UFB120FA20P
威世半导体
绝缘超快整流器模块， 120一
特点
两个完全独立的二极管
陶瓷完全绝缘包
(V
ISOL
= 2500 V
AC
)
超快反向恢复
超软反向恢复电流波形
低正向电压
SOT-227
优化电源转换：焊接和工业
SMPS应用
行业标准大纲
插入式兼容其他SOT- 227封装
易于组装
直接安装到散热器
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
产品概述
V
R
I
F（ AV ）
在T
C
= 90 °C
t
rr
200 V
120 A
28纳秒
描述
该UFB120FA20P绝缘模块集成两个国家
在艺术威世半导体超快恢复整流器
紧凑的工业标准SOT- 227封装。该
二极管的平面结构，并在铂掺杂寿命
时间控制，提供了超软恢复电流波形，
具有最佳的综合性能，耐用性和一起
可靠性的特点。
因此，这些器件用于高频
应用，其中所述的开关能量是设计不
要的总能量的主要部分，如在
输出整流级焊接机，开关电源，
直流 - 直流转换器。他们非常优化的存储
电荷和低恢复电流同时减少了
耗散在所述开关元件（和缓冲器）和
EMI / RFI 。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
每个二极管连续正向电流
单脉冲正向电流每二极管
每个模块的最大功耗
RMS的隔离电压
工作结温和存储温度
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
D
V
ISOL
T
J
, T
英镑
T
C
= 90 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
任何终端的情况下， T = 1分
测试条件
马克斯。
200
60
A
850
110
2500
- 55 150
W
V
°C
单位
V
文档编号： 94522
修订： 21 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
UFB120FA20P
威世半导体
绝缘超快
整流模块， 120一
每二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
阴阳极击穿电压
正向电压
符号
V
BR
V
FM
I
R
= 100 μA
I
F
= 60 A
I
F
= 60 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.96
0.79
-
-
105
马克斯。
-
1.13
0.90
100
1.0
-
μA
mA
pF
V
单位
反向漏电流
结电容
I
RM
C
T
动态恢复特性每二极管
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 50 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 100 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
32
64
4.0
8.2
64
263
马克斯。
28
-
-
-
A
-
-
nC
-
ns
单位
反向恢复电荷
Q
rr
热 - 机械特性
参数
结到管壳，
单二极管导通
结到管壳，
两个二极管导通
案件散热器
重量
安装力矩
符号
测试条件
分钟。
-
R
thJC
-
R
乡镇卫生院
平，脂面
-
-
-
0.4
0.05
30
1.3
0.55
-
-
-
g
Nm
典型值。
0.8
马克斯。
1.1
K / W
单位
www.vishay.com
2
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修订： 21 10年7月
UFB120FA20P
绝缘超快
整流模块， 120一
100
威世半导体
1000
反向电流 - I
R
(A)
TJ = 150℃
10
1
0.1
0.01
0.001
0
50
100
125C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
100
150
200
反向电压 - V
R
(V)
TJ = 150℃
TJ = 125°C
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
TJ = 25°C
10
1
0.2
结电容 - C
T
（PF ）
TJ = 25°C
100
0.6
1
1.4
1.8
1
10
100
1000
正向电压下降 - V
FM
(V)
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
（每二极管）
10
（ ° C / W）
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
thJC
热阻抗Z
1
单脉冲
（热阻抗）
P
DM
t1
0.1
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
t2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
（每二极管）
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3
UFB120FA20P
威世半导体
绝缘超快
整流模块， 120一
80
150
允许外壳温度（ ℃）
70
60
50
TRR （ NS ）
IF = 50A
VRR = 200V
140
130
120
110
100
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
TJ = 125°C
DC
40
30
20
TJ = 25°C
90
见注（ 1 ）
80
0
10
20
30
40
50
60
70
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
10
0
100
dI
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每二极管）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
800
60
平均功耗（瓦）
700
RMS限制
IF = 50A
VRR = 200V
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
600
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
QRR （ NC ）
500
400
300
200
70
TJ = 125°C
40
50
60
100
0
100
TJ = 25°C
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
1000
dI
F
/ DT （ A / μs）内
图。 6 - 正向功率损耗（每个二极管）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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4
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文档编号： 94522
修订： 21 10年7月
UFB120FA20P
绝缘超快
整流模块， 120一
V
R
= 200 V
威世半导体
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94522
修订： 21 10年7月
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UFB120FA20P
