UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
高效率同步降压
PWM控制器
特点
D
片预测门Drivet的
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高效率同步降压
手术
双
±3-A
TrueDrivet输出
板载可编程振荡器
1 MHz的频率工作
TR输入的排序操作
过流保护采用并行
平均电流模式控制环路
3种模式，以支持2.7 V至35 V的输入偏置
反向电流保护输出级
用户可编程的关断使用SS引脚
±1.0%
最初的公差带隙基准
高带宽误差放大器
耐热增强型HTSSOP 20引脚
PowerPADt封装和QFN -32引脚
同步输入
支持预偏置应用
RSET UCC2541 SWS
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
应用
D
高效率非隔离式转换器
D
D
需要高级功能，如
预偏置技术支持和跟踪能力
对于服务器点的负载模块，电信，
和数据通信设备
适合输入的3.3 V电压， 5.0 V ，
12.0 V或中间总线电压
描述
该UCC2541是一个同步降压PWM
控制器，用于高电流和低输出电压
应用程序。
为了提高效率，它采用的预测
门Drivet技术实际上消除
在同步的体二极管的导通损耗
整流器。
D
D
简化应用图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
TR输入
10
20
VIN
BST 19
G1
SW
VDD
18
17
16
VOUT
保护地15
G2
VDRV
G2S
SS
14
13
12
11
预测门Drive ， TrueDrive和PowerPAD是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
www.ti.com
1
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
说明（续）
该UCC2541是在-40 ° C至105 ° C的扩展温度范围内使用，并提供中热
增强PowerPADt 20引脚HTSSOP （ PWP ）或32引脚四方扁平封装（ RHB ）封装。这种节省空间
封装与标准的20引脚TSSOP足迹为1.4 ° C / W急剧降低热阻
θ
JC
to
容纳船上的两个高电流驱动器。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)(2)
UCC2541
电源电压范围， VDD
电源电流， IVDD
VDD
CEA- ， COMP ， G2C ， RAMP ， SS ， TR ， VEA-
VDRV
G1 ， BST
模拟输入电压
申银万国，申万
G2 ， G2S
SYNCIN
灌电流（峰值） ， IOUT_SINK
源电流（峰值） ， IOUT_SOURCE
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
G1, G2
G1, G2
36
50
-0.3 3.6
-0.3 9
SW- 0.3 SW + 9
-1到36
-1到9
-0.3 8.0
3.5
3.5
-55到150
-65到150
°C
C
A
V
单位
V
mA
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（ 2 ）所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，而负出指定的终端。
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
电源电压， VDRV
电源电压（REF）
电源电压旁路， CVDD
基准旁路电容CREF
VDRV旁路电容器， CVDRV
BST -SW旁路电容， CBST -SW
定时器电流的电阻范围，资源记录集
PWM斜坡电容范围， CRAMP
关断电容范围， CG2C
COMP引脚的负载范围内， RLOAD
结的工作温度，TJ
模式1
模式2
模式3
8.5
4.75
3.0
1.0
0.1
0.2
0.1
10
100
120
6.5
40
105
50
680
1000
pF
k
°C
k
3.3
2.2
1.0
2.2
F
F
典型值
最大
35
9.00
3.6
V
单位
2
www.ti.com
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
订购信息
TA = TJ
-40 ° C至+ 105°C
HTSSOP - 20 （ PWP ）
(1)
体积
UCC2541PWP
QFN -32 （ RHB ）
(1)
体积
UCC2541RHB
（ 1） PWP和RHB封装，也可在每管73的设备和录音和缠绕在
每卷3000设备。添加的R后缀的设备类型（即UCC2541PWPR ） 。看
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的应用程序部分。
接线图
PWP封装
（ TOP VIEW ）
RHB包装
（ TOP VIEW ）
RSET
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWS
BST
G1
SW
VDD
保护地
G2
VDRV
G2S
SS
SWS
27
BST
26
32
31
30
29
28
RSET
VREF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
25
BST
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
G1
G1
SW
VDD
保护地
保护地
G2
G2
10
12
13
14
15
COMP
NC - 无内部连接
注： PowerPADt不直接连接到封装的任何铅，但热连接到所述器件的衬底。该
裸露尺寸为1.3毫米× 1.7毫米的PWP封装3.25毫米× 3.25毫米为RHB包。然而，公差
可以1.05毫米/ -0.05毫米（ 41密耳/ -2密耳） ，由于位置和模内流动性的变化。
热信息
包
家庭
PowerPAD
HTSSOP20
四方扁平封装
QFN32
包
代号
PWP
RHB
θ
JA （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
θ
JC （ ° C / W）
（不使用PowerPad ）
19.9
19.9
θ
JC （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
1.4
1.4
最高芯片
温度
125°C
125°C
VDRV
SS
G2S
TR
NC
NC
NC
16
9
11
www.ti.com
3
