TX810
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SLLS996A - 2009年9月 - 修订2010年4月
8通道，可编程T / R开关，用于超声
检查样品：
TX810
1
特点
紧凑型T / R开关，用于超声
灵活的可编程性
- 8偏置电流设置
- 8功耗/性能组合
- 易于上电/掉电控制
快速唤醒时间
双电源供电
优化插入损耗
描述
该TX810提供了一个广泛的集成解决方案
各种超声应用的。它是一个8信道，
当前可编程的，发送/接收开关的一
小6毫米× 6毫米包。
内部二极管限制输出电压高时，
电压发射机信号施加到输入端。
而TX810的插入损耗中最小化
接收模式。
不同于传统的T / R开关，所述TX810含有
一个3位的接口用于编程偏置电流从
7毫安到0毫安不同的性能和功耗
要求。当TX810偏置电流设定为
0毫安（即高阻态） ，该装置是
CON连接gured
as
掉电
模式。
In
该
高阻抗模式， TX810不加
附加负载到高电压变送器。在
此外，该设备可以从掉电唤醒
模式在小于1μs的时间。有了这些先进的
可编程功能，显著省电
可以在系统中实现。
VP
2
应用
医用超声
工业超声
1路
TX810的
HV的Tx
LV接收
VN
图1. TX810的框图
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TX810
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
包装设备
TX810IRHHT
TX810IRHHR
(1)
套餐类型
S-PVQFN-N36
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
工作温度
范围
0~70°C
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压， VD
电源电压，副总裁
电源电压， VN
电源电压， VB
输入交流电压， INN
输入的信号Vsub
输出电流，I
O
最高结温，连续运转，长期可靠性
(2)
T
J
存储温度范围，T
英镑
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-6 ~ +0.3
-0.3 ~ +6
±100
-6 ~ +0.3
15
125°C
-55 ° C至150℃
500
750
200
V
V
V
单位
V
V
V
V
V
V
mA
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示暴露在绝对最大额定条件下工作会降低设备的可靠性。
绝对最大结温为连续操作由包约束的限制。操作上面这
温度可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
热信息
热公制
(1)
（ OLFM气流假定的）
q
JA
q
JC （顶部）
q
JB
y
JT
y
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(6)
(3)
TX810
RHH
36针
29.7
27
7.2
0.1
7.2
° C / W
单位
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体的JEDEC标准
测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
y
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
q
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
y
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
q
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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2
TX810
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设备信息
引脚功能
针
数
1, 3, 7, 9, 10, 12, 34,
36
16, 18, 19, 21, 25, 27,
28, 30
33
31
15
13
2, 8, 11, 14, 17, 20, 26,
29, 32, 35
24
23
22
4, 5, 6
0
名字
客栈
OUTN
VD
VP
VN
VB
GND
B1
B2
B3
NC
VSUB
输入的通道n
输出的通道n
逻辑电源电压; +2.5 V至+5 V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
正电源电压; + 5V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
负电源电压; -5 V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
偏置电压连接到0V（ GND）为± 5 V工作电压
地
第1位;当前程序位
第2位;当前程序位
第3位;当前程序位
无内部连接。
包的使用PowerPad 。 -5 V至0 V为± 5 V工作电压。散热垫是需要热
耗散。
PQFN （ RHH ）套餐
6 × 6毫米， 0.5mm间距
（ TOP VIEW ）
OUT8
GND
GND
OUT7
28
27
26
25
OUT6
GND
OUT5
B1
B2
B3
OUT4
GND
OUT3
24
23
22
21
20
19
10
11
12
13
14
15
16
17
18
描述
36
IN6
GND
IN5
NC
NC
NC
IN4
1
2
3
4
5
6
7
35
34
33
32
31
30
29
TX810
PowerPAD
GND 8
IN3 9
IN1
OUT1
VN
VB
GND
GND
GND
IN2
GND
IN7
IN8
VD
VP
OUT2
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电气特性
所有规格在T
A
= 25°C ， VP = 5V ， VN = -5V ， VB = 0V ，V
子
= -5V ，R
负载
= 400Ω ; F = 5MHz时， B3B2B1 = 111 ，V
IN
=
0.25V
PP
中，除非另有说明。考试级别：A ：最后的测试限制; B：板凳评估/模拟; C：模拟
参数
