5818-F
UCN5818EPF
串行
数据输出
负载
供应
逻辑
供应
串行
DATA IN
OUT
30
OUT
31
OUT
32
OUT
1
OUT
2
NC
OUT
3
采用BiMOS II 32位串行输入，锁存
与ACTIVE- DMOS下拉功能源极驱动器
主要设计用于真空荧光显示屏，
UCN5818AF和UCN5818EPF智能电源采用BiMOS II驱动程序相结合
CMOS移位寄存器，数据锁存器和控制电路，具有双极性的高
采购的速度输出和DMOS主动下拉电路。在高
高速移位寄存器和数据锁存允许直接连接与microproces-
感器的LSI的系统。 CMOS串行数据输出允许级联连接
系统蒸发散在需要附加驱动线路的应用。两款器件均具有
60 V和-40 mA输出的收视率，让他们可以在许多其他使用
外围功率驱动器应用。
这些智能功率驱动器的设计与采用BiMOS II逻辑
提高数据录入速度。采用5 V电源，它会运行到至少3.3
兆赫。在12V，更高的速度也是可能的。使用这些设备的TTL
可能需要使用适当的上拉电阻，以确保输入的逻辑
高。所有设备都可以在环境温度范围内操作 -
20 ° C至+ 85°C 。该UCN5818AF是在一个40引脚塑料双列直插提供
包0.600" （15.24 MM）行间距。铜引线框架，减少
供电电流要求，以及低输出饱和电压许可证
操作以最小的结温升高。在' A'包允许
所有32个输出在-25毫安不断在工作操作
温度范围。
用于高密度封装的应用中， UCN5818EPF配
在一个44引脚塑料芯片载体（四组）表面安装焊料
土地与0.050" （1.27 MM）中心。该PLCC允许-25 mA连续
所有输出的同时，在环境温度至60℃的操作。
类似的设备可作为UCN5810AF / LWF （10位） ， UCN5811A
（12位） ，和UCN5812AF / EPF （20位）。
数据表
26182.28C
V
DD
44
43
V
BB
42
41
40
6
3
5
4
2
1
OUT
29
7
8
9
10
注册
注册
锁存器
2
39
38
37
36
OUT
4
锁存器
11
12
13
14
15
16
OUT
19
17
35
34
33
19
32
31
30
OUT
13
NC
OUT
8
BLNK
29
CLK
ST
20
27
OUT
14
18
23
19
24
25
消隐
21
地
22
OUT
17
频闪
OUT
15
26
NC
OUT
18
OUT
16
时钟
NC
28
DWG 。 PP- 059-2
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
.................... 15 V
驱动器电源电压，V
BB
................... 60 V
连续输出电流，
I
OUT
.........................
-40 mA至15毫安
输入电压范围，
V
IN
.......................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
(UCN5818AF)
............................ 3.5 W*
(UCN5818EPF)
......................... 2.7 W
工作温度范围，
T
A
.................................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
...............................
-55
°
C至+150
°
C
*降容在28毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
减额在22毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
特点
I
I
I
I
I
60 V电源输出
高速源驱动
至3.3 MHz的数据输入速率
低输出饱和电压
DMOS主动下拉电阻
I
低功耗CMOS逻辑器件
和锁存器
I
降低电源电流
需求
I
改进的替代品
SN75518N/FN
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5818EPF 。
5818-F
32位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5818AF
功能框图
负载
供应
串行
数据输出
OUT
32
OUT
31
OUT
30
OUT
29
OUT
28
OUT
27
OUT
26
OUT
25
OUT
24
OUT
23
OUT
22
OUT
21
OUT
20
OUT
19
OUT
18
OUT
17
消隐
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
注册
注册
锁存器
锁存器
V
BB
V
DD
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
逻辑
供应
串行
DATA IN
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
OUT
9
OUT
10
OUT
11
OUT
12
OUT
13
OUT
14
OUT
15
OUT
16
频闪
时钟
时钟
串行
DATA IN
频闪
V
DD
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
消隐
MOS
双极
负载
供应
V
BB
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
BLNK
地
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
N
DWG 。 FP- 013-1
典型的输入电路
V
DD
ST
CLK
22
21
IN
DWG 。 PP- 029-4
3.0
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
2.5
后缀' A' ，R
θJA
= 36 ° C / W
DWG 。 EP- 010-5
2.0
典型的输出驱动器
V
BB
1.5
后缀' EP '，R
θJA
= 46 ° C / W
1.0
OUT
N
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°C
150
DWG 。编号A- 14219
DWG 。 GP- 025A
DWG 。 GP- 025A
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1988年， 2000 Allegro MicroSystems公司
5818-F
32位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
在T电气特性
A
= + 25
°
C，V
BB
= 60伏，除非另有说明。
限@ V
DD
= 5 V
特征
输出漏电流
输出电压
符号
I
CEX
V
OUT(1)
V
OUT(0)
测试条件
V
OUT
= 0 V ，T
A
= +70°C
I
OUT
= -25毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 2毫安
输出下拉电流
I
OUT(0)
V
OUT
= 5 V到V
BB
V
OUT
