UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UK3019
初步
功率MOSFET
2.5V驱动硅
N沟道MOSFET
描述
在UTC
UK3019
是硅的N沟道MOSFET具有
旨在最大限度地减少通态电阻,同时它提供了
坚固,可靠和快速的开关性能。该产品是
特别适用于低电压,低电流的应用,例如
小伺服电机的控制器,功率MOSFET栅极驱动器,和
其他开关应用。
3
2
1
SOT-23-3
( JEDEC TO- 236 )
特点
*闵V
DSS
=30V
* R
DS ( ON)
=5(V
GS
=4V)
* R
DS ( ON)
=7(V
GS
=2.5V)
*脉冲ID = 400毫安
*低电压驱动( 2.5V )
符号
订购信息
订购数量
UK3019G-AE2-R
包
SOT-23-3
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-311.b
UK3019
参数
漏源电压
栅源电压
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
( TA = 25° С ,除非另有规定)
符号
评级
单位
V
DSS
30
V
V
GSS
±20
V
连续
I
D
100
mA
漏电流
脉冲(注2)
I
DP
400
mA
功率耗散(注3 )
P
D
200
mW
结温
T
J
+150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2. Pw≤10μs ,职务cycle≤50 %
3.每个引脚安装在推荐的土地。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
625
单位
°С/W
电气特性
( TA = 25° С ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
R
t
D(关闭)
t
F
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=10μA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
= 3V ,我
D
=100μA
I
D
= 10毫安,V
GS
= 4V
I
D
= 1mA时, V
GS
= 2.5V
民
30
1.0
±1
0.8
5
7
13
9
4
15
35
80
80
1.5
8
13
典型最大单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=5V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 5V, V
DD
≈5V
I
D
= 10毫安,R
L
= 500, R
G
= 10
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QW-R502-311.b
UK3019
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
脉冲宽度
90%
V
GS
R
G
I
D
D.U.T
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
50%
10%
90%
t
D(关闭)
t
F
t
关闭
V
DD
t
D(上)
t
R
t
ON
90%
开关时间测量电路
开关时间波形
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠,可恕不另行通知。
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