TPS51124
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SLVS616A - 2005年11月 - 修订2005年11月
双路同步降压控制器用于
低电压电源轨
特点
高效率，低功耗，
停产到<1
A
固定频率的仿导通时间控制，
频率可选择从三个选项中
D- CAP 模式实现了快速瞬态
响应
自动跳过模式
不到1％的初始参考精度
低输出纹波
宽输入电压范围： 3 V至28 V
输出电压范围： 0.76 V至5.5 V
低压侧R
DS （ ON）
无损电流检测
带有集成升压自适应栅极驱动器
二极管
内部1.2毫秒的电压伺服软启动
电源就绪信号用于每个通道
延时定时器
输出放电期间禁用，故障
描述
该TPS51124是一款双通道，自适应接通时间D- CAP
模式同步降压控制器。该器件使
系统设计人员能够经济有效地完成
套装笔记本电源总线调节器与
绝对最低的外部元件数量和最低
待机功耗。固定频率仿真
自适应导通时间控制支持无缝操作
PWM模式，在重负载条件之间
在轻负载减少高频率工作
效率下降到毫安的范围。主
控制环路的TPS51124使用D-CAP模式
该优化的低ESR输出电容器，如
POSCAP或SP -CAP有望快速瞬态
响应，无需外部补偿。简单
每个通道独立的电源良好信号允许
电源排序的灵活性。该器件提供了一个
方便快捷的操作与电源输入
电压（ V5IN ， V5FILT ）范围从4.5 V至5.5 V ，
转换的电压（漏极电压为
同步的高边MOSFET）从3 V至28 V
从0.76 V至5.5 V的输出电压
该TPS51124采用24引脚QFN封装
从-40 ° C至85 ° C的环境温度
范围内。
应用
笔记本电脑的I / O和低电压系统总线
输入电压
3 V至28 V
C9
22 F
R5
R4 75千欧
73.2 k
SGND
R2
75
k
R1
28.7 k
6
VO2
5
VFB2
4
TONSEL
3
GND
2
VFB1
1
VO1
SGND PGND
动力
Good2
EN2
C6
VO2
1.5 V / 10 A
10 F
Q3
IRF7821
L2
1 H
C5
0.1 F
7
PGOOD2
8
EN2
9
VBST2
10
DRVH2
11
LL2
PGND2
PGOOD1
24
TM
动力
Good1
EN1
Q1
IRF7821
C3
L1
1 H
10 F
VO1
1.05 V / 10 A
使用PowerPad
EN1
23
VBST1
22
TPS51124RGE
(QFN24)
C2
0.1 F
DRVH1
21
LL1
20
Q4
IRF8113
C4
2× 330 μF
PGND1
V5FILT
TRIP2
TRIP1
12
DRVL2
DRVL1
19
Q2
IRF8113
V5IN
C1
2× 330 μF
13
14
15
R7
3.3
16
V5IN
4.5 V至5.5 V
保护地
R6
6.8 k
C7
4.7 F
保护地
C8
1
F
17
R3
6.8
k
18
保护地
SGND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
包
塑料四方
扁平封装（ QFN ）
订购
部分
数
TPS51124RGET
TPS51124RGER
引脚
产量
供应
带盘式
带盘式
最低
订单
QUANTITY
250
3000
环保计划
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
-40 ° C至85°C
(1)
24
所有的包装选项有铜镍钯金铅/焊球涂层。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
VBST1 ， VBST2
输入电压
范围
VBST1 ， VBST2 （ WRT LLX ）
V5IN ， V5FILT ， EN1 ， EN2 ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ， VO1 ， VO2 ， TONSEL
DRVH1 ， DRVH2
DRVH1 ， DRVH2 （ WRT LLX ）
输出电压
范围
LL1, LL2
PGOOD1 ， PGOOD2 ， DRVL1 ， DRVL2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
英镑
T
J
(1)
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
-0.3 36
-0.3 6
-0.3 6
-1到36
-0.3 6
-2 30
-0.3 6
-0.3 0.3
-40到85
-55到150
-40至125
°C
°C
°C
V
V
单位
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压
值是相对于所述网络的接地端子，除非另有说明
耗散额定值
包
24引脚QFN封装
(1)
(1)
T
A
<25°C
额定功率
2.33 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
