TSM9435
30V P沟道MOSFET
SOP- 8机械制图
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
SOP- 8尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
马克斯。
4.80
5.00
0.189
0.196
3.80
4.00
0.150
0.157
1.35
1.75
0.054
0.068
0.35
0.49
0.014
0.019
0.40
1.25
0.016
0.049
1.27BSC
0.05BSC
0.10
0.25
0.004
0.009
0
7
0
7
5.80
6.20
0.229
0.244
0.25
0.50
0.010
0.019
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =月, C =月, D = APL, E =月, F =君,G =月, H =月,
I =月, J =月, K =月, L =月)
L
- 批次编号
5/6
版本: A07
TSM9435
-30V P沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ,6,7 , 8,漏极
V
DS
= -30V
R
DS ( ON)
, V GS @ -10V , IDS @ -5.3A =的60mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ -4.5V , IDS @ -4.2A = 90mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
框图
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM9435CS
填料
磁带&卷轴
2500 /每卷
包
SOP-8
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流,
脉冲漏极电流,
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 70
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
-30V
±20
-5.3
-20
2.5
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到脚(漏)热阻
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 10秒。
符号
R
θJF
R
θJA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
TSM9435
1-3
2005/06年度转。
电气特性
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= -10V ,我
D
= -5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
民
-30
--
--
-1.0
--
--
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
50
70
-1.7
--
--
7
9.52
3.43
1.71
10.8
2.33
22.53
3.87
551.57
90.96
60.79
--
--
最大
--
60
90
-3.0
-1.0
±100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-1.9
-1.3
单位
V
m
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= -5.3A ,V
GS
= 0V
A
V
V
SD
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A,
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V ,R
L
= 15,
I
D
= -1A ,V
根
= -10V,
R
G
= 6
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
nS
pF
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TSM9435
2-3
2005/06年度转。