TSTA7300
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ， 875纳米， GaAlAs的
特点
包装类型：含铅
封装形式： TO- 18
尺寸（单位：mm） ：
4.7
峰值波长：
λ
p
= 875 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 12°
948642
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
描述
TSTA7300是红外线， 875 nm的发射中的GaAlAs二极管
技术中的一个密封TO -18封装
镜头。
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
辐射近红外范围内的源
产品概述
部件
TSTA7300
I
e
（毫瓦/ SR）
20
（度）
± 12
λ
P
（纳米）
875
t
r
（纳秒）
600
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSTA7300
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
包装形式
TO-18
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
存储温度范围
热阻结/环境
热阻结/外壳
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
线索没有焊接
线索没有焊接
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
100 s
t
p
≤
100 s
T
例
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
P
V
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thJC
价值
5
100
200
2.5
180
500
100
- 55至+ 100
450
150
单位
V
mA
mA
A
mW
mW
°C
°C
K / W
K / W
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如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81045
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TSTA7300
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
875纳米， GaAlAs的
600
P
V
- 功耗（MW ）
500
400
300
200
R
thJA
100
0
0
12790
125
R
thJC
I
F
- 正向电流（mA ）
100
R
thJC
75
50
R
thJA
25
0
25
50
75
100
125
94 7971
0
T
AMB
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
击穿电压
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
上升时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A，T
p
/T = 0.01, t
p
≤
10 s
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
R
= 100 A
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
（ BR ）
C
j
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
t
r
t
r
d
10
5
20
20
10
- 0.7
± 12
875
80
600
300
1
50
分钟。
典型值。
1.4
马克斯。
1.8
单位
V
V
pF
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
ns
ns
mm
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
10
4
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 2.5 A（单暂停）
t
p
/T= 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-2
I
F
- 正向电流（mA ）
10
3
t
p
= 100
s
t
p
/T= 0.001
10
2
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
94
8005
0
1
2
3
4
94
8003
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
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图。 4 - 正向电流与正向电压
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875纳米， GaAlAs的
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.6
1.2
I
ê相对
;
Φ
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94
8020
0
- 10 0 10
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
Φ
e
- 相对辐射功率
1.25
1.0
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
Φ
e
(
λ
)
REL
=
Φ
e
(
λ
) /
Φ
e
(
λ
p
)
0
780
880
λ
-
Wavelenght
（纳米）
980
0.1
10
0
94 7974e
10
1
10
2
10
3
10
4
94
8000
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
0°
10°
20°
30°
100
I
ê相对
- 相对辐射强度
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94 7972
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8021
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
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威世半导体
875纳米， GaAlAs的
包装尺寸
以毫米为单位
5.5
C
A
2.54喃。
+ 0.02
- 0.07
± 0.25
± 0.15
4.69
芯片位置
(2.5)
6.15
0.45
- 0.05
+ 0.02
4
± 0.05
13.2
± 0.7
镜头
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
水彩编号： 6.503-5022.01-4
问题： 2 ; 98年8月24日
96 12179
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