TZS4678到TZS4717
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
在50 μA指定的齐纳电压
最大增量V
Z
从10 μA给予100 μA
非常高的稳定性
- 低噪声
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
应用
电压稳定
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
1.8 43
0.05
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
TZS4678到TZS4717
订购代码
TZS4678到
TZS4717-series-GS08
每卷胶带单位
2500 （每7"卷）
最小起订量
12 500 /盒
包
包名称
QuadroMELF SOD- 80
重量
34毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压（最大）
I
F
= 100毫安
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
R
thJA
≤
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
500
175
- 65 + 175
1.5
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
修订版1.7 ， 22 -NOV- 11
文档编号： 85613
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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TZS4678到TZS4717
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威世半导体
反向
当前
(3)
I
R
在V
R
μA
马克斯。
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
7.5
5
4
2
1
0.8
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
1
1
1
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.4
21.2
22.8
25
27.3
29.6
32.6
V
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
分钟。
TZS4678
TZS4679
TZS4680
TZS4681
TZS4682
TZS4683
TZS4684
TZS4685
TZS4686
TZS4687
TZS4688
TZS4689
TZS4690
TZS4691
TZS4692
TZS4693
TZS4694
TZS4695
TZS4696
TZS4697
TZS4698
TZS4699
TZS4700
TZS4701
TZS4702
TZS4703
TZS4704
TZS4705
TZS4706
TZS4707
TZS4708
TZS4709
TZS4710
TZS4711
TZS4712
TZS4713
TZS4714
TZS4715
TZS4716
TZS4717
1.71
1.9
2.09
2.28
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.265
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
(1)
1.8
2
2.2
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
马克斯。
1.89
2.1
2.31
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.135
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2 （2）
电压变化
(4)
ΔV
Z
V
马克斯。
0.7
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.9
0.75
0.5
0.1
0.08
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.3
0.33
0.36
0.39
0.43
笔记
(1)
公差和电压标识（ V） 。所示类型的数字有±5％的额定齐纳电压的标准容差。
Z
(2)
齐纳二极管的最大额定电流（ I） 。齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压
ZM
(3)
反向漏电流（ I） 。反向漏电流，保证在V所示测量在桌子上。
R
R
(4)
最大电压变化（ ΔV ） 。电压变化等于10 μA V在100 μA和V之间的差值。
Z
Z
Z
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
15
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
10
5
I
Z
= 5毫安
0
-5
80
120
160
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
200
95 9600
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
图。 1 -
总功率耗散与环境温度
图。 4 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
1000
200
T
j
= 25 °C
100
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
I
Z
= 5毫安
10
50
1
0
95 9598
0
5
10
15
20
25
95 9601
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 2 -
工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 5 -
二极管电容与Z-电压
1.3
100
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
I
F
- 正向电流（mA ）
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
10
1.1
1
T
j
= 25 °C
1.0
0.9
0
- 2×10 / K的
- 4 x 10
-4
/K
-4
0.1
0.01
0.8
- 60
95 9599
0.001
0
60
120
180
240
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
图。 6 -
正向电流与正向电压
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威世半导体
1000
100
80
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
10 10毫安
40
20
0
0
95 9604
1
4
6
8
12
20
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 7 -
Z-电流与Z-电压
图。 9 -
差分Z-电阻与Z-电压
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
40
I
Z
- Z-电流（mA ）
30
20
10
0
15
95 9607
20
25
30
35
V
Z
- z - 电压（V）
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （ KW ）
1000
t
p
/T = 0.5
100
t
p
/T = 0.2
单脉冲
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
JMAX
- T
AMB
t
p
/T = 0.01
t
p
/T = 0.1
t
p
/T = 0.02
i
ZM
= (-
V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
t
p
/T = 0.05
10
1
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
2
95 9603
图。 10 -
热响应
修订版1.7 ， 22 -NOV- 11
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
QuadroMELF SOD- 80
威世半导体
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
> R3 （ R0.118 ）
玻璃
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 （ 0.049 ）分钟。
2.5 （ 0.098 ）最大。
(0
.0
gl
作为67 ）
s
阴极鉴定
1.
