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数据表
4V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
TT8M11
结构
硅的N沟道MOSFET /
硅P沟道MOSFET
■特点
1）低导通电阻。
2 ）低电压驱动（ 4V的驱动器） 。
3 ）小型表面贴装封装（ TSST8 ） 。
尺寸
（单位：毫米）
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号： M11
应用
开关
包装规格
TYPE
TT8M11
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TCR
3000
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
符号
V
DSS
范围
TR1 ： N沟道Tr2的： P沟道
30
20
3
12
0.8
12
30
20
2.5
10
0.8
10
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
*1
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
1.25
1.0
150
55
to
150
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2011.09 - Rev.A的
TT8M11
电气特性
（ TA = 25°C ）
<Tr1(Nch)>
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*
分钟。
-
30
-
1.0
-
-
2.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
51
67
78
-
140
55
28
5
13
20
3
2.5
0.8
0.6
马克斯。
10
-
1
2.5
71
94
109
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 3A ，V
GS
=10V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
m我
D
= 3A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 3A ，V
GS
=4V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
=3A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V ，我
D
=1.5A
V
GS
=4.5V
R
L
=10
R
G
=10
V
DD
10V ，我
D
=3A
V
GS
=5V
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 3A ，V
GS
=0V
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2011.09 - Rev.A的
TT8M11
电气特性
（ TA = 25°C ）
<Tr2(Pch)>
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
30
1.0
-
-
-
1.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
60
95
115
-
460
65
40
7
20
35
14
4.8
1.8
1.2
马克斯。
10
-
1
2.5
84
130
160
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= ± 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= -10V ，我
D
=1mA
I
D
= 2.5A ，V
GS
=10V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
m我
D
= 1.2A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 1.2A ，V
GS
=4V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10V ，我
D
=2.5A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V,
I
D
=1.2A
V
GS
=10V
R
L
=12.5
R
G
=10
V
DD
15V,
I
D
=2.5A
V
GS
=5V
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 2.5A ，V
GS
=0V
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ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
〈Tr.1(Nch)〉
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
3
V
GS
=2.8V
V
GS
=3.0V
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10.0V
V
GS
=2.5V
1
T
a
=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
3
V
GS
=2.5V
V
GS
=10.0V
V
GS
=4.5V
漏电流：我
D
[A]
2
V
GS
=4.0V
V
GS
=3.0V
V
GS
=2.8V
T
a
=25°C
脉冲
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3静态漏源通态电阻与漏电流
1000
T
a
=25°C
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
图4静态漏源通态电阻与漏电流
1000
V
GS
=10V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
漏电流：我
D
[A]
图5静态漏源通态电阻与漏电流
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
图6静态漏源通态电阻与漏电流
1000
V
GS
=4V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
漏电流：我
D
[A]
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TT8M11
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
100
V
DS
=10V
脉冲
10
V
DS
=10V
脉冲
图8典型的传输特性
正向转移导纳
Y
fs
[S]
10
漏Currnt ：我
D
[A]
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
漏电流：我
D
[A]
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
栅源电压： V
GS
[V]
图9源电流和源极 - 漏极电压
10
V
GS
=0V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
图10静态漏源通态电阻与栅源电压
150
T
a
=25°C
脉冲
源电流：是[ A]
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
I
D
=1.5A
100
I
D
=3.0A
0.1
50
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压： V
GS
[V]
图11开关特性
1000
V
DD
≒15V
V
GS
=4.5V
R
G
=10Ω
T
a
=25°C
脉冲
10
T
a
=25°C
V
DD
=15V
I
D
=3A
脉冲
图12动态输入特性
100
t
D（关闭）
栅源电压： V
GS
[V]
t
f
切换时间： T [ NS ]
8
6
4
10
t
D（上）
2
t
r
1
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
0
0
1
2
3
4
5
总栅极电荷：Q
g
[ NC ]
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