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数据表

MOS场效应

PA1809

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1809是它可以是一个开关器件

直接通过4.0 V的电源驱动。

该器件具有低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，如DC / DC转换器和功率

笔记本电脑等的管理。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

： Drain1

1,2,3 ： SOURCE

2, 3

：源1

4

：门

4

： GATE1

5

： GATE2

5,6,7,8 ：排水

6, 7

：源2

8

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

4.0 V可驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 21 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 4.0 A)

R

DS(on)2

= 29 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.0 A)

R

DS(on)3

= 32 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 4.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1809GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

A

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

30

±20

±8.0

±32

2.0

150

55

+150

V

V

A

A

W

°C

°C

等效电路

漏

总功耗

通道温度

储存温度

门

门

保护

二极管

体

二极管

来源

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件G16273EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2002年8月NS CP （ K）

日本印刷

2002

PA1809

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 24 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 8.0 A

I

F

= 8.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 8.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±18 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1.0毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 4.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1.0 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1.5

4.0

2.0

8.4

17

21.5

24

520

200

70

11.5

6.0

32.5

6.1

10

1.6

2.6

0.85

24

15

21

29

32

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

±10

2.5

单位

A

A

V

S

m

m

m

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

I

D

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

I

D

电波表

V

GS

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

90%

90%

PG 。

I

D

0 10%

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G16273EJ1V0DS

PA1809

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

120

2.5

总功耗对比

环境温度

P

T

- 总功耗 - W

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

2.0

安装在陶瓷

以5000 mm基板

2

X 1.1毫米

80

1.5

60

1.0

40

0.5

安装在FR- 4电路板

的2500毫米

2

X 1.6毫米

0

0

25

50

75

100

125

150

175

20

0

0

25

50

75

100

125

150

175

T

A

- 环境温度 -

°C

T

A

- 环境温度 -

°C

正向偏置安全工作区

100

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

= 10 V)

I

D（脉冲）

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D（ DC）的

PW = 1毫秒

1

DC

10毫秒

100毫秒

0.1

单脉冲

安装在陶瓷

2

5000毫米× 1.1毫米基板

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

TH（ CH -A ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

单脉冲

安装在FR- 4电路板

的2500毫米

2

X 1.6毫米

125

°

C / W

100

10

安装在陶瓷

以5000 mm基板

2

X 1.1毫米

62.5

°

C / W

1

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G16273EJ1V0DS

3

PA1809

漏电流与

漏源极电压

32

V

GS

= 10 V

4.5 V

4.0 V

正向传递特性

100

脉冲

V

DS

= 10 V

10

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

24

1

16

0.1

T

A

= 125°C

75°C

25°C

25°C

0.01

8

0.001

脉冲

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0001

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

2.4

100

V

DS

= 10 V

I

D

= 1.0毫安

2.2

正向转移导纳主场迎战

漏电流

脉冲

V

DS

= 10 V

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

2.0

10

1.8

T

A

=

25°C

25°C

75°C

125°C

1.6

1

1.4

1.2

-50

0

50

100

150

0.1

0.01

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

50

脉冲

I

D

= 4.0 A

40

V

GS

= 4.0 V

4.5 V

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

50

脉冲

I

D

= 4.0 A

40

30

30

20

20

10

10 V

10

0

-50

0

0

2

4

6

8

10

0

50

100

150

T

ch

- 通道温度 -

°C

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表G16273EJ1V0DS

PA1809

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

50

脉冲

1000

电容与

漏源极电压

30

V

GS

= 4.0 V

20

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

40

C

国际空间站

100

C

OSS

4.5 V

10 V

C

RSS

10

V

GS

= 0 V

F = 1.0 MHz的

10

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

10000

100

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1000

t

f

100

t

D（关闭）

10

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

V

GS

= 0 V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

10

1

t

D（上）

t

r

0.1

1

0.01

0.1

1

10

100

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

D

- 漏电流 - 一个

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

动态输入/输出特性

10

I

D

= 8.0 A

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

8

V

DD

= 6.0 V

15 V

24 V

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

数据表G16273EJ1V0DS

5

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