7
5 （ 0.197 ）参考。
96 12071
修订版1.7 ， 22 -NOV- 11
文档编号： 85613
5
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2 （ 0.079 ）分钟。
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
在50 μA指定的齐纳电压
最大增量V
Z
鉴于从10 μA至
e2
100 A
非常高的稳定性
- 低噪声
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612009
应用
电压稳定
包装代码/选项：
每7"卷轴12.5 K /盒GS08 / 2.5
机械数据
案例：
QuadroMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 34毫克
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
R
thJA
≤
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
合计
/V
Z
175
- 65 + 175
单位
mW
mA
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
测试条件
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
结点到环境空气在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 100毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.5
单位
V
文档编号85613
修订版1.5 ， 15 -MAR -06
www.vishay.com
1
TZS4678到TZS4717
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
V
Z
在我
Z
= 50
μA
V
典型值
1)
TZS4678
TZS4679
TZS4680
TZS4681
TZS4682
TZS4683
TZS4684
TZS4685
TZS4686
TZS4687
TZS4688
TZS4689
TZS4690
TZS4691
TZS4692
TZS4693
TZS4694
TZS4695
TZS4696
TZS4697
TZS4698
TZS4699
TZS4700
TZS4701
TZS4702
TZS4703
TZS4704
TZS4705
TZS4706
TZS4707
TZS4708
TZS4709
TZS4710
TZS4711
TZS4712
TZS4713
TZS4714
TZS4715
TZS4716
TZS4717
1)
2)
3)
4)
马克斯。齐纳
当前
I
ZM2)
mA
最大
1.89
2.1
2.31
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
6.51
7.14
7.875
8.61
9.135
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
35
31.8
29
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
马克斯。电压
变化
ΔV
Z4)
V
0.7
0.7
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.5
0.1
0.08
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.3
0.33
0.36
0.39
0.43
马克斯。反向
当前
I
R3)
A
7.5
5
4
2
1
0.80
7.5
7.5
5
4
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
0,05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
测试电压
V
R3)
V
1
1
1
1
1
1
1.5
2
2
2
3
3
4
5
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.4
21.2
22.8
25
27.3
29.6
32.6
民
1.71
1.9
2.09
2.28
2.565
2.85
3.135
3.42
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
5.89
6.46
7.125
7.79
8.265
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
1.8
2
2.2
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
Toleranzing和电压标识（V
Z
） 。所示类型的数字有±5％的额定齐纳电压的标准容差。
最大齐纳电流额定值（我
ZM
） 。齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压。
反向漏电流（I
R
） 。反向漏电流，并保证在V测
R
如在表中所示。
最大电压变化（ ΔV
Z
） 。电压变化等于V之间的差
Z
在100 μA和V
Z
10 μA 。
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2
文档编号85613
修订版1.5 ， 15 -MAR -06
TZS4678...TZS4717
威世德律风根
1 ） Toleranzing和电压标识（V
Z
).
所示类型的数字有一个标准的公差
±
5％的额定齐纳电压。
2 ）最大齐纳额定电流（I
ZM
).
齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压。
3 ）反向漏电流（I
R
).
反向漏电流，并保证在V测
R
如在表中所示。
4 ）最大电压变化（
D
V
Z
).
电压变化等于V之间的差
Z
在100
m
A和V
Z
在10
m
A.
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
600
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
1.1
4
2
1.0
0.9
0.8
–60
0
–2 10
–4
/K
–4
10
–4
/K
40
80
120
160
200
95 9599
0
60
120
180
240
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
j
- 结温（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
1000
- 电压变化（MV ）
工作电压与图3.典型的变化
结温
TK
VZ
- 温度V系数
Z
( 10
–4
/K )
15
T
j
= 25°C
100
10
5
I
Z
=5mA
0
I
Z
=5mA
10
D
V
Z
1
0
95 9598
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
95 9600
工作电压下图2.典型的变化
工作条件在T
AMB
=25
°
C
图4.温度Vz的对比系数
Z-电压
文档编号85613
第2版， 01 -APR- 99
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威世德律风根
1 ） Toleranzing和电压标识（V
Z
).
所示类型的数字有一个标准的公差
±
5％的额定齐纳电压。
2 ）最大齐纳额定电流（I
ZM
).
齐纳二极管的最大额定电流是根据个别单位的最大齐纳电压。
3 ）反向漏电流（I
R
).
反向漏电流，并保证在V测
R
如在表中所示。
4 ）最大电压变化（
D
V
Z
).
电压变化等于V之间的差
Z
在100
m
A和V
Z
在10
m
A.
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
600
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
1.1
4
2
1.0
0.9
0.8
–60
0
–2 10
–4
/K
–4
10
–4
/K
40
80
120
160
200
95 9599
0
60
120
180
240
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
j
- 结温（
°C
)
图1.总功耗对比
环境温度
1000
- 电压变化（MV ）
工作电压与图3.典型的变化
结温
TK
VZ
- 温度V系数
Z
( 10
–4
/K )
15
T
j
= 25°C
100
10
5
I
Z
=5mA
0
I
Z
=5mA
10
D
V
Z
1
0
95 9598
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压（V）
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
95 9600
工作电压下图2.典型的变化
工作条件在T
AMB
=25
°
C
图4.温度Vz的对比系数
Z-电压
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