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， CRAMP = 517 pF的， RSET = 10 kΩ的， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明） 。
参数
整体
DC ， G2超时后
IVDD
工作电流
CLOAD = 2.2 nF的
模式1
模式1
模式1
模式2
模式2
模式2
模式3
模式3
模式3
TA = 25°C
全变差
VREF = 0 V ，
TA = 25°C
5.25 V
≤
VDRV
≤
7.2 V
0毫安
≤
IREF
≤
5毫安
VVDD = VVDRV
欠压锁定
VVDD
VVDD
VVDD
VVDRV
VVDRV
VVDRV
VREF
VREF
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
8.0
7.5
0.3
4.30
4.0
0.15
2.5
2.2
0.15
3.28
3.2
10
0
0
270
0.10
1.7
150
资源记录集= 10 kΩ的
全变差
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V
ICOMP = 100
A,
VVEA- = 1 V
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 1.5 V
VCEA- = 0 V ，
0
2.2
60
200
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 1.5 V，
0.30
0
0.60
2.5
100
80
0.80
325
45
3
8.5
8.0
0.5
4.65
4.3
0.35
2.8
2.5
0.35
3.30
3.3
13
1.5
30
300
0.25
2.0
175
300
50
4
0.1
V
0.90
3.0
160
10
1.70
2
V
dB
nA
mA
V
9.0
8.5
0.8
4.85
4.6
0.55
3.2
2.8
0.55
3.35
3.4
20
15
70
330
0%
0.50
2.3
200
275
55
V
ns
A
mV
兆赫
mV
V
mA
V
5
9
8
18
10
30
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF
迟滞
基准电压（ REF ）
VREF
ISC
参考输出电压
短路电流
线路调整
负载调整率
OscillatorPWM （ RAMP ）
FSW
DMIN
VRAMP
tdead后
IRAMP
VCEA +
GBW
振荡器频率
最小占空比
失调电压
振荡器峰值电压
G1的死区时间在最大占空比
RAMP充电电流
失调电压
增益带宽（3）
千赫
电流误差放大器
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
CMR
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
共模输入范围（3）
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
4
www.ti.com
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， CRAMP = 517 pF的， RSET = 10 kΩ的， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明）
参数
电压误差放大器
VSS_OFF
VTR_OFF
VVEA +
GBW
从软启动输入失调电压
从跟踪的输入失调电压
阈值电压（从VEA-至COMP ）
增益带宽（3）
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V，
ICOMP = 100
A,
VVEA- = 1 V ，
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
VCEA- = 0 V
0
2.2
60
500
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1.0 V，
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
0.30
0.60
2.5
100
250
0.80
VCOMP = VVEA- ， VSS- = 1.5 V
VTR = 1.0 V
0°C
≤
TA
≤
105°C
全变差
0.40
10
1.485
1.47
3
1.500
1.50
4
0.1
0.9
3.0
140
50
1.70
dB
nA
mA
V
0.75
1.00
10
1.515
1.53
V
兆赫
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
当前设置
IOUT
Vrset
输出电流
RSET电压
定时器阈值
SYNCIN门槛
ICHG （ G2C ），定时关机充电电流
软启动（ SS ）
ICH （ SS ）
IDSCH （ SS ）
充电电流
放电电流
放电/关断阈值
DRIVE调节器（ VDRV ）
VVDRV
输出电压
线路调整
负载调整率
ISC
短路电流
G2S栅极驱动SENSE
G2S上升阈值电压
G2S下降阈值电压
IG2S
当前
SWS转换节点SENSE
申万上升阈值电压
申万下降阈值电压
ISWS
当前
负阈值电压
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
VSWS = 0 V
VSWS = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VSWS = 0 V
输出禁用
9 V
≤
VVDD
≤
35 V
± 5毫安
≤
IVDRV
≤
0毫安
6.87
0
0
15
1.90
1.00
0.70
1.90
1.0
1.8
1.0
0.5
0.3
7.20
50
50
30
2.25
1.25
0.50
2.25
1.2
1.3
7.53
100
100
50
3.10
1.30
0.37
2.90
1.3
0.9
1.0
0.1
V
mA
A
V
V
mA
mV
mA
V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
158
1.42
2.3
1.50
325
230
45
0.35
150
1.50
2.5
1.65
300
200
70
0.45
142
1.58
2.7
1.80
275
170
100
0.55
V
A
A
V
同步和定时关机（ SYNCIN ， G2C ）
A
A
V
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5
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
