应用
信息
可用的
UCC1581
UCC2581
UCC3581
微功耗电压模式PWM
特点
低的85μA启动电流
低300μA工作电流
自动禁用
启动预调节器
可编程最小占空比
周期循环跳绳
可编程最大
占空比
输出电流1A峰值
源库
可编程软启动
可编程振荡器
频率
外部振荡器
同步能力
框图
注：图中所示为14引脚封装引脚连接
UDG-95011-1
描述
该UCC3581电压模式脉冲宽度调制器DE-是
签署控制的低功率隔离式直流 - 直流转换器
中的应用，如用户线路电源（ISDN
I.430 ） 。主要用于单开关正激和
反激式转换器中， UCC3581功能的BiCMOS税务局局长
cuitry低启动和工作电流，并保
泰宁驱动功率MOSFET的能力
频率高达100kHz 。该UCC3581振荡器AL-
低点编程的频率和所述的弹性
最大占空比与两个电阻器和一个电容器。一
TTL电平的输入也提供给允许同步
到一个外部频率源。
该UCC3581包括可编程软启动电路，
过电流检测，一个7.5V线性前置调节到CON组
控制芯片V
DD
在启动过程中，和一个板上4.0V逻辑
供应量。
该UCC3581提供的功能，以最大限度地提高轻负载
通常不会在PWM控制器中的效率。
结合线性预调节器驱动程序与一个外部
最终耗尽型N-MOSFET提供了初步控制
力。一旦自举电源功能，在
前置调节器被关闭，以节省电力。在光
负载，电源被保存提供了一个可编程的微型
妈妈占空比钳位。当下面的一个工作周期
最小的要求，该调制器将跳过循环到亲
韦迪所需输出正确的平均占空比
调节。这有效地降低了开关频
昆西，节能显著栅极驱动和功率级
损失。
该UCC3581是14引脚塑料和陶瓷提供
双列直插式封装和14引脚窄体小
概述IC封装（ SOIC ） 。该UCC1581被指定为
从操作
C至+ 125 ° C时， UCC2581是试样
55°
田间从操作
C到+ 85 ℃，并在
40°
UCC3581是从0℃至+ 70 ℃，规定工作
1999年3月 - 修订2000年9月 - SLUS295A
UCC1581
UCC2581
UCC3581
绝对最大额定值
电源电压（I
DD
≤10mA)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
V
REF
电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10mA
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1A
模拟输入
EN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至（ VDD + 0.3V ）
VC， ISEN ， SYNC ， DC最小值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到（V
REF
+ 0.3V)
在T功耗
D
= 25°C
（N ，J ，Q ， L封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
（D包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.65W
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55℃到+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
连接图
DIL - 14 ， SOIC -14 （ TOP VIEW ）
的n或j ，D套餐
除非另有说明，所有电压都是相对于
地面上。电流成正，负出指定之三的
minal 。请教包装数据手册中科热limi-
tations和包的考虑。
订购信息
UCC1581J
UCC2581D
UCC2581N
UCC3581D
UCC3581N
温度范围
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
包
CDIP
SOIC
PDIP
SOIC
PDIP
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于VDD = 10V ， 0.1μF的电容
从VDD到GND ， 1.0μF电容， REF和GND ， RT1 = 680kΩ ， RT2 = 12KΩ ， CT = 750pF和T
A
= T
J
.
