MOSFET。在积极整合

相，该运算放大器的电源电流通过电容器C主要供给

3

（引导） 。此外，涓流充电是由一个集成的振荡器产生

(f

13

≈

400千赫兹）和倍压电路。这允许栅极电压供给以

的占空比为100％ 。

引脚16 - 电源电压，

V

s

或V

BATT

欠压检测

中的近似V电压的情况下

BATT

< 5.0 V ，外部FET关闭

和锁存器，用于短路检测复位。

滞后确保FET接通再次约为V

BATT

≥

5.4 V.

过压检测

第1阶段

如果V的过压

BATT

> 20 V （典型地）发生，则外部晶体管被关断，并

再次开启在V

BATT

< 18.5 V（滞后） 。

如果V

BATT

> 28.5 V（典型的） ，在IC的电压限制在26至20V降低

外部晶体管的栅极保持在上述IC接地的电势，从而亲

场效应管和灯的过电压脉冲的事件之间ducing电压交流

（如负载突降） 。短路保护不动作。在V

BATT

< 23 V时，

过压检测台2处于关闭状态。

第2阶段

5

4677B–AUTO–02/04

U6084B

PWM功率控制，具有自动占空比降低

描述

的U6084B是双极技术的PWM集成电路设计的

对于一个N沟道功率MOSFET用作控制

高侧开关。该IC非常适合于亮度使用

灯的控制（调光） ，如在仪表板

应用程序。对于恒定的亮度预选

占空比可以自动的一个函数被减少

电源电压。

特点

D

脉冲宽度调制高达2 kHz的时钟频率

D

防止短路，负载突降

过压和反向V

S

D

根据干扰和破坏保护

VDE 0839及ISO / TR 7637/1 。

D

占空比为0 100 ％连续

D

输出级的功率MOSFET

D

电荷泵噪声抑制

D

接地线断线保护

订购信息

扩展型数

U6084B–FP

包

SO16

备注

框图

C

5

V

S

16

9

短路

锁定监控

5

6

C

1

47 k

W

3

C

2

控制输入

RC振荡器

PWM

逻辑

产量

14

收费

泵

13

C

3

47 nF的

11

电流监测

+短路检测

12

R

sh

V

BATT

占空比

范围

0–100%

占空比

减少

4

C

6

电压

监测

1

启用/

关闭

2

95 9751

150

W

R

3

地

与外部电路如图1框图

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

1 (8)

U6084B

引脚说明

GND

恩/ DIS

V

I

简

1

2

3

4

16

15

14

13

12

11

10

9

95 9754

V

S

NC

产量

2 V

S

SENSE

延迟

NC

LATCH

衰减5

OSC

NC

NC

6

7

8

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

符号

GND

恩/ DIS

V

I

简

NC

OSC

NC

NC

LATCH

NC

延迟

SENSE

2V

S

产量

NC

V

S

功能

IC地面

启用/禁用

控制输入（占空比）

占空比降低

衰减

振荡器

没有连接

没有连接

状态短路闭锁

没有连接

短路保护延迟

电流检测

倍压

产量

没有连接

电源电压V

S

功能说明

PIN1 ， GND

接地线断线

保护FET中的接地线断裂的情况下，

一个820

W

栅极和源极之间的电阻，其是中建议

谁料，提供适当的关断状态。

4脚，占空比减少

与引脚4根据图2 ，设置连接值班

12.5五，这会导致一个

周期被降低从V

BATT

功率降低FET中，并在灯。此外，

灯的亮度是基本上独立的

电源电压范围，V

BATT

= 12.5 16 V.



输出斜率控制

上升和下降时间（t

r

, t

f

）灯电压可以是

限制，减少无线电干扰。这是用做

积分器，其控制功率MOSFET的源极跟着

低。斜坡时间由外部控制

电容器C4和振荡器的电流（见图2） 。

计算方法：

t

f

r

引脚2 ，启用/禁用

调光器可以打开或关闭引脚2 indepen-

dently设定占空比。

V

2

约。 >0.7 V或开路

< 0.7 V或连接到引脚1

功能

关闭

启用

C

4

I

OSC

随着V

BATT

= 12 V ，C

4

= 470 pF和我

OSC

= 40

m

A，因此我们

获得的受控斜率

BATT

+

t

+

V

r

3脚，控制输入

脉冲宽度是由外部宝的手段控制

tentiometer （ 47

W

） 。的特性（角度

旋转/占空比）是线性的。占空比可变化

从0到100 ％。有可能进一步限制占空比

周期与电阻器R

1

和R

2

（参见图2） 。

3脚进行保护，防止短路到V

BATT

和地面

GND （V

BATT

16.5 V).

t

f

+

t

+

12 V

470 pF的

40

m

A

+

141

m

s

5脚，衰减

电容C

4

连接到引脚5阻尼振荡

倾向。

6脚，振荡器

振荡器确定输出的频率

电压。这是由一个外部电容C定义

2

。这是

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

x

2 (8)