日前，Vishay高功率产品
绝缘超快
整流模块， 120一
特点
两个完全独立的二极管
陶瓷完全绝缘包
(V
ISOL
= 2500 V
AC
)
超快反向恢复
超软反向恢复电流波形
低正向电压
1
4
RoHS指令
柔顺
优化电源转换：焊接和工业
SMPS应用
行业标准大纲
插入式兼容其他SOT- 227封装
易于组装
2
3
直接安装到散热器
UL E78996批准
完全无铅（Pb ） - 免费
设计和工业级合格
SOT-227
描述
该UFB120FA20P绝缘模块集成两个国家
在艺术的Vishay HPP超快恢复整流器
紧凑的工业标准SOT- 227封装。平面
二极管的结构，和铂掺杂寿命时间
控制，提供了超软恢复电流的造型，一起
用最佳的整体性能，耐用性和可靠性
的特点。
因此，这些器件用于高频
应用，其中所述交换能量的目的是不
为总能量的主要部分，如在
输出整流级焊接机，开关电源，
直流 - 直流转换器。他们非常优化的存储
电荷和低恢复电流同时减少了
耗散在所述开关元件（和缓冲器）和
EMI / RFI 。
产品概述
V
R
I
F（ AV ）
在T
C
= 90 °C
t
rr
200 V
120 A
28纳秒
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
每个二极管连续正向电流
单脉冲正向电流每二极管
每个模块的最大功耗
RMS的隔离电压
工作结温和存储温度
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
D
V
ISOL
T
J
, T
英镑
T
C
= 90 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
任何终端的情况下， T = 1分
测试条件
马克斯。
200
60
A
850
110
2500
- 55 150
W
V
°C
单位
V
文档编号： 94522
修订： 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1
UFB120FA20P
日前，Vishay高功率产品
绝缘超快
整流模块， 120一
每二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
阴阳极击穿电压
正向电压
符号
V
BR
V
FM
I
R
= 100 A
I
F
= 60 A
I
F
= 60 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.96
0.79
-
-
105
马克斯。
-
1.13
0.90
100
1.0
-
A
mA
pF
V
单位
反向漏电流
结电容
I
RM
C
T
动态恢复特性每二极管
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
=
30
V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 50 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 100 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
32
64
4.0
8.2
64
263
马克斯。
28
-
-
-
A
-
-
nC
-
ns
单位
反向恢复电荷
Q
rr
热 - 机械特性
参数
结到管壳，
单二极管导通
结到管壳，
两个二极管导通
案件散热器
重量
安装力矩
符号
测试条件
分钟。
-
R
thJC
-
R
乡镇卫生院
平，脂面
-
-
-
0.4
0.05
30
1.3
0.55
-
-
-
g
Nm
典型值。
0.8
马克斯。
1.1
K / W
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
文档编号： 94522
修订： 07- 08年5月
UFB120FA20P
绝缘超快
整流模块， 120一
日前，Vishay高功率产品
100
1000
反向电流 - I
R
(A)
TJ = 150℃
10
1
0.1
0.01
0.001
0
50
100
125C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
100
150
200
反向电压 - V
R
(V)
TJ = 150℃
TJ = 125°C
结电容 - C
T
（PF ）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
TJ = 25°C
TJ = 25°C
10
1
0.2
100
0.6
1
1.4
1.8
1
10
100
1000
正向电压下降 - V
FM
(V)
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
（每二极管）
10
（ ° C / W）
图。
3
- 典型结电容与
反向电压
thJC
热阻抗Z
1
单脉冲
（热阻抗）
P
DM
t1
0.1
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
t2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
（每二极管）
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www.vishay.com
3
UFB120FA20P
日前，Vishay高功率产品
绝缘超快
整流模块， 120一
80
150
允许外壳温度（ ℃）
70
60
50
TRR （ NS ）
IF = 50A
VRR = 200V
140
130
120
110
100
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
TJ = 125°C
DC
40
30
20
TJ = 25°C
90
见注（ 1 ）
80
0
10
20
30
40
50
60
70
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
10
0
100
dI
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每二极管）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
800
60
平均功耗（瓦）
700
RMS限制
IF = 50A
VRR = 200V
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
600
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
QRR （ NC ）
500
400
300
200
70
TJ = 125°C
40
50
60
100
0
100
TJ = 25°C
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
1000
dI
F
/ DT （ A / μs）内
图。 6 - 正向功率损耗（每个二极管）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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修订： 07- 08年5月
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绝缘超快
整流模块， 120一
V
R
= 200 V
日前，Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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