DC电源规格
正电源副总裁
负电源VN
静态电流， VP ， VN
衬底电压，V
子
数字电源， VD
静态电流， VD
偏置电流， VP ， VN路径
偏置电流， VP ， VN路径
漏电流
逻辑输入
逻辑高输入电压; V
IH
逻辑高电平输入电流;我
IH
逻辑低输入电压; V
IL
逻辑低输入电流;我
IL
输入
电容C
IN
功耗
掉电耗散
总功耗
AC规格
1微秒正脉冲和负脉冲
在单独应用
PRF = 10千赫
CW模式（连续波）
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
插入损耗，我
L
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ，R
负载
= 50Ω
B3B2B1 = 001 ，R
负载
= 50Ω
通道到通道I
L
匹配
插入损耗，我
L
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 111 ，在20MHz
B3B2B1 = 111 ，R
负载
= 50
Ω
等效电阻，R
ON
B3B2B1 = 001 ，R
负载
= 50
Ω
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
-3dB带宽， BW
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
二阶谐波失真， HD2 ， 5MHz的
B3B2B1 = 100 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
B3B2B1 = 001 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
-90
-10
-0.9
-1.1
-1.3
-4.1
-7
0.06
-0.9
30
62
44
67
140
115
65
-74
-74
-73
90
10
-1.8
-1.8
-2
V
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
Ω
Ω
Ω
Ω
兆赫
兆赫
兆赫
dBc的
dBc的
dBc的
A
B
A
A
A
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
所有通道
B3B2B1 = 000 ;无信号
B3B2B1 = 001 ;无信号
B3B2B1 = 111 ;无信号
80
560
200
92
644
W
mW
mW
A
A
A
5
0
2
VD
20
0.4
20
V
A
V
A
pF
A
A
A
A
C
无信号
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
任何输出; B3B2B1 = 000 ;没有
输入
1.25
5.95
1
7
无信号
PowerPAD
2.5
VN
5
50
0.75
8.05
0.5
5
-5
50
0
V
A
V
V
A
毫安/通道
毫安/通道
A
B
A
B
B
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
输入幅度，V
IN
4
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TX810
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电气特性（续）
所有规格在T
A
= 25°C ， VP = 5V ， VN = -5V ， VB = 0V ，V
子
= -5V ，R
负载
= 400Ω ; F = 5MHz时， B3B2B1 = 111 ，V
IN
=
0.25V
PP
中，除非另有说明。考试级别：A ：最后的测试限制; B：板凳评估/模拟; C：模拟
参数
测试条件
B3B2B1 = 111 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
二阶谐波失真， HD2 ， 10MHz的
B3B2B1 = 100 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
B3B2B1 = 001 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
B3B2B1 = 111在10MHz
串音，串话
B3B2B1 = 100在10MHz
B3B2B1 = 001在10MHz
B3B2B1 = 111
三阶互调， IMD3
(1)
民
典型值
-78
-77
-74
-70
-69
-61
-68
-65
-50
-76
-76
-76
-64
0.91
1.05
1.12
1
0.5
0.3
0.6
0.5
0.5
2.4
2.7
2.2
0.7
1.3
1.6
1.7
1.9
1.7
1.4
最大
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
V
PP
V
PP
V
PP
TEST
水平
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
电源调制比， PSMR
电源抑制比， PSRR
输入参考噪声， IRN
(2)
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ， 1KHz的和1MHz的
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
恢复时间140 V
PP
IN ，V
OUT
＆ LT ;为20mV
PP
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 000→111
导通延迟时间
(3)
, t
EN_ON
B3B2B1 = 000→100
B3B2B1 = 000→001
B3B2B1 = 111→000
打开-O FF延迟时间
(3)
, t
EN_OFF
B3B2B1 = 100→000
B3B2B1 = 001→000
B3B2B1 = 001→111
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
偏置电流切换时间
传播延迟时间
(3)
, t
延迟
钳位电压，排除过冲
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 000
(1)
(2)
(3)
为5MHz 1V
PP
和5.01MHz 0.5V
PP
输入。
PSMR被定义为与1KHz的和1MHz的50mV的载体为5MHz和边带信号之间的比