23.3毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
0.93 W
2增强型热导
×
2散热孔散热垫下方。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源输入电压范围
输入电压范围
V5IN ， V5FILT
VBST1 ， VBST2
VBST1 ， VBST2 （ WRT LLX ）
EN1 ， EN2 ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ， VO1 ， VO2 ， TONSEL
DRVH1 ， DRVH2
DRVH1 ， DRVH2 （ WRT LLX ）
输出电压范围
LL1, LL2
PGOOD1 ， PGOOD2 ， DRVL1 ， DRVL2
PGND1 ， PGND2
T
A
2
工作环境温度范围
4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.8
–0.1
–1.8
–0.1
–0.1
–40
最大
5.5
34
5.5
5.5
34
5.5
28
5.5
0.1
85
°C
V
V
单位
V
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内， V5IN = V5FILT = 5 V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
V5FILT
I
V5INSDN
I
V5FILTSD
N
测试条件
V5FILT电流，空载，
EN1 = EN2 = 5 V ， VFB1 = VFB2 = 0.77 V，
LL1=LL2=0.5V
V5IN电流，空载， EN1 = EN2 = 0 V
V5FILT电流，空载， EN1 = EN2 = 0 V
民
典型值
最大
单位
V5FILT电源电流
V5IN关断电流
V5FILT关断电流
350
700
1
1
A
A
A
VFB电压和放电电阻
V
VFB
V
VFB
VFB调节电压
VFB调节电压
公差
在VFB调控转变
连续导通
VFB输入电流
VO放电电阻
FB电压，跳跃模式（F
PWM
/10)
T
A
= 25 ° C，带隙的初始精度
T
A
= 0 ° C至85°C
(1)
T
A
= -40 ° C至85°C
(1)
V
VFBSKIP
I
VFB
R
Dischg
0.758 -V目标电阻分压器。见PWM工作模式
详细说明
(1)
VFBx = 0.758 V，绝对值
ENX = 0 V ，氧化钒= 0.5 V ，T
A
= 25°C
源，V
VBSTx - DRVHx
= 0.5 V
水槽，V
DRVHx - LLX
= 0.5 V
源，V
V5IN–DRVLx
= 0.5 V
水槽，V
DRVLx - PGNDx
= 0.5 V
DRVHx低（ DRVHx = 1 V）到DRVLx上
（ DRVLx = 4 V） ， LL = -0.05 V，
DRVLx低（ DRVLx = 1 V）到DRVHx上
（ DRVHx = 4 V） ， LL = -0.05 V，
V
V5IN–VBSTx
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
VBST = 34 V ， LL = 28 V ，氧化钒= 5.5 V ，
T
A
= 25°C
VO1 = 1.5 V， TONSEL = GND ， LL1 = 12 V
VO1 = 1.5 V， TONSEL = FLOAT ， LL1 = 12 V
VO1 = 1.5 V， TONSEL = V5FILT ， LL1 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = GND ， LL2 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = FLOAT ， LL2 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = V5FILT ， LL2 = 12 V
VO2 = 0.76 V， TONSEL = V5FILT ， LL2 = 28 V
LL = -0.1 V，T
A
= 25°C ， VFB = 0.7 V
内部软启动，从ENX >时间为3 V至VFBx规定值
= 735毫伏
0.85
440
340
265
235
180
120
80
10
30
–0.9%
–1.3%
–1.6%
758
0.02
10
5
1.5
4
1
20
40
0.1
20
7
2.5
6
2.0
50
60
764
0.9%
1.3%
1.6%
mV
A
ns
ns
mV
输出：N - CHANEEL MOSFET栅极驱动器
R
DRVH
R
DRVL
DRVH性
DRVL性
T
D
死区时间
内部BST二极管
V
FBST
I
VBSTLK
正向电压
VBST泄漏电流
0.7
0.8
0.1
0.9
1
V
A
ON -TIME定时器控制和内部软启动，
T
ON11
T
ON12
T
ON13
T
ON21
T
ON22
T
ON23
T
开（分钟）
