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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第78页 > UNR1115
晶体管具有内置电阻
UNR111x系列
（ UN111x系列）
PNP硅外延平面晶体管
单位：mm
对于数字电路
(0.4)
6.9
±0.1
(1.5)
(1.5)
3.5
±0.1
2.5
±0.1
(1.0)
(1.0)
2.0
±0.2
2.4
±0.2
1.0
±0.1
UNR1110
UNR1111
UNR1112
UNR1113
UNR1114
UNR1115
UNR1116
UNR1117
UNR1118
UNR1119
UNR111D
UNR111E
UNR111F
UNR111H
UNR111L
(UN1110)
(UN1111)
(UN1112)
(UN1113)
(UN1114)
(UN1115)
(UN1116)
(UN1117)
(UN1118)
(UN1119)
(UN111D)
(UN111E)
(UN111F)
(UN111H)
(UN111L)
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
3
(2.5)
2
(2.5)
1
1.25
±0.05
■
电阻产品型号
(0.85)
0.55
±0.1
0.45
±0.05
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
M- A1套餐
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
400
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年10月
SJH00001BED
4.1
±0.2
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
R 0.9
R 0.7
4.5
±0.1
■
特点
1
UNR111x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR1111
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
35
60
80
160
20
30
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ，R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
= 10
V，I
E
=
2毫安，女
=
200兆赫
30%
80
10
22
47
4.7
0.51
1
2.2
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.08
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
0.17
0.22
0.27
1.2
0.25
0.12
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
0.25
V
V
V
460
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR1112 / 1114 / 111D / 111E
（集电极开路） UNR1113
UNR1110/1115/1116/1117
UNR111F/111H
UNR1119
UNR1118/111L
正向电流UNR1111
传输比
UNR1112/111E
UNR1113/1114
UNR1110
*
/1115
*
/1116
*
/
1117
*
UNR1118/111L
UNR1119/111D/111F/111H
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR1113
UNR111D
UNR111E
跃迁频率
输入阻抗UNR1111 /一千一百一十五分之一千一百一十四
UNR1112/1117
UNR1110/1113/111D/111E
UNR1116/111F/111L
UNR1118
UNR1119
UNR111H
电阻比UNR1111 /一千一百十三分之一千一百一十二/ 111L
UNR1114
UNR1118/1119
UNR111D
UNR111E
UNR111F
UNR111H
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类（ UNR1110 / 1115 /一千一百一十七分之一千一百十六）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
SJH00001BED
2
UNR111x系列
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR1110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
SJH00001BED
3
UNR111x系列
UNR1111的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
100
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
160
V
CE
= 10
V
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
10
25°C
120
25°C
80
80
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
0.1毫安
40
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR1112的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
正向电流传输比H
FE
300
1
25°C
0.1
25°C
T
a
= 75°C
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
100
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
SJH00001BED
UNR111x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR1113的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
= 10
V
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
SJH00001BED
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