= 20 V到V
BB
输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
串行数据输出电压
V
OUT(1)
V
OUT(0)
最大时钟频率
电源电流
f
CLK
I
DD(1)
I
DD(0)
I
BB(1)
I
BB(0)
消隐到输出延迟
t
PHL
t
PLH
输出下降时间
输出上升时间
t
f
t
r
所有输出高
所有输出低
输出高，空载
输出低电平
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，90％至10％的
C
L
= 30 pF的，10％至90％的
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0.8 V
I
OUT
= -200
A
I
OUT
= 200
A
万。
—
58
—
—
2.0
—
3.5
-0.3
—
—
4.5
—
3.3*
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
-5.0
58.5
2.0
—
3.5
—
—
—
0.05
-0.05
4.7
200
—
100
100
3.0
10
2000
1000
1450
650
马克斯。
-15
—
3.0
—
—
—
5.3
+0.8
0.5
-0.5
—
250
—
300
300
6.0
100
—
—
—
—
限@ V
DD
= 12 V
分钟。
—
58
—
—
—
8.0
10.5
-0.3
—
—
11.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
-5.0
58.5
—
2.0
—
13
—
—
0.1
-0.1
11.8
100
—
200
200
3.0
10
1000
850
650
700
马克斯。
-15
—
—
3.5
—
—
12.3
+0.8
1.0
-1.0
—
200
—
500
500
6.0
100
—
—
—
—
单位
A
V
V
V
mA
mA
V
V
A
A
V
mV
兆赫
A
A
mA
A
ns
ns
ns
ns
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
*操作的时钟频率大于规定的最小值是可能的，但不warranteed 。
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5818-F
32位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
串行数据输入端存在被转印
上的逻辑，移位寄存器的“0 ”到逻辑“1”的
该时钟输入脉冲的过渡。上
以后的时钟脉冲，移位寄存器的数据
对串行数据信息OUT-
PUT 。串行数据必须出现在
输入之前的时钟输入的上升沿
波形。
信息存在任何寄存器传输
ferred到各自的锁存器时，该选通
是高（串行到并行转换）。该
锁存器将继续，只要接受新数据
在选通脉冲保持高电平。应用场合
锁存器被旁路（频闪拉高）会
需要消隐输入是在高
串行数据输入。
当消隐输入为高时，
输出源驱动器被禁用（ OFF） ;该
DMOS下沉司机开，信息
存储在锁存器中不会受
消隐输入。随着消隐输入
低时，输出由状态控制
它们各自的锁存器。
时钟
DATA IN
A
B
D
E
C
F
频闪
消隐
G
OUT
N
DWG 。编号A- 12,649A
时序要求
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 5 V ，逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时钟脉冲之前
（数据建立时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75纳秒
B.
最小数据有效时间时钟脉冲后
（数据保持时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75纳秒
C.
最小数据脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150纳秒
D.
最小时钟脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150纳秒
E.
之间的时钟激活和频闪最短时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
300纳秒
F.
最小选通脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100纳秒
G.
间频闪激活和典型时间
输出Transistion 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
500纳秒
时间就是代表一个3.3 MHz的时钟。更高的速度可能会达到
增加的电源电压;操作在高温下会降低
规定的最大时钟频率。
真值表
串行
移位寄存器的内容
数据时钟
输入输入我
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
H
L
X
H
L
R
1
R
2
...
R
1
R
2
...
R
N-2
R
N-1
R
N-2
R
N-1
R
N-1
R
N
X
X
串行
数据选通
输出输入
R
N-1
R
N-1
R
N
X
P
N
L
H
R
1
R
2
R
3
...
P
1
P
2
P
3
...
X
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
...
I
N-1
I
N
消隐
输出内容
I
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
R
1
R
2
R
3
...
X
X
X
...
R
N-1
R
N
P
N-1
P
N
X
X
L
H
P
1
P
2
P
3
... P
N-1
P
N
L
L
L
... L
L
P
1
P
2
P
3
...
P
N-1
P
N
X
X
...
P =现状
R =以前的状态
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
5818-F
32位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5818AF
尺寸以英寸
（控制尺寸）
40
21
0.015
0.008
0.700
最大
0.580
0.485
0.600
BSC
1
2
0.070
0.030
3
4
2.095
1.980
20
0.100
BSC
0.005
民
0.250
最大
0.015
民
0.200
0.115
0.022
0.014
DWG 。 MA- 003-40的
单位：毫米
（仅供参考）
21
0.381
0.204
40
17.78
14.73
12.32
最大
15.24
BSC
1
2
1.77
0.77
3
4
53.2
50.3
2.54
BSC
20
0.13
民
6.35
最大
0.39
民
5.08
2.93
0.558
0.356
DWG 。 MA- 003-40毫米
注：1 。
2.
3.
4.
确切的身体和领先的配置，在显示范围内的供应商的选择。
引线间距有容乃非累积。
铅厚度的测量是在座位平面或以下。
提供在9设备的标准棒/管。
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