T
关（ MIN）的
T
ss
(1)
CH1 ， 240 - kHz的设置
CH1， 300千赫设置
CH1 ， 360 kHz的设置
CH 2， 300千赫设置
CH2 ， 360 kHz的设置
CH2 ， 420- kHz的设置
CH2准时
CH1 / CH2最小值。关闭时间
内部SS时间
500
390
305
270
210
150
110
435
1.2
1.40
560
440
345
305
240
180
140
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
由设计保证。未经生产测试。
3
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内， V5IN = V5FILT = 5 V （除非另有说明）
参数
UVLO /逻辑阈值
V
UV5VFILT
V
EN
I
EN
V5FILT UVLO阈值
ENX门槛
ENX输入电流
醒来
迟滞
醒来
迟滞
绝对
快
(1)
V
TONSEL
TONSEL门槛
中
(1)
慢
(1)
I
TONSEL
TONSEL输入电流
TONSEL = 0V时，电流从所述销的
(1)
TONSEL = 5V ，电流在与销
(1)
VTRIPx < 0.3 V ，T
A
= 25°C
根据
25°C
(1)
–10
(V
TRIPx -GND
– V
PGNDx - LLX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60 mV的
VPGNDx - LLX电压， PGOODx =喜
(1)
V
TRIPx -GND
电压时，所有的温度
(1)
30
9
1
1
10
4200
0
0.5
200
10
11
价值
(1)
V5FILT
–0.3
2
V5FILT
–1.0
0.5
3.7
0.2
1.0
4.0
0.3
1.3
0.2
0.02
0.1
4.3
0.4
1.5
V
V
V
V
A
V
V
V
A
A
A
PPM /°C的
mV
mV
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
电流检测
I
旅
TC
ITRIP
V
OCLoff
V
ZC
V
RTRIP
TRIP源电流
I
旅
温度coeffficent
OCP补偿偏移
零交叉检测比较
OFFSET
电流限制阈值设置
范围
电源良好比较器
PG从较低（ PGOODx云喜）
V
THPG
PG门槛
PG低迟滞（ PGOODx变为低电平）
PG从更高（ PGOODx云喜）
PG高迟滞（ PGOODx变为低电平）
I
PGMAX
T
PGDEL
V
OVP
T
OVPDEL
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
PG灌电流
PG延迟
输出过压保护门限
输出OVP传播延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟
输出的UVP延迟启用
1.7后
×
TSS， UVP保护从事
关断温度
(1)
迟滞
(1)
UVP检测
迟滞（恢复< 20
s)
20
1.4
65%
PGOODx = 0.5 V
延迟的PG
OVP检测
2.5
400
110%
102.5%
92.5%
95%
–5%
105%
5%
5.0
510
115%
1.5
70%
10%
32
2
160
10
40
2.4
s
ms
75%
620
120%
s
mA
s
107.5%
97.5%
输出欠压和过压保护
热关断
T
SDN
热关断阈值
°C
(1)
由设计保证。未经生产测试。
4
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设备信息
终端功能
终奌站
名字
DRVH1
DRVH2
DRVL1
DRVL2
EN1
EN2
GND
LL1
LL2
PGND1
PGND2
PGOOD1
PGOOD2
TONSEL
TRIP1
TRIP2
VBST1
VBST2
VFB1
VFB2
VO1
VO2
V5FILT
V5IN
号
21
10
19
12
23
8
3
20
11
18
13
24
7
4
17
14
22
9
2
5
1
6
15
16
I
I
O
I
I / O
O
O
I
I
I / O
I / O
描述
同步的高边MOSFET驱动器输出。 LL节点参考文献的浮动驱动程序。栅极驱动器
电压由跨VBST的电压LL节点飞跨电容限定。
同步低侧MOSFET驱动器输出。保护地引用驱动程序。栅极驱动电压是
通过V5IN电压定义。
通道1和通道2的使能引脚。连接到5 V或3.3 V开启开关电源
信号接地引脚
高侧驱动器开关节点连接返回。还用作输入到电流比较器和输入
电压监视器，用于导通时间控制电路。
地回报DRVL1和DRVL2 。也可作为当前比较器的输入。连接PGND1 ，
PGND2和GND极力撮合附近的IC 。输出放电电流流经该引脚也。
电源良好窗口比较器的开漏输出通道1和2上拉了一个电阻到5 V或
适当的信号电压。电流容量为5毫安。 PGOOD变高0.5毫秒后VFB来内
规定的限值。电源坏了，或者终端变低，不到10
s.