PP
噪声应用于电源引脚。
请参见时序图秀
图2中。
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8通道，可编程T / R开关，用于超声
检查样品：
TX810
1
特点
紧凑型T / R开关，用于超声
灵活的可编程性
- 8偏置电流设置
- 8功耗/性能组合
- 易于上电/掉电控制
快速唤醒时间
双电源供电
优化插入损耗
描述
该TX810提供了一个广泛的集成解决方案
各种超声应用的。它是一个8信道，
当前可编程的，发送/接收开关的一
小6毫米× 6毫米包。
内部二极管限制输出电压高时，
电压发射机信号施加到输入端。
而TX810的插入损耗中最小化
接收模式。
不同于传统的T / R开关，所述TX810含有
一个3位的接口用于编程偏置电流从
7毫安到0毫安不同的性能和功耗
要求。当TX810偏置电流设定为
0毫安（即高阻态） ，该装置是
CON连接gured
as
掉电
模式。
In
该
高阻抗模式， TX810不加
附加负载到高电压变送器。在
此外，该设备可以从掉电唤醒
模式在小于1μs的时间。有了这些先进的
可编程功能，显著省电
可以在系统中实现。
VP
2
应用
医用超声
工业超声
1路
TX810的
HV的Tx
LV接收
VN
图1. TX810的框图
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TX810
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
包装设备
TX810IRHHT
TX810IRHHR
(1)
套餐类型
S-PVQFN-N36
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
工作温度
范围
0~70°C
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压， VD
电源电压，副总裁
电源电压， VN
电源电压， VB
输入交流电压， INN
输入的信号Vsub
输出电流，I
O
最高结温，连续运转，长期可靠性
(2)
T
J
存储温度范围，T
英镑
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-6 ~ +0.3
-0.3 ~ +6
±100
-6 ~ +0.3
15
125°C
-55 ° C至150℃
500
750
200
V
V
V
单位
V
V
V
V
V
V
mA
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示暴露在绝对最大额定条件下工作会降低设备的可靠性。
绝对最大结温为连续操作由包约束的限制。操作上面这
温度可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
热信息
热公制
(1)
（ OLFM气流假定的）
q
JA
q
JC （顶部）
q
JB
y
JT
y
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(6)
(3)
TX810
RHH
36针
29.7
27
7.2
0.1
7.2
° C / W
单位
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体的JEDEC标准
测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
y
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
q
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
y
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
q
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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设备信息
引脚功能
针
数
1, 3, 7, 9, 10, 12, 34,
36
16, 18, 19, 21, 25, 27,
28, 30
33
31
15
13
2, 8, 11, 14, 17, 20, 26,
29, 32, 35
24
23
22
4, 5, 6
0
名字
客栈
OUTN
VD
VP
VN
VB
GND
B1
B2
B3
NC
VSUB
输入的通道n
输出的通道n
逻辑电源电压; +2.5 V至+5 V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
正电源电压; + 5V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
负电源电压; -5 V ;旁路至地0.1 μF至10 μF电容
偏置电压连接到0V（ GND）为± 5 V工作电压
地
第1位;当前程序位
第2位;当前程序位
第3位;当前程序位
无内部连接。
包的使用PowerPad 。 -5 V至0 V为± 5 V工作电压。散热垫是需要热
耗散。
PQFN （ RHH ）套餐
6 × 6毫米， 0.5mm间距
（ TOP VIEW ）
OUT8
GND
GND
OUT7
28
27
26
25
OUT6
GND
OUT5
B1
B2
B3
OUT4
GND
OUT3
24
23
22
21
20
19
10
11
12
13
14
15
16
17
18
描述
36
IN6
GND
IN5
NC
NC
NC
IN4
1
2
3
4
5
6
7
35
34
33
32
31
30
29
TX810
PowerPAD
GND 8
IN3 9
IN1
OUT1
VN
VB
GND
GND
GND
IN2
GND
IN7
IN8
VD
VP
OUT2
版权所有2009-2010，德州仪器
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3
TX810
SLLS996A - 2009年9月 - 修订2010年4月
www.ti.com
电气特性
所有规格在T
A
= 25°C ， VP = 5V ， VN = -5V ， VB = 0V ，V
子
= -5V ，R
负载
= 400Ω ; F = 5MHz时， B3B2B1 = 111 ，V
IN
=
0.25V
PP
中，除非另有说明。考试级别：A ：最后的测试限制; B：板凳评估/模拟; C：模拟
参数
DC电源规格
正电源副总裁
负电源VN
