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TSM4420
引脚分配：
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ，6，7 ， 8，漏极
初步
N沟道增强型MOSFET
V
DS
= 25V
I
D
= 13.5A
R
DS （ ON）
， V GS @ 10V ， IDS @ 13.5A = 8.5mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ 4.5V ， IDS @ 11A = 11MΩ
特点
先进的加工技术
对于超低高密度电池设计
导通电阻
充分界定雪崩电压和电流
框图
订购信息
产品型号
TSM4420CS
填料
包
SOP-8
磁带&卷轴
（ 2,500pcs /卷）
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
25
±20
13.5
50
2
1.3
+150
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注：1，最大直流电流受限于包
2
2. 1在2盎司铜PCB板
符号
R
θJC
R
θJA
极限
2.2
50
单位
o
C / W
TSM4420
1-3
2005/08转。 B
电气特性
T
J
= 25℃，除非另有说明
o
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 11A
V
GS
= 10V ，我
D
= 13.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
25
--
--
1.0
--
--
--
--
9
7
--
--
--
50
--
11
8.5
3.0
1.0
±100
--
V
mΩ
mΩ
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= 1A ，V
根
= 10V,
R
G
= 24Ω
V
DS
= 15V ，我
D
= 13.5A,
V
GS
= 5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
--
--
--
--
--
--
--
--
6.6
4.0
15
11
40
12
25
--
--
25
18
60
20
nS
nC
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
注意事项：1.脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
2.忽略不计，占主导地位的电路电感。
I
S
V
SD
--
--
--
0.75
50
1.1
A
V
TSM4420
2-3
2005/08转。 B
SOP- 8机械制图
SOP- 8尺寸
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
0
MILLIMETERS
民
4.80
3.80
1.35
0.35
0.40
0.10
o
英寸
民
0.189
0.150
0.054
0.014
0.016
0.004
0
o
最大
5.00
4.00
1.75
0.49
1.25
0.25
7
o
最大
0.196
0.157
0.068
0.019
0.049
0.009
7
o
1.27 （ TYP ）
0.05 （典型值）
5.80
0.25
6.20
0.50
0.229
0.010
0.244
0.019
TSM4420
3-3
2005/08转。 B
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TDA5666-5
TLE2144MFKB
TLV274IDR
TS80C32X2
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    TSM4420CS
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电话：0755-83223003
联系人：朱
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TSM4420CS
TSM
24+
8640
SOP-8
全新原装现货，原厂代理。
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TSM4420CS
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