在时间选择引脚。看
表1中。
过电流跳变点设置输入。从这个引脚电阻连接到GND设定的阈值进行同步
低压侧R
DS （ ON）
感。两端的电压此引脚与GND进行比较，在整个保护地和LL电压
过流比较器。
供应同步的高边MOSFET驱动器（升压站）的输入。从这个引脚连接电容
以各自的LL终端。一个内部的PN二极管连接V5IN之间的每一个这些引脚。用户
可以添加外部肖特基二极管，如果正向压降是非常关键的驱动MOSFET 。
开关电源电压反馈输入。连接的反馈电阻分压器。
输出连接到开关电源。这些终端有两个功能：导通时间的调整和输出
放电。
5 V电源输入，除了MOSFET驱动器的整个控制电路。连接RC低通
从V5IN过滤器V5FILT 。
5 V电源输入FET的栅极驱动器。内部连接到VBSTx由PN结二极管。
QFN封装
（ TOP VIEW ）
I
I
I
I
PGOOD1
DR VH1
24 23
22 21 20 19
48
17
16
15
14
13
VO1
VFB1
GND
TONSEL
VFB2
VO2
DR VL1
VBST1
EN1
LL1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
PGND1
TRIP1
V5IN
V5FILT
TRIP2
PGND2
PGOOD2
EN2
DR VH2
DR VL2
VBST2
LL2
5
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双路同步降压控制器用于
低电压电源轨
特点
高效率，低功耗，
停产到<1
A
固定频率的仿导通时间控制，
频率可选择从三个选项中
D- CAP 模式实现了快速瞬态
响应
自动跳过模式
不到1％的初始参考精度
低输出纹波
宽输入电压范围： 3 V至28 V
输出电压范围： 0.76 V至5.5 V
低压侧R
DS （ ON）
无损电流检测
带有集成升压自适应栅极驱动器
二极管
内部1.2毫秒的电压伺服软启动
电源就绪信号用于每个通道
延时定时器
输出放电期间禁用，故障
描述
该TPS51124是一款双通道，自适应接通时间D- CAP
模式同步降压控制器。该器件使
系统设计人员能够经济有效地完成
套装笔记本电源总线调节器与
绝对最低的外部元件数量和最低
待机功耗。固定频率仿真
自适应导通时间控制支持无缝操作
PWM模式，在重负载条件之间
在轻负载减少高频率工作
效率下降到毫安的范围。主
控制环路的TPS51124使用D-CAP模式
该优化的低ESR输出电容器，如
POSCAP或SP -CAP有望快速瞬态
响应，无需外部补偿。简单
每个通道独立的电源良好信号允许
电源排序的灵活性。该器件提供了一个
方便快捷的操作与电源输入
电压（ V5IN ， V5FILT ）范围从4.5 V至5.5 V ，
转换的电压（漏极电压为
同步的高边MOSFET）从3 V至28 V
从0.76 V至5.5 V的输出电压
该TPS51124采用24引脚QFN封装
从-40 ° C至85 ° C的环境温度
范围内。
应用
笔记本电脑的I / O和低电压系统总线
输入电压
3 V至28 V
C9
22 F
R5
R4 75千欧
73.2 k
SGND
R2
75
k
R1
28.7 k
6
VO2
5
VFB2
4
TONSEL
3
GND
2
VFB1
1
VO1
SGND PGND
动力
Good2
EN2
C6
VO2
1.5 V / 10 A
10 F
Q3
IRF7821
L2
1 H
C5
0.1 F
7
PGOOD2
8
EN2
9
VBST2
10
DRVH2
11
LL2
PGND2
PGOOD1
24
TM
动力
Good1
EN1
Q1
IRF7821
C3
L1
1 H
10 F
VO1
1.05 V / 10 A
使用PowerPad
EN1
23
VBST1
22
TPS51124RGE
(QFN24)
C2
0.1 F
DRVH1
21
LL1
20
Q4
IRF8113
C4
2× 330 μF
PGND1
V5FILT
TRIP2
TRIP1
12
DRVL2
DRVL1
19
Q2
IRF8113
V5IN
C1
2× 330 μF
13
14
15
R7
3.3
16
V5IN
4.5 V至5.5 V
保护地
R6
6.8 k
C7
4.7 F
保护地
C8
1
F
17
R3
6.8
k
18
保护地
SGND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS51124
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SLVS616A - 2005年11月 - 修订2005年11月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
