TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭
三端离线式PWM开关
产品亮点
低成本替代离散切换器
20到50更少的组件 - 削减成本,提高可靠性
源连接选项卡,并控制MOSFET的导通
降低EMI和EMI滤波器的成本
允许更小50 %,重量减轻的解决方案
成本与线性电源上面的5 W的竞争
最多在反激式拓扑90 %的效率
内置启动和电流限制降低DC损耗
低电容700 V MOSFET切断交流损耗
CMOS控制器/栅极驱动器的功耗仅为6毫瓦
70 %的最大占空比最大程度地减少传导损耗
简化设计 - 缩短上市时间
支持多种参考设计板
集成PWM控制器和700 V MOSFET的
行业标准的三引脚TO- 220封装
只有一个外部电容器所需要的补偿,
旁路和启动/自动重启动功能
系统级故障保护功能
自动重启动和逐周期电流限制功能
处理初级和次级断层
片锁存热关断保护整
系统免受过载
高度灵活的
实现降压,升压,反激或正激拓扑
轻松与两个光电和主反馈接口
支持操作的连续的或不连续模式
AC
IN
漏
来源
控制
TOPSwitch的
PI-1703-112995
图1.典型应用。
TOPSwitch的
选购指南
输出功率范围
订单
部分
数
反激式
230 VAC或
110 VAC
W /倍频
85-265
VAC
PFC /
BOOST
230/277
VAC
TOP200YAI*
TOP201YAI*
TOP202YAI*
0-25 W
20-45 W
30-60 W
40-70 W
50-85 W
0-12 W
10-22 W
15-30 W
20-35 W
25-42 W
0-25 W
20-50 W
30-75 W
50-100 W
60-125 W
75-150 W
描述
该
TOPSwitch的
家庭实现了,只有三个引脚,所有
必要的功能为一个离线开关模式控制
系统:高压N沟道功率MOSFET具有可控
导通栅极驱动器,电压模式PWM控制器
集成的100 kHz振荡器,高压启动偏置电路,
带隙基准推导,偏置分流稳压器/误差放大器
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或自激振荡( RCC )
开关转换器解决方案,一
TOPSwitch的
集成电路
可以降低总成本,元件数量,尺寸,重量和在
同时提高效率和系统可靠性。这些
TOP203YAI*
TOP214YAI*
TOP204YAI*
60-100 W 30-50 W
*封装外形: Y03A
设备适用于100/110/230 VAC离线电源
电源应用中的0到100 W( 050 W通用)
范围和二百七十七分之二百三十○ VAC的离线功率因数校正(PFC)
应用在0至150瓦范围内。
1996年7月
TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭功能描述
TOPSwitch的
是一种自偏置和保护
线性控制电流 - 占空比
转换器的开漏输出。
高效率是通过实现
使用CMOS和整合
功能可能的最大数量。
CMOS显著降低偏置
电流相比,双极或
分立式解决方案。集成消除
用于电流的外部电阻器的功率
传感和/或提供初始启动
偏置电流。
在正常操作期间,内部
输出MOSFET的占空比线性
随增加的控制
引脚电流,如图4。
执行所有必要的控制,偏差,
和保护功能,漏极
和控制引脚的每个执行
下面介绍的几个功能。
请参考图2为一个方框图
及图6为定时和电压
的波形
TOPSwitch的
集成
电路。
控制电源电压
控制引脚电压V
C
是供给
或偏置电压控制器和
驱动电路。一个外部旁路
电容紧密相连的
控制和源极引脚为
提供栅极的驱动电流需要。
电容的总量
连接到该管脚(C
T
)还设置了
自动重启动定时以及控制
环路补偿。 V
C
被限制在
的两种操作模式两种。
磁滞调节被用于初始
启动和超负荷运行。分流
调节用于分隔占空比
来自控制电路的周期误差信号
电源电流。在启动过程中,V
C
电流从高电压供给
开关电流源连接
内部漏极之间
控制引脚。电流源
提供足够的电流供给
控制电路,以及充电
总的外部电容(C
T
).