参数
参考科
输出电压
负载调整率
欠压锁定部分
启动阈值
最低工作电压起动后
迟滞
线性预调节器节
稳压电压VDD
调节VDD到UVLO三角洲
VDD覆盖门限
振荡器部分
频率
温度稳定性
CT峰值电压
CT谷值电压
SYNC VIH
SYNC VIL
PWM节
最大占空比
最小占空比
输入偏置电流
（ VC < 1.0V ） DC最小值= 0V
（VC > 1.0V ，在周期的开始） DC最小值= 1.18V
（ DC最小值） ， （注1 ）
（ VC ） ， （注1 ）
7
–150
–150
10
20
20
81
84
87
0
13
150
150
%
%
%
nA
nA
（注1 ）
25°C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
1.9
18
19.5
3.0
2.5
1.0
2.1
1.8
2.3
21
千赫
%
V
V
V
V
7.0
100
7.5
230
8.0
600
8.2
V
mV
V
6.7
6.2
0.2
7.3
6.8
0.5
7.9
7.4
0.8
V
V
V
I = -0.2mA
-5.0mA <我< -0.2mA
3.94
4.0
10
4.06
30
V
mV
测试条件
民
典型值
最大单位
2
UCC1581
UCC2581
UCC3581
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于VDD = 10V ， 0.1μF的电容
从VDD到GND ， 1.0μF电容， REF和GND ， RT1 = 680kΩ ， RT2 = 12KΩ ， CT = 750pF和T
A
= T
J
.
参数
电流检测科
输入偏置电流
过流阈值
输出部分
输出低电平
OUT高层
上升/下降时间
软启动第
软启动电流
芯片使能节
VIH
VIL
迟滞
源出电流
总体组
启动电流
工作电源电流
VDD稳压分流电压
I
DD
待机分流电压
VDD <启动阈值
VC = 0V
I
DD
= 10毫安
EN = 0V
13.5
85
300
15
100
130
600
16.5
150
A
A
V
A
1.9
1.7
180
5
2.0
1.8
230
10
2.1
1.9
280
15
V
V
mV
A
SS = 2V
–9
–11.5
–14
A
I = 100毫安
I = -100mA ， VDD - OUT
（注1 ）
0.6
0.6
20
1.2
1.2
100
V
V
ns
–150
0.4
20
0.5
150
0.6
nA
V
测试条件
民
典型值
最大单位
注1 ：通过设计保证。不是100 ％生产测试
引脚说明
CT ：
振荡器的定时电容引脚。最小值为
100pF.
DC最小值：
输入用于编程的最小占空比
其中，脉冲跳跃开始。该引脚可接地
禁用最小占空比特性和脉冲
跳绳。
恩：
使能输入。该引脚有一个内部10μA上拉。一
逻辑低输入抑制PWM输出，并且使
软启动电容放电。
GND ：
电路接地。
GT ：
销，用于控制一个外部耗尽的栅
模式N-MOSFET的启动电源。外部
N-MOSFET调节VDD为7.5V ，直到引导
供应上来，那么GT变低。
ISEN ：
输入过流比较器。此功能可以
用于脉冲由脉冲电流限制。门槛
为0.5V标称。
OUT ：
栅极驱动输出至外部N -MOSFET 。
REF ：
4.0V参考电压输出。最小值绕行
所需的稳定性1.0μF的电容器。
RT1 ：
电阻引脚编程振荡器的充电电流。
3
2 .0
V
.
振荡器充电电流为9.2
RT
1
见应用图所示。 1 。
2 .0
V
.