包
塑料四方
扁平封装（ QFN ）
订购
部分
数
TPS51124RGET
TPS51124RGER
引脚
产量
供应
带盘式
带盘式
最低
订单
QUANTITY
250
3000
环保计划
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
-40 ° C至85°C
(1)
24
所有的包装选项有铜镍钯金铅/焊球涂层。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
VBST1 ， VBST2
输入电压
范围
VBST1 ， VBST2 （ WRT LLX ）
V5IN ， V5FILT ， EN1 ， EN2 ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ， VO1 ， VO2 ， TONSEL
DRVH1 ， DRVH2
DRVH1 ， DRVH2 （ WRT LLX ）
输出电压
范围
LL1, LL2
PGOOD1 ， PGOOD2 ， DRVL1 ， DRVL2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
英镑
T
J
(1)
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
-0.3 36
-0.3 6
-0.3 6
-1到36
-0.3 6
-2 30
-0.3 6
-0.3 0.3
-40到85
-55到150
-40至125
°C
°C
°C
V
V
单位
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压
值是相对于所述网络的接地端子，除非另有说明
耗散额定值
包
24引脚QFN封装
(1)
(1)
T
A
<25°C
额定功率
2.33 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
23.3毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
0.93 W
2增强型热导
×
2散热孔散热垫下方。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源输入电压范围
输入电压范围
V5IN ， V5FILT
VBST1 ， VBST2
VBST1 ， VBST2 （ WRT LLX ）
EN1 ， EN2 ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ， VO1 ， VO2 ， TONSEL
DRVH1 ， DRVH2
DRVH1 ， DRVH2 （ WRT LLX ）
输出电压范围
LL1, LL2
PGOOD1 ， PGOOD2 ， DRVL1 ， DRVL2
PGND1 ， PGND2
T
A
2
工作环境温度范围
4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.8
–0.1
–1.8
–0.1
–0.1
–40
最大
5.5
34
5.5
5.5
34
5.5
28
5.5
0.1
85
°C
V
V
单位
V
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内， V5IN = V5FILT = 5 V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
V5FILT
I
V5INSDN
I
V5FILTSD
N
测试条件
V5FILT电流，空载，
EN1 = EN2 = 5 V ， VFB1 = VFB2 = 0.77 V，
LL1=LL2=0.5V
V5IN电流，空载， EN1 = EN2 = 0 V
V5FILT电流，空载， EN1 = EN2 = 0 V
民
典型值
最大
单位
V5FILT电源电流
V5IN关断电流
V5FILT关断电流
350
700
1
1
A
A
A
VFB电压和放电电阻
V
VFB
V
VFB
VFB调节电压
VFB调节电压
公差
在VFB调控转变
连续导通
VFB输入电流
VO放电电阻
FB电压，跳跃模式（F
PWM
/10)
T
A
= 25 ° C，带隙的初始精度
T
A
= 0 ° C至85°C
(1)
T
A
= -40 ° C至85°C
(1)
V
VFBSKIP
I
VFB
R
Dischg
