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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第84页 > UML4N
UML4N
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
UML4N
一个2SA2018和RB521S -30在一个UMT包独立安置。
(4)
(3)
0.65 0.65
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
UML4N
0.2
1.3
0.9
2.0
(2)
(5)
特点
1 ）创业：低V
CE
（SAT）
迪：低V
F
2 ）小型封装
1.25
2.1
0.15
(1)
0~0.1
0.1Min.
结构
硅外延平面晶体管
肖特基二极管
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
等效电路
(3)
(2)
(1)
Tr2
Di1
(4)
(5)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
UML4N
UMT5
L4
TR
3000
0.7
Rev.A的
1/3
UML4N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Di1
参数
符号
I
O
平均正向电流整流
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60H
Z
, 1∞)
V
R
反向电压（DC）的
Tj
结温
TSTG
储存温度范围
范围
200
1
30
125
55
to
+125
单位
mA
A
V
°C
°C
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
范围
V
CBO
15
V
首席执行官
12
V
EBO
6
I
C
500
I
CP
1
Pd
120
Tj
150
TSTG
55
to
+125
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
Di1
参数
正向电压
反向电流
符号
V
R
I
R
分钟。
典型值。
0.40
4.0
马克斯。
0.50
30
单位
V
A
I
F
=200mA
V
R
=10V
条件
Tr2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
12
15
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
100
250
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
=200mA,
I
B
=10mA
V
CE
=2V,
I
C
=10mA
V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
电气特性曲线
Di1
1
100m
10m
Ta=125°C
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
(A)
1m
75°C
5
°
C
1
2
°
C
10m
1m
100
10
1
0
100
10
1
100n
10n
25°C
25°C
T
a
=
7
5
2
5
2
5
°
C
°
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
10
20
30
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1正向特性
图2反向特性
Rev.A的
2/3
UML4N
晶体管
Tr2
1000
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=2V
脉冲
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=40°C
V
CE
=2V
脉冲
1000
Ta=25°C
脉冲
100
100
100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
5
°
C
TA
4
0°
C
Ta=25
°C
Ta=12
10
10
10
I
C
/I
B
=10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图3发射极接地传播
特征
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
100
Ta=25°C
Ta=125°C
1000
Ta=25°C
Ta=40°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
I
C
/I
B
=20
脉冲
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
10000
I
C
/I
B
=20
脉冲
1000
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=40°C
10
100
10
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和电压
Fig.7
基射极饱和电压
Fig.8
增益带宽积
- 集电极电流（
ΙΙ
)
与集电极电流
与发射极电流
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
跃迁频率：我
C
(A)
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
10
Ta=25°C
单脉冲
1
10ms
100ms
DC
1ms
100
兴业银行
10
0.1
COB
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
发射极电流： V
CE
(V)
Fig.9
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
Fig.10
安全工作区
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UML4N
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
UML4N
一个2SA2018和RB521S -30在一个UMT包独立安置。
(4)
(3)
0.65 0.65
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
UML4N
0.2
1.3
0.9
2.0
(2)
(5)
特点
1 ）创业：低V
CE
（SAT）
迪：低V
F
2 ）小型封装
1.25
2.1
0.15
(1)
0~0.1
0.1Min.