U6084B

充电用恒定电流I，直到上部开关

荷兰国际集团阈值被达到。第二电流源是再

激活该水龙头双电流， 2 I ，从

充电电流。的电容C

2

，通过由此排放

的电流I ，直到下切换阈值

抵达。第二源，然后再次关闭和

程序启动一次。

例如振荡器频率计算

V

T100

精选的C不同的价值观

2

和C

4

提供了一个

范围振荡频率f ，从10到2000赫兹的。

销7 ，8，10和15

未连接。

+

V

V

+

V

V

+

V

S

T 100

TL

S

S

+

(V

*

I

a

+

(V

*

I

a

+

(V

*

I

a

3

1

BATT

S

2

BATT

BATT

S

R

3

)

S

a

a

3

1

引脚9 ，状态短路闭锁

2

R

3

)

R

3

)

a

短路闭锁的状态可以通过监视

引脚9 （集电极开路输出） 。

9针

L

H

功能

短路检测

无短路检测

哪里

V

T100

+

高的开关阈值（100 ％占空比）

V

T

t

100

V

TL

a

1

,

a

2

和

a

3

是固定不变的。

+

低开关阈值

+

高开关阈值（

t

100％占空比）

销11和12中，短路保护

和电流检测

1.短路检测与时延，T

d

灯电流由外部来监测

分流电阻器。如果灯电流超过阈值

为短路检测电路（Ⅴ

T2

90毫伏） ，在

占空比被切换到100％，并且电容器C

5

由20的电流源充电

m

A（I

ch

– I

DIS

） 。该

外接FET后，截止门槛关闭

(V

T11

）被达到。重新接通场效应管是POS-

只有在上电复位sible 。电流源，我

DIS ，

确保电容器C

5

不受寄生充电

电流。电容C

5

由我出院

DIS

以典型。

0.7 V.

V

BATT

= 12 V，I

S

= 4毫安，R

3

= 150

W

,

a

1

= 0.7,

a

2

= 0.67

a

3

= 0.28.

V

T100

上述阈值电压的计算

在数据表中给出的以下值。

+

(12 V

*

4毫安150

W

)

V

t

+

11.4 V 0.67

+

7.6 V

V

+

11.4 V 0.28

+

3.2 V

T 100

TL

0.7

[

8 V



为100 ％时，振荡器的频率f的占空比，是

如下：

f

+

2

+

2

+

2

I

OSC

(V

T100

*

V

TL

)

C

2

，其中C

2

22 nF的

40

m

A

我

OSC

+

+

因此：

f

40

m

A

(8 V 3.2 V)

时间延迟，T

d

，如下所示：

22 nF的

*

+

189赫兹

t

d

+

C

@

(V

*

0.7 V） （我

*

I

5

T11

ch

DIS

)

为小于100 ％的占空比，则振荡器的频

昆西中，f ，如下所示：

f

(V

T

t

100

*

I

OSC

V

TL

) C

2

)

4

)

4

用C

5

= 330 nF的和V

BATT

= 12 V ，我们有

V

BATT

C

4

t

d

12 V

470 pF的

而

C

4

= 470 pF的

7.6 V

+

2

+

185赫兹

*

3.2 V

40 A

22 nF的

m

+

330 nF的

@

(9.8 V

*

0.7 V) 20

m

A

+

150毫秒。

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

3 (8)

