UDZS18B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS18B
二极管
Ta=125℃
100
10
1
10
TA = -25 ℃ TA = 25 ℃的Ta = 75 ℃的Ta = 125 ℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
0.0001
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=75℃
0.1
10
Ta=-25℃
0.01
0.001
16
17
18
19
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
20
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
0
2
4
6
8
10
12
14
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
18.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=10pcs
1
0.9
20
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
18.1
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.0962nA
Ta=25℃
R=13V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
AVE ： 13.98pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
18
17.9
17.8
AVE ： 17.90V
17.7
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS16B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS16B
二极管
10
Ta=25℃
100
100
Ta=125℃
f=1MHz
10
1
0.1
1
Ta=75℃
0.1
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
0.01
0.001
0.0001
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
10
Ta=-25℃
0.01
0.001
14
15
16
17
18
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
19
0.00001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
16.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
16.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.115nA
Ta=25℃
VR=12V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 16.04pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
16.3
16.2
16.1
AVE ： 16.15V
16
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS15B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS15B
二极管
100
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
0.001
0.0001
13
14
15
16
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
17
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
Ta=25℃
Ta=125℃
100
f=1MHz
10
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=25℃
Ta=75℃
0.1
Ta=-25℃
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
Ta=75℃
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
15
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
14.9
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Ta=25℃
VR=11V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 17.13pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
14.8
14.7
14.6
AVE ： 14.69V
14.5
VZ DISRESION地图
AVE ： 0.0751nA
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS13B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS13B
二极管
10
100
10
Ta=125℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
0.001
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
Ta=25℃
0.1
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
0.01
0.001
11
12
13
14
15
1
0
2
4
6
8
10
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
13.6
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
13.5
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.0962nA
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 14.33pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
13.4
13.3
13.2
AVE ： 13.28V
13.1
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS12B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS12B
二极管
10
1000
100
Ta=125℃
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
100
10
1
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
8
9
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
10
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
0.01
Ta=-25℃
0.001
10
11
12
13
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
14
1
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
12.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
齐纳电压： VZ（ V）
12.1
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.1744nA
Ta=25℃
VR=9.0V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 15.40pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
12
11.9
AVE ： 12.00V
11.8
11.7
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS11B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS11B
二极管
10
1000
Ta=125℃
Ta=125℃
100
100
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
10
1
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
8
Ta=75℃
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
Ta=-25℃
10
0.01
0.001
9
10
11
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
12
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
7
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
11.9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
11.8
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.122nA
Ta=25℃
VR=8.0V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 16.76pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
11.7
11.6
11.5
AVE ： 10.943V
11.4
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS10B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS10B
二极管
10
1000
Ta=125℃
Ta=125℃
100
10
1
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
8
8.5
9
9.5
10
10.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
11
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
7
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
10
Ta=-25℃
0.01
Ta=-25℃
0.001
1
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
10.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
Ta=25℃
VR=7.0V
n=30pcs
20
19
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
10.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.128nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
18
17
16
15
14
13
12
11
10
AVE ： 19.35p
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
10
AVE ： 9.994V
9.9
9.8
9.7
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS9.1B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS9.1B
二极管
10
100
Ta=125℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=-25℃
Ta=75℃
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
0.1
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
Ta=125℃
10
10
0.01
Ta=-25℃
0.001
7
8
9
10
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
11
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
9.3
1
30
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
9.2
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.0831nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
0.9
Ta=25℃
VR=6.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
AVE ： 21.56pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
9.1
AVE ： 9.107V
9
8.9
8.8
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS8.2B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS8.2B
二极管
10
100
100
Ta=125℃
Ta=-25℃
1
f=1MHz
Ta=75℃
0.1
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=-25℃
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
5
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
反向电流： IR （ NA）
10
Ta=75℃
10
1
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
7
7.5
8
8.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
8.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
30
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
8.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.074nA
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
AVE ： 24.75pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8.3
8.2
8.1
AVE ： 8.206V
8
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS7.5B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS7.5B
二极管
10
1000
100
Ta=125℃
100
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
1
10
1
Ta=75℃
0.1
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
4
Ta=25℃
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
10
0.01
0.001
6
6.5
7
7.5
8
8.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
0.0001
0
1
2
3
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
7.6
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
30
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
7.5
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.150nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=4.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
7.4
7.3
AVE ： 7.362V
7.2
AVE ： 26.29pF
7.1
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2881677436 复制
