【小信号晶体管阵列UNA0222(UN222)PNP硅外延平面型（ 3片）NPN硅外延平面型（ 3片）】,IC型号UN222,UN222 PDF资料,UN222经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管阵列

UNA0222

(UN222)

PNP硅外延平面型（ 3片）

NPN硅外延平面型（ 3片）

单位：mm

对于电机驱动器

■

特点

体积小重量轻

低功耗（低V

CE （ SAT ）

晶体管使用）

低电压驱动

晶体管具有内置电阻， 6个元素引入

0.4

±0.1

14 13 12 11 10 9 8

12°

5.5

±0.3

7.7

±0.3

12 3

4 5 6 7

0.9

±0.1

0.8

1.5

±0.1

1.5

+0.2

–0.1

0.5

45°

0.2

+0.1

–0.0

■

绝对最大额定值

25°C

参数

PNP

集电极 - 基极电压

（发射极开路）

集电极 - 发射极电压

（基地开）

集电极电流

峰值集电极电流

NPN

集电极 - 基极电压

（发射极开路）

集电极 - 发射极电压

（基地开）

集电极电流

峰值集电极电流

整体

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

英镑

等级

0.5

150

+150

单位

°C

1 ：收藏家

2 ：基本

3 ：收藏家

4 ：基本

12°

6.5

±0.3

5 ：收藏家

6 ：基本

7 ：发射器

8 ：收藏家

9 ：基本

13 ：基本

10 ：收集14 ：发射器

11 ：基本

12 ：收藏家

SO14 -G1封装

标记符号： UN222

内部连接

14 13 12 11 10 9 8

注）*：在一个器件上的损耗为T

25°C

1 2 3 4 5 6 7

注）括号中的部分数字表示以往的零件号。

出版日期： 2004年3月

SJK00046BED

0.5

±0.2

UNA0222

■

电气特性

25°C

3°C

PNP

参数

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（基本开）

集电极 - 基极截止电流（发射极开路）

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

（共同的基础，输入开路）

正向电压

偏置电阻

符号

CBO

首席执行官

CBO

CE （ SAT ）

条件

= 10 A,

= 1

妈，我

= 6

V，I

= 1

V，I

0.5 A

= 2

A，I

= 50

= 6

V，I

50毫安，女

200兆赫

= 6

V，I

0, f

1兆赫

= 1

30%

150

1.5

+30%

200

民

700

0.45

典型值

最大

单位

兆赫

NPN

参数

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（基本开）

集电极 - 基极截止电流（发射极开路）

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

（共同的基础，输入开路）

正向电压

偏置电阻

符号

CBO

首席执行官

CBO

CE （ SAT ）

条件

1毫安，我

6 V，I

1 V，I

0.5 A

2 A，I

50毫安

6 V，I

= 50

毫安，女

200兆赫

6 V，I

0, f

1兆赫

1 A

30%

150

1.5

+30%

200

民

700

0.25

典型值

最大

单位

兆赫

注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。

2. * 1：应用程序的内置二极管

* 2 ：应用到内置的电阻

SJK00046BED

UNA0222

共同的特征图

0.6

总功耗P

(W)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

120

160

环境温度T

(

°C

)

PNP晶体管块的特性图

25°C

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

/ I

600

= 1

正向电流传输比H

500

集电极电流I

(A)

75°C

25°C

75°C

25°C

= 12

400

300

200

100

0.01

0.1

0.01

0.1

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极输出电容

C（ pF）的

（共同的基础，输入开路）

240

1兆赫

25°C

200

160

120

100

集电极 - 基极电压V

(V)

SJK00046BED

UNA0222

NPN晶体管块的特性图

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

25°C

CE （ SAT ）

/ I

600

1 V

正向电流传输比H

500

75°C

400

25°C

300

集电极电流I

(A)

75°C

25°C

12毫安

10毫安

8毫安

6毫安

4毫安

200

2毫安

100

0.01

0.1

0.01

0.1

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极输出电容

C（ pF）的

（共同的基础，输入开路）

240

1兆赫

25°C

200

160

120

100

集电极 - 基极电压V

(V)

SJK00046BED

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的

下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息

外贸Law"是要出口或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和

该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权

或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。

（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任

在本材料中描述的信息。

（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-

TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户

持设备）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-

化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性

必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类

体。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知

修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，

因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范

系统蒸发散满足您的要求。

（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的

荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会

对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价

分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施

作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止

物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。

（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命

和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独

交换。

（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面

松下电器产业株式会社许可

2003年九月