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TSM9435
30V P沟道MOSFET
SOP-8
针脚定义:
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ,6,7 , 8,漏极
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(mΩ)
-30
60 @ V
GS
= 10V
90 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
-5.3
-4.2
特点
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
负荷开关
PA的开关
订购信息
产品型号
TSM9435CS RF
SOP-8
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲,V
GS
@4.5V
连续源电流(二极管传导)
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A,B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 70℃
极限
-30
±20
-5.3
-20
-1.9
2.5
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻(PCB安装)
注意事项:
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板,T
5秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本: A07
TSM9435
30V P沟道MOSFET
电气规格
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±24V, V
DS
= 0V
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -10V ,我
D
= -5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4.2A
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A
I
S
= -1.9A ,V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
-30
-1.0
--
--
-6
--
--
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
-1.5
--
--
--
50
75
7
-0.8
9.52
3.43
1.71
551.57
90.96
60.79
10.8
2.33
22.53
3.87
最大
--
-3.0
±100
-1.0
--
60
90
--
-1.3
单位
V
V
nA
A
A
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A,
V
GS
= -10V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -15V ,R
L
= 15Ω,
I
D
= -1A ,V
= -10V,
nS
R
G
= 6Ω
关断下降时间
t
f
注意事项:
一。脉冲测试: PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本: A07
TSM9435
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本: A07
TSM9435
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗,结到环境
4/6
版本: A07
TSM9435
30V P沟道MOSFET
SOP- 8机械制图
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
SOP- 8尺寸
MILLIMETERS
英寸
最大
马克斯。
4.80
5.00
0.189
0.196
3.80
4.00
0.150
0.157
1.35
1.75
0.054
0.068
0.35
0.49
0.014
0.019
0.40
1.25
0.016
0.049
1.27BSC
0.05BSC
0.10
0.25
0.004
0.009
0
7
0
7
5.80
6.20
0.229
0.244
0.25
0.50
0.010
0.019
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =月, C =月, D = APL, E =月, F =君,G =月, H =月,
I =月, J =月, K =月, L =月)
L
- 批次编号
5/6
版本: A07
TSM9435
-30V P沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ,6,7 , 8,漏极
V
DS
= -30V
R
DS ( ON)
, V GS @ -10V , IDS @ -5.3A =的60mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ -4.5V , IDS @ -4.2A = 90mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
框图
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM9435CS
填料
磁带&卷轴
2500 /每卷
SOP-8
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流,
脉冲漏极电流,
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 70
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
-30V
±20
-5.3
-20
2.5
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到脚(漏)热阻
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 10秒。
符号
R
θJF
R
θJA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
TSM9435
1-3
2005/06年度转。
电气特性
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= -10V ,我
D
= -5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
-30
--
--
-1.0
--
--
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
50
70
-1.7
--
--
7
9.52
3.43
1.71
10.8
2.33
22.53
3.87
551.57
90.96
60.79
--
--
最大
--
60
90
-3.0
-1.0
±100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-1.9
-1.3
单位
V
m
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= -5.3A ,V
GS
= 0V
A
V
V
SD
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A,
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V ,R
L
= 15,
I
D
= -1A ,V
= -10V,
R
G
= 6
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
nS
pF
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TSM9435
2-3
2005/06年度转。
SOP- 8机械制图
A
暗淡
SOP- 8尺寸
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
4.80
5.00
0.189
0.196
3.80
4.00
0.150
0.157
1.35
1.75
0.054
0.068
0.35
0.49
0.014
0.019
0.40
1.25
0.016
0.049
1.27 ( TYP )
0.05 (典型值)
0.10
0.25
0.004
0.009
o
o
o
0
7
0
7
o
5.80
6.20
0.229
0.244
0.25
0.50
0.010
0.019
16
9
B
P
1
8
G
C
D
K
M
R
F
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
TSM9435
3-3
2005/06年度转。
查看更多TSM9435CSPDF信息
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM9435CS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
TSM9435CS
TSC台半
2019+
15000
SOP-8
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TSM9435CS
Taiwan Semiconductor Corporation
24+
10000
8-SOP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TSM9435CS
TSC/台半
2443+
23000
SOP-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TSM9435CS
TSM
24+
12300
SOP-8
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TSM9435CS
台半
24+
5000
SO-8
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
TSM9435CS
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOP-8
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TSM9435CS
TSC/台半
24+
21000
SOP-8
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TSM9435CS
台半
2024
20918
SO-8
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
TSM9435CS
TSC/台湾半导体
21+
18324
DIP
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
TSM9435CS
TSC/台半
24+
32000
SOP-8
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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