自动重启
DMAX
IB
斜率= PWM增益
-16%/mA
占空比( % )
DMIN
ICD1 2.5
6.5
45
PI-1691-112895
IC (MA )
占空比图4.关系到控制引脚电流。
VC
5.7 V
4.7 V
0
VIN
0
IC
CT充电
关闭
漏
开关
(a)
IC
CT充电
ICD1
排CT
ICD2
排CT
VC
5.7 V
4.7 V
8个周期
0
95%
5%
关闭
漏
VIN
0
关闭
关闭
开关
开关
(b)
C
T
是总的外部电容
连接到控制引脚
PI-1124A-060694
图5.启动波形为(一)正常运行和(b )自动重新启动。
D
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3
TOP200-4/14
VIN
VIN
漏
0
VOUT
0
IOUT
0
1
2
8
1
2
8
1
VC (复位)
45毫安
VC
0
1
2
8
1
2
8
1
IC
0
1
2
3
4
1
PI-1119-110194
图6.典型波形为( 1 )正常工作, ( 2 )自动重启, ( 3 )锁存关断,以及( 4 )掉电复位。
关断/自动重启动
为了最大限度地减少
TOPSwitch的
动力
损耗,关断/自动重启动
电路接通电源打开和关闭
在通常为5 % ,如果一个彻头彻尾的占空比
监管的情况仍然存在。损失
监管中断外部电流
到控制引脚。 V
C
规
从分流模式的变化
迟滞自动重启动模式说明
以上。当故障状况是否
移除时,电源输出
变为可调,V
C
调控的回报
以分流模式,正常运行
供电恢复。
锁存关断
输出过压保护锁存器
是由一个大电流脉冲激活成
控制引脚。设置时,锁存器
关闭
TOPSwitch的
输出。
激活由电复位电路
去除和恢复的输入功率,或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
过热保护
温度保护是由设置
高精度模拟电路,接通
输出MOSFET关断时的结
温度超过热
切断温度(通常为145 ℃)。
激活由电复位电路
删除和恢复输入功率或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
高压偏置电流源
该电流源偏置
TOPSwitch的
从漏极引脚与收费
控制脚的外接电容
(C
T
)在启动期间或迟滞
操作。出现迟滞工作
在自动重启动和锁定
关机。电流源切换
打开和关闭的有效占空比
大约35%。这占空比
受控制的比例确定
脚充电(我
C
)和放电电流
(I
CD1
我
CD2
) 。这个电流源是
正常运行时期间关闭
输出MOSFET的开关。
D
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家庭
三端离线式PWM开关
产品亮点
低成本替代离散切换器
20到50更少的组件 - 削减成本,提高可靠性
源连接选项卡,并控制MOSFET的导通
降低EMI和EMI滤波器的成本
允许更小50 %,重量减轻的解决方案
成本与线性电源上面的5 W的竞争
最多在反激式拓扑90 %的效率
内置启动和电流限制降低DC损耗
低电容700 V MOSFET切断交流损耗
CMOS控制器/栅极驱动器的功耗仅为6毫瓦
70 %的最大占空比最大程度地减少传导损耗
简化设计 - 缩短上市时间
支持多种参考设计板
集成PWM控制器和700 V MOSFET的
行业标准的三引脚TO- 220封装
只有一个外部电容器所需要的补偿,
旁路和启动/自动重启动功能
系统级故障保护功能
自动重启动和逐周期电流限制功能
处理初级和次级断层
片锁存热关断保护整
系统免受过载
高度灵活的
实现降压,升压,反激或正激拓扑
轻松与两个光电和主反馈接口
支持操作的连续的或不连续模式
AC
IN
漏
来源
控制
TOPSwitch的
PI-1703-112995
图1.典型应用。
TOPSwitch的
选购指南
输出功率范围
订单
部分
数
反激式
230 VAC或
110 VAC
W /倍频
85-265
VAC
PFC /
BOOST
230/277
VAC
TOP200YAI*
TOP201YAI*
TOP202YAI*
0-25 W
20-45 W
30-60 W
40-70 W
50-85 W
0-12 W
10-22 W
15-30 W
20-35 W
25-42 W
0-25 W
20-50 W
30-75 W
50-100 W
60-125 W
75-150 W
描述
该
TOPSwitch的
家庭实现了,只有三个引脚,所有
必要的功能为一个离线开关模式控制
系统:高压N沟道功率MOSFET具有可控
导通栅极驱动器,电压模式PWM控制器
集成的100 kHz振荡器,高压启动偏置电路,
带隙基准推导,偏置分流稳压器/误差放大器