U6084B

2.电流限制

灯电流由控制放大器限于该

保护外部功率晶体管。上的电压降

通过一个外部分流电阻作为测量VARI-

能。电流限制发生了的电压降

超欠

to

该

区别

V

T1

100毫伏。

V

T1

–V

T2

10毫伏，电流限制，只有当发生

短路检测电路回应。

一个上电复位后，其输出是无效的半

振荡周期。在此期间，电源电压钙

pacitor可以充电的电流的限制是

保证在发生短路的情况下，当IC处于

接通是第一次。

引脚16 ，电源电压，V

s

或V

BATT

欠压检测：

在约的电压的情况下。 V

BATT

< 5.0 V时， EX-

ternal场效应管被关断和闩锁短路

检测被复位。

滞后确保FET接通再次

大约V

BATT

5.4 V.

过压检测

第1阶段

如果过电压V

BATT

> 20 V （典型值）发生，外部

晶体管被关断和再次接通时

V

BATT

< 18.5 V（滞后） 。

第2阶段

如果V

BATT

> 28.5 V（典型值） ，该IC的电压限制

从外部的26至20V的栅极减压

晶体管保持在上述IC接地的电位，从而

在FET和灯之间产生交流电压

过压的情况下脉冲发生的历史（如负载突降） 。

短路保护不动作。在

V

BATT

< 23 V时，过压检测第2阶段是

关闭。







引脚13和14 ，电荷泵和输出

输出，引脚14 ，适用于控制电源MOSFET导

FET 。在积极整合阶段，供应

所述运算放大器的电流主要是由供给

电容C

3

（引导） 。此外，涓涓细流

电荷由一个集成的振荡器产生

(f

13

400千赫兹）和倍压电路。这per-

MITS栅极电压供给，在100 ％的占空比。



绝对最大额定值

参数

结温

环境温度范围

存储温度范围

符号

T

j

T

AMB

T

英镑

价值

150

-40到+110

-55到+125

单位

°C

°C

°C

热阻

参数

交界处的环境

符号

R

thJA

价值

120

单位

K / W

电气特性

T

AMB

= -40+ 110C ，V

BATT

= 9 16.5 V ，参考点地（基本功能的6.0 V至9.0 V保证）

除非另有说明（参见图1） 。所有其他值参考GND引脚（引脚1 ） 。

参数

消耗电流

电源电压

稳压

电池欠压

发现

4 (8)

测试条件/销

PIN码16

过压检测，

第1阶段

I

S

= 10毫安

PIN码16

= ON

=关闭

符号

I

S

V

BATT

V

S

V

BATT

分钟。

典型值。

马克斯。

6.8

25

27.0

5.6

6.0

单位

mA

V

V

V

24.5

4.4

4.8

5.0

5.4

得力风根半导体

牧师A1 ， 14 -FEB- 97

U6084B

参数

测试条件/销

电池过压检测

销2

阶段1：

= ON

=关闭

第2阶段：

= ON

=关闭

稳压

I

S

= 30毫安

PIN码16

短路保护

引脚12

短路电流极限值V

T1

= V

S

– V

12

化

短路检测

V

T2

= V

S

– V

12

延时定时器短路检测

引脚11

关闭门槛

V

T11

= V

S

– V

11

充电电流

Dicharge电流

电容电流

I

5

= I

ch

– I

DIS

输出短路闭锁

9针

饱和电压

I

9

= 100

m

A

倍压

引脚13

电压

占空比100 ％

振荡器频率

内部电压限制

I

13

= 5毫安

g

（取低级）

门输出

引脚14

电压

g

低层

V

BATT

= 16.5 V,

T

AMB

= 110

°C,

R

3

= 150

W

高的水平，

占空比100 ％

当前

V

14

= LOW LEVEL

V

14

=高的水平，我

13

> |我

14

|

符号

V

BATT

V

BATT

V

Z

V

T1

V

T2

V

T1

– V

T2

分钟。

18.3

16.7

25.5

19.5

18.5

85

75

3

9.5

典型值。

20.0

18.5

28.5

23.0

20.0

100

90

10

9.8

23

3

20

150

马克斯。

21.7

20.3

32.5

26.5

21.5

120

105

30

10.1

单位

V

V

V

mV

mV

mV

V

m

A

m

A

mA

mV

V

T11

I

ch

I

DIS

I

5

V

SAT

V

13

f

13

V

13

V

13

V

14

13

27

350

2 V

S

280

26

(V

S+14

)

0.35

400

27.5

(V

S+15

)

0.70

520

30.0

(V

S+16

)

0.95

1.5 *)

千赫

V

V

V

14

I

14

1.0

–1.0

–20

6.9

10

0.68

0.65

0.26

26

6.0

V

13

mA

启用/禁用

当前

占空比降低

Z-电压

振荡器

频率

阈值循环

上

销2

V

2

= 0 V

I

4

= 500

m

A

引脚4

V

4

Pin6

V

T100

V

S

V

T

t

100

V

S

7.4

8.0

2000

0.72

0.69

0.3

54

13.5

I

2

–40

–60

m

A

V

Hz

V

14

V

14

低

振荡器电流

频率容差

*)

a

3

+

高，

a

+

+

低，

a

+

+

V

V

1

2

TL

S

a

1

a

2

a

3

f

0.7

0.67

0.28

40

9.9

V

BATT

= 12 V

C

4

打开，C

2

= 470 nF的，

占空比= 50 ％



I

OSC

f

m

A

Hz

参考点是电池地上。

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