0.758 -V目标电阻分压器。见PWM工作模式
详细说明
(1)
VFBx = 0.758 V，绝对值
ENX = 0 V ，氧化钒= 0.5 V ，T
A
= 25°C
源，V
VBSTx - DRVHx
= 0.5 V
水槽，V
DRVHx - LLX
= 0.5 V
源，V
V5IN–DRVLx
= 0.5 V
水槽，V
DRVLx - PGNDx
= 0.5 V
DRVHx低（ DRVHx = 1 V）到DRVLx上
（ DRVLx = 4 V） ， LL = -0.05 V，
DRVLx低（ DRVLx = 1 V）到DRVHx上
（ DRVHx = 4 V） ， LL = -0.05 V，
V
V5IN–VBSTx
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
VBST = 34 V ， LL = 28 V ，氧化钒= 5.5 V ，
T
A
= 25°C
VO1 = 1.5 V， TONSEL = GND ， LL1 = 12 V
VO1 = 1.5 V， TONSEL = FLOAT ， LL1 = 12 V
VO1 = 1.5 V， TONSEL = V5FILT ， LL1 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = GND ， LL2 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = FLOAT ， LL2 = 12 V
VO2 = 1.05 V， TONSEL = V5FILT ， LL2 = 12 V
VO2 = 0.76 V， TONSEL = V5FILT ， LL2 = 28 V
LL = -0.1 V，T
A
= 25°C ， VFB = 0.7 V
内部软启动，从ENX >时间为3 V至VFBx规定值
= 735毫伏
0.85
440
340
265
235
180
120
80
10
30
–0.9%
–1.3%
–1.6%
758
0.02
10
5
1.5
4
1
20
40
0.1
20
7
2.5
6
2.0
50
60
764
0.9%
1.3%
1.6%
mV
A
ns
ns
mV
输出：N - CHANEEL MOSFET栅极驱动器
R
DRVH
R
DRVL
DRVH性
DRVL性
T
D
死区时间
内部BST二极管
V
FBST
I
VBSTLK
正向电压
VBST泄漏电流
0.7
0.8
0.1
0.9
1
V
A
ON -TIME定时器控制和内部软启动，
T
ON11
T
ON12
T
ON13
T
ON21
T
ON22
T
ON23
T
开（分钟）
T
关（ MIN）的
T
ss
(1)
CH1 ， 240 - kHz的设置
CH1， 300千赫设置
CH1 ， 360 kHz的设置
CH 2， 300千赫设置
CH2 ， 360 kHz的设置
CH2 ， 420- kHz的设置
CH2准时
CH1 / CH2最小值。关闭时间
内部SS时间
500
390
305
270
210
150
110
435
1.2
1.40
560
440
345
305
240
180
140
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
由设计保证。未经生产测试。
3
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内， V5IN = V5FILT = 5 V （除非另有说明）
参数
UVLO /逻辑阈值
V
UV5VFILT
V
EN
I
EN
V5FILT UVLO阈值
ENX门槛
ENX输入电流
醒来
迟滞
醒来
迟滞
绝对
快
(1)
V
TONSEL
TONSEL门槛
中
(1)
慢
(1)
I
TONSEL
TONSEL输入电流
TONSEL = 0V时，电流从所述销的
(1)
TONSEL = 5V ，电流在与销
(1)
VTRIPx < 0.3 V ，T
A
= 25°C
根据
25°C
(1)
–10
(V
TRIPx -GND
– V
PGNDx - LLX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60 mV的
VPGNDx - LLX电压， PGOODx =喜
(1)
V
TRIPx -GND
电压时，所有的温度
(1)
30
9
1
1
10
4200
0
0.5
200
10
11
价值
(1)
V5FILT
–0.3
2
V5FILT
–1.0
0.5
3.7
0.2
1.0
4.0
0.3
1.3
0.2
0.02
0.1
4.3
0.4
1.5