高效率同步降压
PWM控制器
特点
D
片预测门Drivet的
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高效率同步降压
手术
双
±3-A
TrueDrivet输出
板载可编程振荡器
1 MHz的频率工作
TR输入的排序操作
过流保护采用并行
平均电流模式控制环路
3种模式，以支持2.7 V至35 V的输入偏置
反向电流保护输出级
用户可编程的关断使用SS引脚
±1.0%
最初的公差带隙基准
高带宽误差放大器
耐热增强型HTSSOP 20引脚
PowerPADt封装和QFN -32引脚
同步输入
支持预偏置应用
RSET UCC2541 SWS
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
应用
D
高效率非隔离式转换器
D
D
需要高级功能，如
预偏置技术支持和跟踪能力
对于服务器点的负载模块，电信，
和数据通信设备
适合输入的3.3 V电压， 5.0 V ，
12.0 V或中间总线电压
描述
该UCC2541是一个同步降压PWM
控制器，用于高电流和低输出电压
应用程序。
为了提高效率，它采用的预测
门Drivet技术实际上消除
在同步的体二极管的导通损耗
整流器。
D
D
简化应用图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
TR输入
10
20
VIN
BST 19
G1
SW
VDD
18
17
16
VOUT
保护地15
G2
VDRV
G2S
SS
14
13
12
11
预测门Drive ， TrueDrive和PowerPAD是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
www.ti.com
1
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
说明（续）
该UCC2541是在-40 ° C至105 ° C的扩展温度范围内使用，并提供中热
增强PowerPADt 20引脚HTSSOP （ PWP ）或32引脚四方扁平封装（ RHB ）封装。这种节省空间
封装与标准的20引脚TSSOP足迹为1.4 ° C / W急剧降低热阻
θ
JC
to
容纳船上的两个高电流驱动器。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)(2)
UCC2541
电源电压范围， VDD
电源电流， IVDD
VDD
CEA- ， COMP ， G2C ， RAMP ， SS ， TR ， VEA-
VDRV
G1 ， BST
模拟输入电压
申银万国，申万
G2 ， G2S
SYNCIN
灌电流（峰值） ， IOUT_SINK
源电流（峰值） ， IOUT_SOURCE
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
G1, G2
G1, G2
36
50
-0.3 3.6
-0.3 9
SW- 0.3 SW + 9
-1到36
-1到9
-0.3 8.0
3.5
3.5
-55到150
-65到150
°C
C
A
V
单位
V
mA
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（ 2 ）所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，而负出指定的终端。
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
电源电压， VDRV
电源电压（REF）
电源电压旁路， CVDD
基准旁路电容CREF
VDRV旁路电容器， CVDRV
BST -SW旁路电容， CBST -SW
定时器电流的电阻范围，资源记录集
PWM斜坡电容范围， CRAMP
关断电容范围， CG2C
COMP引脚的负载范围内， RLOAD
结的工作温度，TJ
模式1
模式2
模式3
8.5
4.75
3.0
1.0
0.1
0.2
0.1
10
100
120
6.5
40
105
50
680
1000
pF
k
°C
k
3.3
2.2
1.0
2.2
F
F
典型值
最大
35
9.00
3.6
V
单位
2
www.ti.com
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
订购信息
TA = TJ
-40 ° C至+ 105°C
HTSSOP - 20 （ PWP ）
(1)
体积
UCC2541PWP
QFN -32 （ RHB ）
(1)
体积
UCC2541RHB
（ 1） PWP和RHB封装，也可在每管73的设备和录音和缠绕在
每卷3000设备。添加的R后缀的设备类型（即UCC2541PWPR ） 。看
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的应用程序部分。
接线图
PWP封装
（ TOP VIEW ）
RHB包装
（ TOP VIEW ）
RSET
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWS
BST
G1
SW
VDD
保护地
G2
VDRV
G2S
SS
SWS
27
BST
26
32
31
30
29
28
RSET
VREF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
25
BST
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
G1
G1
SW
VDD
保护地
保护地
G2
G2
10
12
13
14
15
COMP
NC - 无内部连接
注： PowerPADt不直接连接到封装的任何铅，但热连接到所述器件的衬底。该
裸露尺寸为1.3毫米× 1.7毫米的PWP封装3.25毫米× 3.25毫米为RHB包。然而，公差
可以1.05毫米/ -0.05毫米（ 41密耳/ -2密耳） ，由于位置和模内流动性的变化。
热信息
包
家庭
PowerPAD
HTSSOP20
四方扁平封装
QFN32
包
代号
PWP
RHB
θ
JA （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
θ
JC （ ° C / W）
（不使用PowerPad ）
19.9
19.9
θ
JC （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
1.4
1.4
最高芯片
温度
125°C
125°C
VDRV
SS
G2S
TR
NC
NC
NC
16
9
11
www.ti.com
3
UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， CRAMP = 517 pF的， RSET = 10 kΩ的， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明） 。
