UG （F ， B） 8AT通UG （F ， B） 8DT
威世通用半导体
超快整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
玻璃钝化结
超快恢复时间
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
2
UG8xT
销1
销2
2
1
UGF8xT
销1
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
例
销2
TO-263AB
K
2
1
UGB8xT
销1
销2
K
散热器
典型应用
对于交换式高频整流用
电源，逆变器，续流二极管，
直流 - 直流转换器，以及其它功率开关
应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
8.0 A
50 V至200 V
150 A
20纳秒
0.95 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 100 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V
AC
UG8AT
50
35
50
UG8BT
100
70
100
8.0
150
- 55至+ 150
1500
UG8CT
150
105
150
UG8DT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
°C
V
文档编号： 88765
修订： 09- NOV- 07
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1
UG （F ， B） 8AT通UG （F ， B） 8DT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大存储回收
带电
典型结电容
8.0 A
20.0 A
5.0 A
测试条件
符号
V
F
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 8.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，
I
rr
= 10 % I
RM
I
F
= 8.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的
4.0 V， 1 MHz的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
R
t
rr
t
rr
UG8AT
UG8BT
UG8CT
UG8DT
单位
V
1.0
1.2
0.95
10
300
20
30
50
20
45
45
A
ns
ns
Q
rr
C
J
nC
pF
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
结点的典型热阻到外壳
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
符号
R
θJC
UG8AT
4.0
UGF8AT
5.0
UGB8AT
4.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
UG8DT-E3/45
UGF8DT-E3/45
UGB8DT-E3/45
UGB8DT-E3/81
UG8DTHE3/45
(1)
UGF8DTHE3/45
(1)
UGB8DTHE3/45
(1)
UGB8DTHE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.95
1.33
1.33
1.80
1.95
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
带盘
管
管
管
带盘
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UG （F ， B） 8AT通UG （F ， B） 8DT
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
1000
负载电阻或电感
10
正向平均整流电流（ A）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 125 °C
100
T
J
= 100 °C
8
10
6
1
T
J
= 25 °C
0.1
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0
20
40
60
80
100
环境温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向特点酒色
1000
60
恢复存储电荷/反转
恢复时间（ NC / NS ）
峰值正向浪涌电流（ A）
T
C
= 100 °C
8.3
毫秒单一正弦半波
50
I
F
= 4.0 A
V
R
= 30
V
的di / dt = 150 A / μs的
的di / dt = 100 A / μs的
20 A / μs的
40
50 A / μs的
100 A / μs的
30
150 A / μs的
20 A / μs的
10
t
rr
Q
rr
0
25
50
75
100
125
150
175
50 A / μs的
100
20
10
1
10
100
0
数
环，在60赫兹的
结温（ ° C）
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图5.反向开关特性
100
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
1
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
结电容（pF ）
1.4
1.6
10
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特点酒色
图6.典型结电容
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3
UG （F ， B） 8AT通UG （F ， B） 8DT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
新产品
新产品
新产品
UGB8AT THRU UGB8DT
超快高效塑封整流
反向电压 -
50至200伏特
TO-263AB
正向电流 -
8.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频
开关电源，逆变器和自由
续流二极管
超快反向
恢复时间高效率
软恢复特性
优异的温度开关
玻璃钝化结
高温焊接按照
CECC 802 /回流焊保证
0.380 (9.65)
0.420 (10.67)
0.245 (6.22)
民
K
0.160 (4.06)
0.190 (4.83)
0.045 (1.14)
0.055 (1.40)
0.320 (8.13)
0.360 (9.14)
1
K
2
0.575 (14.60)
0.625 (15.88)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
座位
板
-T-
0.090 (2.29)
0.110 (2.79)
0.018 (0.46)
0.025 (0.64)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.080 (2.03)
0.110 (2.79)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
机械数据
案例：
JEDEC TO- 263AB模压塑体
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
销1
的K - 散热片
销2
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
UGB8AT
UGB8BT
UGB8CT
UGB8DT
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）在T
C
=100°C
最大正向电压： 8.0
20A
5.0A ，T
J
=150°C
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
（注1 ）
最大反向恢复时间
（注2 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
50
35
50
100
70
100
8.0
150
105
150
200
140
200
伏
伏
伏
安培
安培
150.0
1.00
1.20
0.95
10.0
300.0
20.0
30.0
50.0
20.0
45.0
45.0
4.0
-55到+ 150
V
F
I
R
t
rr
伏
A
ns
ns
nC
pF
° C / W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
J
=25°C
T
J
=100°C
T
J
=25°C
T
J
=100°C
t
rr
Q
rr
C
J
R
θJC
T
J
, T
英镑
最高回收存储电荷
（注2 ）
典型结电容
典型热阻
（注3）
（注4 ）
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
(2) T
rr
和Q
rr
测量我
F
= 8.0A ，V
R
= 30V ，的di / dt = 50A / μs的，我
rr
=10% I
RM
对于T的仪测量
rr
（3）在1.0氢测定
Z
和应用4.0伏特的反向电压
（4）从结热阻到外壳
10/27/98
额定值和特性曲线UGB8AT THRU UGB8DT
正向平均整流电流，
安培
图。 1 - 正向电流降额
曲线
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
25
50
负载电阻或电感
1,000
峰值正向浪涌电流，
安培
T
C
=100°C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
100
75
100
125
150
175
10
1
10
循环次数在60赫兹
外壳温度
100
100
瞬时正向电流，
安培
瞬时反向漏电流，
微安
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向
特征
1,000
T
J
=125°C
10
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
J
=100°C
10
1
1
T
J
=25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分比额定峰值反向
电压％
RECOVERED存储电荷/ REVERSE
恢复时间NC / NS
图。 5 - 反转切换
特征
图。 6 - 典型结电容
60
50
I
F
=4.0A
V
R
=30V
的di / dt = 150A / μs的
100
di/dt=100A/s
di/dt=20A/s
40
30
20
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=50A/s
di/dt=150A/s
10
1
di/dt=20A/s
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.01
10
1
0.1
反向电压，伏
100
结温， ℃，
QQ：2881677436 复制