静态电流， VP ， VN
衬底电压，V
子
数字电源， VD
静态电流， VD
偏置电流， VP ， VN路径
偏置电流， VP ， VN路径
漏电流
逻辑输入
逻辑高输入电压; V
IH
逻辑高电平输入电流;我
IH
逻辑低输入电压; V
IL
逻辑低输入电流;我
IL
输入
电容C
IN
功耗
掉电耗散
总功耗
AC规格
1微秒正脉冲和负脉冲
在单独应用
PRF = 10千赫
CW模式（连续波）
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
插入损耗，我
L
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ，R
负载
= 50Ω
B3B2B1 = 001 ，R
负载
= 50Ω
通道到通道I
L
匹配
插入损耗，我
L
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 111 ，在20MHz
B3B2B1 = 111 ，R
负载
= 50
Ω
等效电阻，R
ON
B3B2B1 = 001 ，R
负载
= 50
Ω
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
-3dB带宽， BW
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
二阶谐波失真， HD2 ， 5MHz的
B3B2B1 = 100 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
B3B2B1 = 001 ，V
IN
= 0.5V
PP
5MHz
-90
-10
-0.9
-1.1
-1.3
-4.1
-7
0.06
-0.9
30
62
44
67
140
115
65
-74
-74
-73
90
10
-1.8
-1.8
-2
V
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
Ω
Ω
Ω
Ω
兆赫
兆赫
兆赫
dBc的
dBc的
dBc的
A
B
A
A
A
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
所有通道
B3B2B1 = 000 ;无信号
B3B2B1 = 001 ;无信号
B3B2B1 = 111 ;无信号
80
560
200
92
644
W
mW
mW
A
A
A
5
0
2
VD
20
0.4
20
V
A
V
A
pF
A
A
A
A
C
无信号
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
任何输出; B3B2B1 = 000 ;没有
输入
1.25
5.95
1
7
无信号
PowerPAD
2.5
VN
5
50
0.75
8.05
0.5
5
-5
50
0
V
A
V
V
A
毫安/通道
毫安/通道
A
B
A
B
B
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
输入幅度，V
IN
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TX810
www.ti.com
SLLS996A - 2009年9月 - 修订2010年4月
电气特性（续）
所有规格在T
A
= 25°C ， VP = 5V ， VN = -5V ， VB = 0V ，V
子
= -5V ，R
负载
= 400Ω ; F = 5MHz时， B3B2B1 = 111 ，V
IN
=
0.25V
PP
中，除非另有说明。考试级别：A ：最后的测试限制; B：板凳评估/模拟; C：模拟
参数
测试条件
B3B2B1 = 111 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
二阶谐波失真， HD2 ， 10MHz的
B3B2B1 = 100 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
B3B2B1 = 001 ，V
IN
= 0.5 V
PP
10MHz
B3B2B1 = 111在10MHz
串音，串话
B3B2B1 = 100在10MHz
B3B2B1 = 001在10MHz
B3B2B1 = 111
三阶互调， IMD3
(1)
民
典型值
-78
-77
-74
-70
-69
-61
-68
-65
-50
-76
-76
-76
-64
0.91
1.05
1.12
1
0.5
0.3
0.6
0.5
0.5
2.4
2.7
2.2
0.7
1.3
1.6
1.7
1.9
1.7
1.4
最大
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
V
PP
V
PP
V
PP
TEST
水平
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
电源调制比， PSMR
电源抑制比， PSRR
输入参考噪声， IRN
(2)
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111 ， 1KHz的和1MHz的
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
恢复时间140 V
PP
IN ，V
OUT
＆ LT ;为20mV
PP
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 000→111
导通延迟时间
(3)
, t
EN_ON
B3B2B1 = 000→100
B3B2B1 = 000→001
B3B2B1 = 111→000
打开-O FF延迟时间
(3)
, t
EN_OFF
B3B2B1 = 100→000
B3B2B1 = 001→000
B3B2B1 = 001→111
B3B2B1 = 111
B3B2B1 = 100
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 111
偏置电流切换时间
传播延迟时间
(3)
, t
延迟
钳位电压，排除过冲
B3B2B1 = 001
B3B2B1 = 000
(1)
(2)
(3)
为5MHz 1V
PP
和5.01MHz 0.5V
PP
输入。
PSMR被定义为与1KHz的和1MHz的50mV的载体为5MHz和边带信号之间的比
PP
噪声应用于电源引脚。
请参见时序图秀
图2中。
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