参数
整体
DC ， G2超时后
IVDD
工作电流
CLOAD = 2.2 nF的
模式1
模式1
模式1
模式2
模式2
模式2
模式3
模式3
模式3
TA = 25°C
全变差
VREF = 0 V ，
TA = 25°C
5.25 V
≤
VDRV
≤
7.2 V
0毫安
≤
IREF
≤
5毫安
VVDD = VVDRV
欠压锁定
VVDD
VVDD
VVDD
VVDRV
VVDRV
VVDRV
VREF
VREF
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
8.0
7.5
0.3
4.30
4.0
0.15
2.5
2.2
0.15
3.28
3.2
10
0
0
270
0.10
1.7
150
资源记录集= 10 kΩ的
全变差
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V
ICOMP = 100
A,
VVEA- = 1 V
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 1.5 V
VCEA- = 0 V ，
0
2.2
60
200
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 1.5 V，
0.30
0
0.60
2.5
100
80
0.80
325
45
3
8.5
8.0
0.5
4.65
4.3
0.35
2.8
2.5
0.35
3.30
3.3
13
1.5
30
300
0.25
2.0
175
300
50
4
0.1
V
0.90
3.0
160
10
1.70
2
V
dB
nA
mA
V
9.0
8.5
0.8
4.85
4.6
0.55
3.2
2.8
0.55
3.35
3.4
20
15
70
330
0%
0.50
2.3
200
275
55
V
ns
A
mV
兆赫
mV
V
mA
V
5
9
8
18
10
30
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF
迟滞
基准电压（ REF ）
VREF
ISC
参考输出电压
短路电流
线路调整
负载调整率
OscillatorPWM （ RAMP ）
FSW
DMIN
VRAMP
tdead后
IRAMP
VCEA +
GBW
振荡器频率
最小占空比
失调电压
振荡器峰值电压
G1的死区时间在最大占空比
RAMP充电电流
失调电压
增益带宽（3）
千赫
电流误差放大器
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
CMR
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
共模输入范围（3）
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
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UCC2541
SLUS621A - 2004年8月 - 2005年9月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， CRAMP = 517 pF的， RSET = 10 kΩ的， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明）
参数
电压误差放大器
VSS_OFF
VTR_OFF
VVEA +
GBW
从软启动输入失调电压
从跟踪的输入失调电压
阈值电压（从VEA-至COMP ）
增益带宽（3）
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V，
ICOMP = 100
A,
VVEA- = 1 V ，
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
VCEA- = 0 V
0
2.2
60
500
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1.0 V，
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
0.30
0.60
2.5
100
250
0.80
VCOMP = VVEA- ， VSS- = 1.5 V
VTR = 1.0 V
0°C
≤
TA
≤
105°C
全变差
0.40
10
1.485
1.47
3
1.500
1.50
4
0.1
0.9
3.0
140
50
1.70
dB
nA
mA
V
0.75
1.00
10
1.515
1.53
V
兆赫
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
当前设置
IOUT
Vrset
输出电流
RSET电压
定时器阈值
SYNCIN门槛
ICHG （ G2C ），定时关机充电电流
软启动（ SS ）
ICH （ SS ）
IDSCH （ SS ）
充电电流
放电电流
放电/关断阈值
DRIVE调节器（ VDRV ）
VVDRV
输出电压
线路调整
负载调整率
ISC
短路电流
G2S栅极驱动SENSE
G2S上升阈值电压
G2S下降阈值电压
IG2S
当前
SWS转换节点SENSE
申万上升阈值电压
申万下降阈值电压
ISWS
当前
负阈值电压
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
VSWS = 0 V
VSWS = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VSWS = 0 V
输出禁用
9 V
≤
VVDD
≤
35 V
± 5毫安
≤
IVDRV
≤
0毫安
6.87
0
0
15
1.90
1.00
0.70
1.90
1.0
1.8
1.0
0.5
0.3
7.20
50
50
30
2.25
1.25
0.50
2.25
1.2
1.3
7.53
100
100
50
3.10
1.30
0.37
2.90
1.3
0.9
1.0
0.1
V
mA
A
V
V
mA
mV
mA
V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
158
1.42
2.3
1.50
325
230
45
0.35
150
1.50
2.5
1.65
300
200
70
0.45
142
1.58
2.7
1.80
275
170
100
0.55
V
A
A
V
同步和定时关机（ SYNCIN ， G2C ）
A
A
V
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