目前进入该引脚为
RT
1
RT1的值应该是220K和1MΩ之间。
RT2 ：
电阻引脚编程振荡器放电时间。
RT2的最低值是10kΩ 。请参阅应用
图所示。 1 。
SS:
软启动电容引脚。充电电流超出
SS是3.75×电流在RT1 。
SYNC ：
振荡器同步引脚。上升沿
触发CMOS / TTL兼容的输入与2.1V
门槛。如果不使用SYNC应该接地。该
在SYNC信号的最小脉冲宽度为100ns 。
VC ：
控制电压输入到PWM比较器。该
VC的名义控制范围为1.0V至2.5V 。
VDD ：
芯片输入功率的15V内部钳位。 VDD
通过启动FET调节到7.5V ，直到引导
电压出现。需要VDD在芯片被绕过
用一个0.1μF的电容最小。
UCC1581
UCC2581
UCC3581
应用信息（续）
外部旁路4.0V基准由控制
欠压锁定和芯片使能电路。本恩
可以输入内部连接到10μA电流源
这使引脚通过一个集电极开路驱动
驱动程序。该器件还允许，如果EN浮动。该
UCC3581具有软起动功能，需要用户
附送的外接定时电容。当软启动
模式，软启动电容，C
SS
被指控
恒流源。软启动电流为3.75X
目前在RT1 。
有一个片上控制放大器，驾驶时这
外部耗尽型N-MOSFET的栅极，作用
作为一个7.5V线性预调节器直接从供应VDD
主输入电源线。前置调节器可以分
sequently由三级引导绕组完全禁用
提供最低8.2V的VDD引脚。
DC最小值的计算
DC最小值对于一个给定的占空因数的计算方法如下：
V
=
i
OSC
DC
其中：
I =振荡器充电电流= 9.2 。 （ 2.0V / RT1 ）
DC =占空比，为1的一小部分
t
ON
= 0.082
RT1
CT
t
关闭
= 0.95
RT2
CT
C
T
=振荡器电容
CT引脚斜压摆率从1V到2.5V 。因此，加
V
到1V让DC最小值电压。
例如：对于10 ％的占空比与RT1 = 680kΩ ， RT2 =
12KΩ ，和CT = 705pF ，
DC最小值
=
1
+
0.18
V
=
1.18
V
V
一个典型的微应用
在图中所示的电路。图3示出了使用的
UCC3581的微应用程序。在5V隔离
反激式电源采用的是最小的部分，其运作的
茨超过8：1的输入电压范围（ 15VDC至120VDC ）
同时提供5V稳压输出负载摇摆
从0W到1W 。它工作在非连续模式
在较重的轻负载或高线，和连续模式
负荷和低线电压。高输入电源电压
有可能通过简单地增加的电压额定值
C1 ，Q1， D1和D2 。
该设计的最显着特点是它的效率。
与1瓦的负载，典型的效率是82％ ，滴
平约50mW的70 ％ 。只有12.5MW的负荷，
效率仍高达50％。在这个负载，用
50V的输入，总输入电流仅为500μA 。
注意，电源可以通过拉动被禁用
UCC3581使引脚为低电平，在这种情况下，输入电流
下降到小于150μA 。
该UCC3581由低手段实现了非常低的损耗
静态电流和脉冲跳跃在轻负载时其
减少开关损耗。脉冲跳跃的程度
通过编程的最小占空比的控制。在
本实施例中，频率是35kHz的最大负荷时
并丢弃到12.5MW负载<2kHz （最小脉冲
的周围6μsec ，或21 ％的占空比宽度在35kHz的） 。
另一种方法损失减少与一个VDD工作
大约10V ，而不是更常见的12V至16V 。
在这样的光线初级电流， MOSFET的保持
全饱和度远低于10V的栅极驱动电压。
栅极驱动损耗通过选择一个最小的MOSFET
低总栅极电荷，在这种情况下，只有8nC马克西
妈妈。通过选择一个大的栅极驱动电阻， EMI是MIN-
通过降低峰值电流imized 。由于脉冲跳跃，
开关时间是在轻负载时的效率不那么重要。
并联稳压器（ LM3411 ）和光电耦合器
（ MOC8100 ）也是关键所在，在这样的光效率
载荷，并选择了他们的低工作电流。
该LM3411也只有马克西150μA静态电流
妈妈（比至1mA为多见TL431 ） 。在
此外，因为它不是一个三端装置，所述
LM3411的静态电流中不流
光耦的LED 。由于该偏置电流不在
反馈控制的路径，为更高的值的上拉电阻可以
光耦输出晶体管一起使用，再进一步
(
t
ON
+
t
关闭
)
C
T
V
=
i
OSC
DC
(
t
ON
+
t
关闭
)
C
T
=
2 .0
V
5
6
(
0.1
)
4 .182
10
美国证券交易委员会
+
8.55
10
美国证券交易委员会
9.2
680
k
12
750
10
V
=
0.18
V
因此，
