日前，Vishay
TLHW490.
威世半导体
白光LED采用3mm牛逼1 Waterclear包
描述
高强度典型的彩色LED坐标x =
0.33 ， Y = 0.33 （典型色温5500 K） 。这
LED发射的白色光具有高显色性
索引。
发光光谱被调谐为理想的白色，与 -
出的是蓝色的阴影或"cold"的印象。该
包是一个标准3毫米。
内部反射器被装满的TAG的化合物
荧光体和弹性树脂。
因此，该芯片是更好的保护，防止temper-
ATURE循环压力。
磷光体转换的蓝色发射
的InGaN芯片部分为黄色，这与混合的
其余的蓝色产生白色。
19222
e2
Pb
无铅
应用
指示器和背光
室内和室外的消息板
替代白炽灯
标志灯
特点
高效的InGaN技术
色度坐标，根据分类
每包装单位CIE1931
典型的色度坐标x = 0.33 ; Y = 0.33
典型色温5500
ESD等级1
可视角度小，亮度高
芯片嵌入弹性树脂，提高了鲁棒
内斯对温度循环应力
无铅器件
零件表
部分
TLHW4900
TLHW4901
颜色，发光强度
白色的，我
V
> MCD 240
白色的，我
V
= （ 240 860 ） MCD
半强度角（ ±φ ）
16 °
16 °
技术
对SiC的InGaN / TAG
对SiC的InGaN / TAG
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLHW490.
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
T
AMB
≤
50 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
50 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
30
0.1
126
100
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83161
修订版1.2 ， 31 - 8 - 04
www.vishay.com
1
日前，Vishay
TLHW490.
威世半导体
10
I
VREL
- 相对发光强度
I
VREL
- 相对发光强度
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
1
16194
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
16197
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图3.相对发光强度与正向电流
图6.相对。发光强度与环境温度
100
的F - 色度坐标偏移（ X，Y）
0.345
白
0.340
0.335
0.330
Y
0.325
0.320
0.315
X
I
F
- 正向电流（mA
)
10
1
2.0
16195
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
F
- 正向电压（ V）
16198
0
10
20
30
40
50
60
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
图7.色度坐标偏移与正向电流
100
I
V REL
- 相对发光强度
3.95
3.90
I
F
- 正向电压（ V）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
3.85
3.80
3.75
3.70
3.65
3.60
3.55
3.50
3.45
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
16196
λ
- 波长（nm ）
16199
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图5.相对强度与波长
图8.正向电压与环境温度
文档编号83161
修订版1.2 ， 31 - 8 - 04
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3
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威世半导体
白光LED采用3mm牛逼1 Waterclear包
描述
高强度典型的彩色LED坐标x =
0.33 ， Y = 0.33 （典型色温5500 K） 。这
LED发射的白色光具有高显色性
索引。
发光光谱被调谐为理想的白色，与 -
出的是蓝色的阴影或"cold"的印象。该
包是一个标准3毫米。
内部反射器被装满的TAG的化合物
荧光体和弹性树脂。
因此，该芯片是更好的保护，防止temper-
ATURE循环压力。
磷光体转换的蓝色发射
的InGaN芯片部分为黄色，这与混合的
其余的蓝色产生白色。
19222
e2
Pb
无铅
应用
指示器和背光
室内和室外的消息板
替代白炽灯
标志灯
特点
高效的InGaN技术
色度坐标，根据分类
每包装单位CIE1931
典型的色度坐标x = 0.33 ; Y = 0.33
典型色温5500
ESD等级1
可视角度小，亮度高
芯片嵌入弹性树脂，提高了鲁棒
内斯对温度循环应力
无铅器件
零件表
部分
TLHW4900
TLHW4901
颜色，发光强度
白色的，我
V
> MCD 240
白色的，我
V
= （ 240 860 ） MCD
半强度角（ ±φ ）
16 °
16 °
技术
对SiC的InGaN / TAG
对SiC的InGaN / TAG
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLHW490.
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
T
AMB
≤
50 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
50 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
30
0.1
126
100
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83161
修订版1.2 ， 31 - 8 - 04
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1
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TLHW490.
威世半导体
10
I
VREL
- 相对发光强度
I
VREL
- 相对发光强度
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
1
16194
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
16197
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图3.相对发光强度与正向电流
图6.相对。发光强度与环境温度
100
的F - 色度坐标偏移（ X，Y）
0.345
白
0.340
0.335
0.330
Y
0.325
0.320
0.315
X
I
F
- 正向电流（mA
)
10
1
2.0
16195
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
F
- 正向电压（ V）
16198
0
10
20
30
40
50
60
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
图7.色度坐标偏移与正向电流
100
I
V REL
- 相对发光强度
3.95
3.90
I
F
- 正向电压（ V）
90
80
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60
50
40
30
20
10
0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
3.85
3.80
3.75
3.70
3.65
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3.55
3.50
3.45
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
16196
λ
- 波长（nm ）
16199
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图5.相对强度与波长
图8.正向电压与环境温度
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