V
V
V
V
A
V
V
V
A
A
A
PPM /°C的
mV
mV
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
电流检测
I
旅
TC
ITRIP
V
OCLoff
V
ZC
V
RTRIP
TRIP源电流
I
旅
温度coeffficent
OCP补偿偏移
零交叉检测比较
OFFSET
电流限制阈值设置
范围
电源良好比较器
PG从较低（ PGOODx云喜）
V
THPG
PG门槛
PG低迟滞（ PGOODx变为低电平）
PG从更高（ PGOODx云喜）
PG高迟滞（ PGOODx变为低电平）
I
PGMAX
T
PGDEL
V
OVP
T
OVPDEL
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
PG灌电流
PG延迟
输出过压保护门限
输出OVP传播延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟
输出的UVP延迟启用
1.7后
×
TSS， UVP保护从事
关断温度
(1)
迟滞
(1)
UVP检测
迟滞（恢复< 20
s)
20
1.4
65%
PGOODx = 0.5 V
延迟的PG
OVP检测
2.5
400
110%
102.5%
92.5%
95%
–5%
105%
5%
5.0
510
115%
1.5
70%
10%
32
2
160
10
40
2.4
s
ms
75%
620
120%
s
mA
s
107.5%
97.5%
输出欠压和过压保护
热关断
T
SDN
热关断阈值
°C
(1)
由设计保证。未经生产测试。
4
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设备信息
终端功能
终奌站
名字
DRVH1
DRVH2
DRVL1
DRVL2
EN1
EN2
GND
LL1
LL2
PGND1
PGND2
PGOOD1
PGOOD2
TONSEL
TRIP1
TRIP2
VBST1
VBST2
VFB1
VFB2
VO1
VO2
V5FILT
V5IN
号
21
10
19
12
23
8
3
20
11
18
13
24
7
4
17
14
22
9
2
5
1
6
15
16
I
I
O
I
I / O
O
O
I
I
I / O
I / O
描述
同步的高边MOSFET驱动器输出。 LL节点参考文献的浮动驱动程序。栅极驱动器
电压由跨VBST的电压LL节点飞跨电容限定。
同步低侧MOSFET驱动器输出。保护地引用驱动程序。栅极驱动电压是
通过V5IN电压定义。
通道1和通道2的使能引脚。连接到5 V或3.3 V开启开关电源
信号接地引脚
高侧驱动器开关节点连接返回。还用作输入到电流比较器和输入
电压监视器，用于导通时间控制电路。
地回报DRVL1和DRVL2 。也可作为当前比较器的输入。连接PGND1 ，
PGND2和GND极力撮合附近的IC 。输出放电电流流经该引脚也。
电源良好窗口比较器的开漏输出通道1和2上拉了一个电阻到5 V或
适当的信号电压。电流容量为5毫安。 PGOOD变高0.5毫秒后VFB来内
规定的限值。电源坏了，或者终端变低，不到10
s.
在时间选择引脚。看
表1中。
过电流跳变点设置输入。从这个引脚电阻连接到GND设定的阈值进行同步
低压侧R
DS （ ON）
感。两端的电压此引脚与GND进行比较，在整个保护地和LL电压
过流比较器。
供应同步的高边MOSFET驱动器（升压站）的输入。从这个引脚连接电容
以各自的LL终端。一个内部的PN二极管连接V5IN之间的每一个这些引脚。用户
可以添加外部肖特基二极管，如果正向压降是非常关键的驱动MOSFET 。
开关电源电压反馈输入。连接的反馈电阻分压器。
输出连接到开关电源。这些终端有两个功能：导通时间的调整和输出
放电。
5 V电源输入，除了MOSFET驱动器的整个控制电路。连接RC低通
从V5IN过滤器V5FILT 。
5 V电源输入FET的栅极驱动器。内部连接到VBSTx由PN结二极管。
QFN封装
（ TOP VIEW ）
I
I
I
I
PGOOD1
DR VH1
24 23
22 21 20 19
48
17
16
15
14
13
VO1
VFB1
GND
TONSEL
VFB2
VO2
DR VL1
VBST1
EN1
LL1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
PGND1
TRIP1
V5IN
V5FILT
TRIP2
PGND2
PGOOD2
EN2
DR VH2
DR VL2
VBST2
LL2
5
QQ：2880707522 复制