5
应用
信息
可用的
UCC1581
UCC2581
UCC3581
微功耗电压模式PWM
特点
低的85μA启动电流
低300μA工作电流
自动禁用
启动预调节器
可编程最小占空比
周期循环跳绳
可编程最大
占空比
输出电流1A峰值
源库
可编程软启动
可编程振荡器
频率
外部振荡器
同步能力
框图
注：图中所示为14引脚封装引脚连接
UDG-95011-1
描述
该UCC3581电压模式脉冲宽度调制器DE-是
签署控制的低功率隔离式直流 - 直流转换器
中的应用，如用户线路电源（ISDN
I.430 ） 。主要用于单开关正激和
反激式转换器中， UCC3581功能的BiCMOS税务局局长
cuitry低启动和工作电流，并保
泰宁驱动功率MOSFET的能力
频率高达100kHz 。该UCC3581振荡器AL-
低点编程的频率和所述的弹性
最大占空比与两个电阻器和一个电容器。一
TTL电平的输入也提供给允许同步
到一个外部频率源。
该UCC3581包括可编程软启动电路，
过电流检测，一个7.5V线性前置调节到CON组
控制芯片V
DD
在启动过程中，和一个板上4.0V逻辑
供应量。
该UCC3581提供的功能，以最大限度地提高轻负载
通常不会在PWM控制器中的效率。
结合线性预调节器驱动程序与一个外部
最终耗尽型N-MOSFET提供了初步控制
力。一旦自举电源功能，在
前置调节器被关闭，以节省电力。在光
负载，电源被保存提供了一个可编程的微型
妈妈占空比钳位。当下面的一个工作周期
最小的要求，该调制器将跳过循环到亲
韦迪所需输出正确的平均占空比
调节。这有效地降低了开关频
昆西，节能显著栅极驱动和功率级
损失。
该UCC3581是14引脚塑料和陶瓷提供
双列直插式封装和14引脚窄体小
概述IC封装（ SOIC ） 。该UCC1581被指定为
从操作
55°C
至+ 125 ° C时， UCC2581是试样
田间从操作
40°C
至+ 85 ℃，并在
UCC3581是从0℃至+ 70℃的规定工作。
1999年3月 - 修订2003年3月 - SLUS295B
UCC1581
UCC2581
UCC3581
绝对最大额定值
电源电压（I
DD
≤
10毫安） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
V
REF
电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10mA
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1A
模拟输入
EN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至（ VDD + 0.3V ）
VC， ISEN ， SYNC ， DC最小值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到（V
REF
+ 0.3V)
在T功耗
D
= 25°C
（N ，J ，Q ， L封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
（D包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.65W
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55℃到+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
连接图
DIL - 14 ， SOIC -14 （ TOP VIEW ）
的n或j ，D套餐
除非另有说明，所有电压都是相对于
地面上。电流成正，负出指定之三的
minal 。请教包装数据手册中科热limi-
tations和包的考虑。
订购信息
UCC1581J
UCC2581D
UCC2581N
UCC3581D
UCC3581N
温度范围
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
包
CDIP
SOIC
PDIP
SOIC
PDIP
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于VDD = 10V ， 0.1μF的电容
从VDD到GND ， 1.0μF电容， REF和GND ， RT1 = 680kΩ ， RT2 = 12KΩ ， CT = 750pF和T
A
= T
J
.