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或自激振荡( RCC )
开关转换器解决方案,一
TOPSwitch的
集成电路
可以降低总成本,元件数量,尺寸,重量和在
同时提高效率和系统可靠性。这些
TOP203YAI*
TOP214YAI*
TOP204YAI*
60-100 W 30-50 W
*封装外形: Y03A
设备适用于100/110/230 VAC离线电源
电源应用中的0到100 W( 050 W通用)
范围和二百七十七分之二百三十○ VAC的离线功率因数校正(PFC)
应用在0至150瓦范围内。
1996年7月
TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭功能描述
TOPSwitch的
是一种自偏置和保护
线性控制电流 - 占空比
转换器的开漏输出。
高效率是通过实现
使用CMOS和整合
功能可能的最大数量。
CMOS显著降低偏置
电流相比,双极或
分立式解决方案。集成消除
用于电流的外部电阻器的功率
传感和/或提供初始启动
偏置电流。
在正常操作期间,内部
输出MOSFET的占空比线性
随增加的控制
引脚电流,如图4。
执行所有必要的控制,偏差,
和保护功能,漏极
和控制引脚的每个执行
下面介绍的几个功能。
请参考图2为一个方框图
及图6为定时和电压
的波形
TOPSwitch的
集成
电路。
控制电源电压
控制引脚电压V
C
是供给
或偏置电压控制器和
驱动电路。一个外部旁路
电容紧密相连的
控制和源极引脚为
提供栅极的驱动电流需要。
电容的总量
连接到该管脚(C
T
)还设置了
自动重启动定时以及控制
环路补偿。 V
C
被限制在
的两种操作模式两种。
磁滞调节被用于初始
启动和超负荷运行。分流
调节用于分隔占空比
来自控制电路的周期误差信号
电源电流。在启动过程中,V
C
电流从高电压供给
开关电流源连接
内部漏极之间
控制引脚。电流源
提供足够的电流供给
控制电路,以及充电
总的外部电容(C
T
).
自动重启
DMAX
IB
斜率= PWM增益
-16%/mA
占空比( % )
DMIN
ICD1 2.5
6.5
45
PI-1691-112895
IC (MA )
占空比图4.关系到控制引脚电流。
VC
5.7 V
4.7 V
0
VIN
0
IC
CT充电
关闭
漏
开关
(a)
IC
CT充电
ICD1
排CT
ICD2
排CT
VC
5.7 V
4.7 V
8个周期
0
95%
5%
关闭
漏
VIN
0
关闭
关闭
开关
开关
(b)
C
T
是总的外部电容
连接到控制引脚
PI-1124A-060694
图5.启动波形为(一)正常运行和(b )自动重新启动。
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VIN
VIN
漏
0
VOUT
0
IOUT
0
1
2
8
1
2
8
1
VC (复位)
45毫安
VC
0
1
2
8
1
2
8
1
IC
0
1
2
3
4
1
PI-1119-110194
图6.典型波形为( 1 )正常工作, ( 2 )自动重启, ( 3 )锁存关断,以及( 4 )掉电复位。
关断/自动重启动
为了最大限度地减少
TOPSwitch的
动力
损耗,关断/自动重启动
电路接通电源打开和关闭
在通常为5 % ,如果一个彻头彻尾的占空比
监管的情况仍然存在。损失
监管中断外部电流
到控制引脚。 V
C
规
从分流模式的变化
迟滞自动重启动模式说明
以上。当故障状况是否
移除时,电源输出
变为可调,V
C
调控的回报
以分流模式,正常运行
供电恢复。
锁存关断
输出过压保护锁存器
是由一个大电流脉冲激活成
控制引脚。设置时,锁存器
关闭
TOPSwitch的
输出。
激活由电复位电路
去除和恢复的输入功率,或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
过热保护
温度保护是由设置
高精度模拟电路,接通
输出MOSFET关断时的结
温度超过热
切断温度(通常为145 ℃)。
激活由电复位电路
删除和恢复输入功率或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
高压偏置电流源
该电流源偏置
TOPSwitch的
从漏极引脚与收费
控制脚的外接电容
(C
T
)在启动期间或迟滞
操作。出现迟滞工作
在自动重启动和锁定
关机。电流源切换
打开和关闭的有效占空比
大约35%。这占空比
受控制的比例确定
脚充电(我
C
)和放电电流
(I
CD1
我
CD2
) 。这个电流源是
正常运行时期间关闭
输出MOSFET的开关。
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