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数据表
MOS场效应
PA1708
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
本产品是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于DC / DC转换器和电源管理
开关。
8
封装图（单位：mm ）
5
1,2,3 ;源
;门
4
5,6,7,8 ;漏
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 18.0毫欧（典型值）（V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A)
1.44
1
5.37最大。
+0.10
–0.05
4
6.0 ±0.3
4.4
0.8
R
DS(on)2
= 28.0毫欧（典型值）（V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 730 pF的（ TYP 。 ）
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
1.8 MAX 。
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
PA1708G
EQUIVARENT电路
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接）
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note3
Note4
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
40
±25
±7.0
±28
2.0
150
-55到+ 150
V
V
A
A
W
°C
°C
门
漏
体
二极管
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
注意事项1 。
V
GS
= 0 V
2.
V
DS
= 0 V
门
保护
二极管
来源
3.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
4.
装在1200毫米× 1.7毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
2
文档编号
G13603EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年11月NS CP （ K）
日本印刷
1998
PA1708
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接）
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
I
D
= 3.5 A
V
GS （ ON）
= 10 V
V
DD
= 20 V
R
G
= 10
I
D
= 7.0 A
V
DD
= 32 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 7.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 7.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
730
340
150
16
96
49
30
20
2.5
6.8
0.8
32
25
1.5
4.0
分钟。
典型值。
18.0
28.0
2.0
8.4
10
±10
马克斯。
24.0
40.0
2.5
单位
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
0 10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
V
GS
I
G
= 2毫安
V
GS （ ON）
90 %
V
GS
电波表
R
L
V
DD
0
10 %
PG 。
50
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
I
D
电波表
2
PA1708
典型特征（T
A
= 25 °C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
2.8
总功耗对比
环境温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
40
60
80
安装在陶瓷
基材
1200mm
2
×1.7mm
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - C
T
A
- 环境温度 - C
正向偏置安全工作区
100
d
ITE
林0 V ）
)
on
=1
S(
R
D
V
GS
(
安装在陶瓷
基材
1200mm
2
×
1.7mm
漏电流与
漏源极电压
脉冲
I
D（脉冲）
= 28 A
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
I
D（ DC）的
= 7 A
10
10
0
m
s
m
s
m
s
I
D
- 漏电流 - 一个
Pw
=
30
V
GS
= 10 V
Po
we
r
20
4.5 V
1
Di
ss
IPA
TIO
n
LIM
10
0.1
0.1
T
A
= 25 C
单脉冲
1
ITE
d
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS -
漏源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
100
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
T
A
= 75C
125C
150C
T
A
= 25C
-25C
-50C
0.1
V
DS
= 10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
-
门源电压 - V
3
PA1708
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 62.5℃ / W
10
1
0.1
0.01
0.001
100
安装在陶瓷
为1200mm基板
2
×
1.7mm
单脉冲
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
10 000
PW - 脉冲宽度 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
70
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
I
D
= 3.5 A
脉冲
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
V
DS
=10 V
脉冲
TA =
50C
25C
25C
10
75C
125C
150C
1
0.1
1
10
100
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
10 V
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
脉冲
门源截止电压主场迎战
通道温度
4
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
3
V
GS
= 4.5 V
2
1
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
100
4
PA1708
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
V
GS
= 4.5 V
30
10 V
20
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
40
100
V
GS
=10 V
10
0V
1
10
I
D
= 3.5 A
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140
0.1
0
0.5
1.0
1.5
0
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
1 000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
t
r
t
f
100
t
D（关闭）
t
D（上）
10
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
0.1
1
10
100
1
0.1
V
DS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1 000
动态输入/输出特性
t
rr
- 反向恢复二极管 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
= 7 A
100
V
DD
= 32 V
20 V
8V
40
30
20
10
0
5
V
DS
10
V
GS
10
8
6
4
2
15
0
20
10
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100A /
s
V
GS
= 0 V
5
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