参数
参考科
输出电压
负载调整率
欠压锁定部分
启动阈值
最低工作电压起动后
迟滞
线性预调节器节
稳压电压VDD
调节VDD到UVLO三角洲
VDD覆盖门限
振荡器部分
频率
温度稳定性
CT峰值电压
CT谷值电压
SYNC VIH
SYNC VIL
PWM节
最大占空比
最小占空比
输入偏置电流
（ VC < 1.0V ） DC最小值= 0V
（VC > 1.0V ，在周期的开始） DC最小值= 1.18V
（ DC最小值） ， （注1 ）
（ VC ） ， （注1 ）
7
–150
–150
10
20
20
81
84
87
0
13
150
150
%
%
%
nA
nA
（注1 ）
25°C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
1.9
18
19.5
3.0
2.5
1.0
2.1
1.8
2.3
21
千赫
%
V
V
V
V
7.0
100
7.5
230
8.0
600
8.2
V
mV
V
6.7
6.2
0.2
7.3
6.8
0.5
7.9
7.4
0.8
V
V
V
I = -0.2mA
-5.0mA <我< -0.2mA
3.94
4.0
20
4.06
45
V
mV
测试条件
民
典型值
最大单位
2
UCC1581
UCC2581
UCC3581
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于VDD = 10V ， 0.1μF的电容
从VDD到GND ， 1.0μF电容， REF和GND ， RT1 = 680kΩ ， RT2 = 12KΩ ， CT = 750pF和T
A
= T
J
.
参数
电流检测科
输入偏置电流
过流阈值
输出部分
输出低电平
OUT高层
上升/下降时间
软启动第
软启动电流
芯片使能节
VIH
VIL
迟滞
源出电流
总体组
启动电流
工作电源电流
VDD稳压分流电压
I
DD
待机分流电压
VDD <启动阈值
VC = 0V
I
DD
= 10毫安
EN = 0V
13.5
85
300
15
100
130
600
16.5
150
A
A
V
A
1.9
1.7
180
5
2.0
1.8
230
10
2.1
1.9
280
15
V
V
mV
A
SS = 2V
–9
–11.5
–14
A
I = 100毫安
I = -100mA ， VDD - OUT
（注1 ）
0.6
0.6
20
1.2
1.2
100
V
V
ns
–150
0.4
20
0.5
150
0.6
nA
V
测试条件
民
典型值
最大单位
注1 ：通过设计保证。不是100 ％生产测试
引脚说明
CT ：
振荡器的定时电容引脚。最小值为
100pF.
DC最小值：
输入用于编程的最小占空比
其中，脉冲跳跃开始。该引脚可接地
禁用最小占空比特性和脉冲
跳绳。
恩：
使能输入。该引脚有一个内部10μA上拉。
一个逻辑低电平输入禁止PWM输出，并使
软启动电容放电。
GND ：
电路接地。
GT ：
销，用于控制一个外部耗尽的栅
模式N-MOSFET的启动电源。外部
N-MOSFET调节VDD为7.5V ，直到引导
供应上来，那么GT变低。
ISEN ：
输入过流比较器。此功能可以
用于脉冲由脉冲电流限制。门槛
为0.5V标称。
OUT ：
栅极驱动输出至外部N -MOSFET 。
REF ：
4.0V参考电压输出。最小值绕行
所需的稳定性1.0μF的电容器。
RT1 ：
电阻引脚编程振荡器的充电电流。
3
2 .0
V
.
振荡器充电电流为9.2
RT
1
见应用图所示。 1 。
2 .0
V
.
