U632H16
PowerStore
2K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 2048 ×8位
25 ns的访问时间
12 ns输出使能访问
时
I
CC
= 15 mA的200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动召回电源
Up
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
μs)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 300万）
描述
该U632H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U632H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100
μF
电容。从转移
对EEPROM到SRAM （在
RECALL操作）发生
自动上电。该
U632H16结合了高性
性能和易用性快的
SRAM与非易失性数据英特
grity 。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
（ HSB ） 。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
20
19
18
17
16
15
VCCX
W
HSB
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
电容
硬件控制存储/忙
SOP
21
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0046
1
1.0版
U632H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
帽
动力
控制
召回
V
CCx中
V
帽
HSB
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A10
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
以及输入V的水平
IL
= 0 V
和V
IH
= 3V。所有输入和outputsignals的定时基准电平为1.5伏，除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，
转换测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
C型
K型
T
a
T
英镑
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0046
2
1.0版
2006年3月31日
U632H16
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
-0.3
2.2
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
90
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
30
34
mA
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
15
15
mA
I
CC （SB）
3
3
mA
B： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
目前摆放了我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0046
3
1.0版
U632H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
Previos数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A
)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
活跃
待机
t
PU
(10)
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
EN（ G）
(8)
t
一（ G）
(4)
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
单位
分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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沙头角管制＃ ML0046
5
1.0版
U632H16
PowerStore
2K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 2048 ×8位
25 ns的访问时间
12 ns输出使能访问
时
I
CC
= 15 mA的200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动召回电源
Up
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
μs)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 300万）
描述
该U632H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U632H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100
μF
电容。从转移
对EEPROM到SRAM （在
RECALL操作）发生
自动上电。该
U632H16结合了高性
性能和易用性快的
SRAM与非易失性数据英特
grity 。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
（ HSB ） 。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
20
19
18
17
16
15
VCCX
W
HSB
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
电容
硬件控制存储/忙
SOP
21
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0046
1
1.0版
U632H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
帽
动力
控制
召回
V
CCx中
V
帽
HSB
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A10
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
以及输入V的水平
IL
= 0 V
和V
IH
= 3V。所有输入和outputsignals的定时基准电平为1.5伏，除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，
转换测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
C型
K型
T
a
T
英镑
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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U632H16
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
-0.3
2.2
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
90
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
30
34
mA
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
15
15
mA
I
CC （SB）
3
3
mA
B： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
目前摆放了我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0046
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1.0版
U632H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
Previos数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A
)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
活跃
待机
t
PU
(10)
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
EN（ G）
(8)
t
一（ G）
(4)
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
单位
分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0046
5
1.0版
QQ：2881677436 复制