结构
硅外延平面晶体管
肖特基二极管
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
等效电路
(3)
(2)
(1)
Tr2
Di1
(4)
(5)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
UML4N
UMT5
L4
TR
3000
0.7
Rev.A的
1/3
UML4N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Di1
参数
符号
I
O
平均正向电流整流
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60H
Z
, 1∞)
V
R
反向电压（DC）的
Tj
结温
TSTG
储存温度范围
范围
200
1
30
125
55
to
+125
单位
mA
A
V
°C
°C
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
范围
V
CBO
15
V
首席执行官
12
V
EBO
6
I
C
500
I
CP
1
Pd
120
Tj
150
TSTG
55
to
+125
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
Di1
参数
正向电压
反向电流
符号
V
R
I
R
分钟。
典型值。
0.40
4.0
马克斯。
0.50
30
单位
V
A
I
F
=200mA
V
R
=10V
条件
Tr2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
12
15
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
100
250
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
=200mA,
I
B
=10mA
V
CE
=2V,
I
C
=10mA
V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
电气特性曲线
Di1
1
100m
10m
Ta=125°C
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
(A)
1m
75°C
5
°
C
1
2
°
C
10m
1m
100
10
1
0
100
10
1
100n
10n
25°C
25°C
T
a
=
7
5
2
5
2
5
°
C
°
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
10
20
30
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1正向特性
图2反向特性
Rev.A的
2/3
UML4N
晶体管
Tr2
1000
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=2V
脉冲
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=40°C
V
CE
=2V
脉冲
1000
Ta=25°C
脉冲
100
100
100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
5
°
C
TA
4
0°
C
Ta=25
°C
Ta=12
10
10
10
I
C
/I
B
=10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图3发射极接地传播
特征
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
100
Ta=25°C
Ta=125°C
1000
Ta=25°C
Ta=40°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
I
C
/I
B
=20
脉冲
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
10000
I
C
/I
B
=20
脉冲
1000
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=40°C
10
100
10
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和电压
Fig.7
基射极饱和电压
Fig.8
增益带宽积
- 集电极电流（
ΙΙ
)
与集电极电流
与发射极电流
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
跃迁频率：我
C
(A)
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
10
Ta=25°C
单脉冲
1
10ms
100ms
DC
1ms
100
兴业银行
10
0.1
COB
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
发射极电流： V
CE
(V)
Fig.9
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
Fig.10
安全工作区
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EML4 / UML4N
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
EML4 / UML4N
2SC5585和RB521S -30在一个EMT5或UMT5包独立地收纳。
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
尺寸
（单位：毫米）
EMT5
1.6
0.5
1PIN MARK
特点
1 ）创业：低V
CE
（SAT）
迪：低V
F
2 ）小型封装
1.0
0.5 0.5
(5) (4)
1.6
1.2
(1) (2) (3)
0.22
0.13
结构
PNP硅外延平面晶体管
肖特基二极管
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： L4
ROHM ： EMT5
下面的特点，适用于DI1和Tr2的。
等效电路
(5)
(4)
UMT5
2.0
1.3
0.65 0.65
0.9
0.7
(5) (4)
1.25
1PIN MARK
(1) (2) (3)
2.1
0.2
0.15
Di1
Tr2
每根导线具有相同的尺寸
(1)
(2)
(3)
缩写符号： L4
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EML4
EMT5
L4
T2R
8000
UML4N
UMT5
L4
TR
3000
REV.C
0.1Min.
1/4
EML4 / UML4N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Di1
参数
符号
I
O
平均正向电流整流
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60H
Z
, 1∞)
V
R
反向电压（DC）的
Tj
结温
范围
200
1
30
125
单位
mA
A
V
°C
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
每个端子安装在一个推荐的。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Tj
范围
15
12
6
500
1
120
150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
DI1 / DTr2
参数
功耗
储存温度
每个端子安装在一个推荐的。
符号
Pd
TSTG
范围
150
55
+125
单位
mW
°C
电气特性
(Ta=25°C)
Di1
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
0.40
4.0
马克斯。
0.50
30
单位
V
A
I
F
=200mA
V
R
=10V
条件
Tr2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
12
15
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
100
250
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
=200mA,
I
B
=10mA
V
CE
=2V,
I
C
=10mA
V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
REV.C
2/4
EML4 / UML4N
晶体管
电气特性曲线
Di1
1000
正向电流IF （MA ）
100
Ta=125℃
100000
反向电流： IR （ UA）
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
500
0
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
30
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
100
Ta=125℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
f=1MHz
10的Ta = 75 ℃
1
0.1
0.01
10
Ta=-25℃
Ta=25℃
0.001
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
Tr2
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=2V
脉冲
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=40°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
V
CE
=2V
脉冲
1000
Ta=25°C
脉冲
100
100
100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
Ta=12
5
°
C
Ta=25
°C
TA
4
0°
C
10
10
10
I
C
/I
B
=10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图3发射极接地传播
特征
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
100
Ta=25°C
Ta=125°C
1000
Ta=25°C
Ta=40°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
I
C
/I
B
=20
脉冲
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
10000
I
C
/I
B
=20
脉冲
1000
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=40°C
10
100
10
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
Fig.6
集电极 - 发射极饱和电压
Fig.7
基射极饱和电压
Fig.8
增益带宽积
- 集电极电流（
ΙΙ
)
与集电极电流
与发射极电流
REV.C
2/4
EML4 / UML4N
晶体管
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
跃迁频率：我
C
(A)
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
10
Ta=25°C
单脉冲
1
10ms
100ms
DC
1ms
100
兴业银行
10
COB
0.1
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
发射极电流： V
CE
(V)
Fig.9
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
Fig.10
安全工作区
REV.C
3/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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UG1005
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UVX1E221MPA
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