目前进入该引脚为
RT
1
RT1的值应该是220K和1MΩ之间。
RT2 ：
电阻引脚编程振荡器放电时间。
RT2的最低值是10kΩ 。请参阅应用
图所示。 1 。
SS:
软启动电容引脚。充电电流超出
SS是3.75×电流在RT1 。
SYNC ：
振荡器同步引脚。上升沿
触发CMOS / TTL兼容的输入与2.1V
门槛。如果不使用SYNC应该接地。该
在SYNC信号的最小脉冲宽度为100ns 。
VC ：
控制电压输入到PWM比较器。该
VC的名义控制范围为1.0V至2.5V 。
VDD ：
芯片输入功率的15V内部钳位。 VDD
通过启动FET调节到7.5V ，直到引导
电压出现。需要VDD在芯片被绕过
用一个0.1μF的电容最小。
UCC1581
UCC2581
UCC3581
应用信息（续）
外部旁路4.0V基准由控制
欠压锁定和芯片使能电路。本恩
可以输入内部连接到10μA电流源
这使引脚通过一个集电极开路驱动
驱动程序。该器件还允许，如果EN浮动。该
UCC3581具有软起动功能，需要用户
附送的外接定时电容。当软启动
模式，软启动电容，C
SS
被指控
恒流源。软启动电流为3.75X
目前在RT1 。
有一个片上控制放大器，驾驶时这
外部耗尽型N-MOSFET的栅极，作用
作为一个7.5V线性预调节器直接从供应VDD
主输入电源线。前置调节器可以分
sequently由三级引导绕组完全禁用
提供最低8.2V的VDD引脚。
DC最小值的计算
DC最小值对于一个给定的占空因数的计算方法如下：
V
=
i
OSC
DC
其中：
I =振荡器充电电流= 9.2 。 （ 2.0V / RT1 ）
DC =占空比，为1的一小部分
t
ON
= 0.082
RT1
CT
t
关闭
= 0.95
RT2
CT
C
T
=振荡器电容
CT引脚斜压摆率从1V到2.5V 。因此，加
V
到1V让DC最小值电压。
例如：对于10 ％的占空比与RT1 = 680kΩ ， RT2 =
12KΩ ，和CT = 705pF ，
一个典型的微应用
在图中所示的电路。图3示出了使用的
UCC3581的微应用程序。在5V隔离
反激式电源采用的是最小的部分，其运作的
茨超过8：1的输入电压范围（ 15VDC至120VDC ）
同时提供5V稳压输出负载摇摆
从0W到1W 。它工作在非连续模式
在较重的轻负载或高线，和连续模式
负荷和低线电压。高输入电源电压
有可能通过简单地增加的电压额定值
C1 ，Q1， D1和D2 。
该设计的最显着特点是它的效率。
与1瓦的负载，典型的效率是82％ ，滴
平约50mW的70 ％ 。只有12.5MW的负荷，
效率仍高达50％。在这个负载，用
50V的输入，总输入电流仅为500μA 。
注意，电源可以通过拉动被禁用
UCC3581使引脚为低电平，在这种情况下，输入电流
下降到小于150μA 。
该UCC3581由低手段实现了非常低的损耗
静态电流和脉冲跳跃在轻负载时其
减少开关损耗。脉冲跳跃的程度
通过编程的最小占空比的控制。在
本实施例中，频率是35kHz的最大负荷时
并丢弃到12.5MW负载<2kHz （最小脉冲
的周围6μsec ，或21 ％的占空比宽度在35kHz的） 。
另一种方法损失减少与一个VDD工作
大约10V ，而不是更常见的12V至16V 。
在这样的光线初级电流， MOSFET的保持
全饱和度远低于10V的栅极驱动电压。
栅极驱动损耗通过选择一个最小的MOSFET
低总栅极电荷，在这种情况下，只有8nC马克西
妈妈。通过选择一个大的栅极驱动电阻， EMI是MIN-
通过降低峰值电流imized 。由于脉冲跳跃，
开关时间是在轻负载时的效率不那么重要。
并联稳压器（ LM3411 ）和光电耦合器
（ MOC8100 ）也是关键所在，在这样的光效率
载荷，并选择了他们的低工作电流。
该LM3411也只有150μA MAX-静态电流
imum （比至1mA为多见TL431 ） 。
此外，因为它不是一个三端装置，所述
LM3411的静态电流中不流
光耦的LED 。由于该偏置电流不在
反馈控制的路径，为更高的值的上拉电阻可以
光耦输出晶体管一起使用，再进一步
ducing损失。
(
t
ON
+
t
关闭
)
C
T
V
=
i
OSC
DC
(
t
ON
+
t
关闭
)
C
T
=
2 .0
V
(
0.1
)
4 .182
10
5
美国证券交易委员会
+
8.55
10
6
美国证券交易委员会
9.2
680
k
750
10
12
V
=
0.18
V
因此，
DC最小值
=
1
+
0.18
V
=
1.18
V
V
5
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