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TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭
三端离线式PWM开关
产品亮点
低成本替代离散切换器
20到50更少的组件 - 削减成本,提高可靠性
源连接选项卡,并控制MOSFET的导通
降低EMI和EMI滤波器的成本
允许更小50 %,重量减轻的解决方案
成本与线性电源上面的5 W的竞争
最多在反激式拓扑90 %的效率
内置启动和电流限制降低DC损耗
低电容700 V MOSFET切断交流损耗
CMOS控制器/栅极驱动器的功耗仅为6毫瓦
70 %的最大占空比最大程度地减少传导损耗
简化设计 - 缩短上市时间
支持多种参考设计板
集成PWM控制器和700 V MOSFET的
行业标准的三引脚TO- 220封装
只有一个外部电容器所需要的补偿,
旁路和启动/自动重启动功能
系统级故障保护功能
自动重启动和逐周期电流限制功能
处理初级和次级断层
片锁存热关断保护整
系统免受过载
高度灵活的
实现降压,升压,反激或正激拓扑
轻松与两个光电和主反馈接口
支持操作的连续的或不连续模式
AC
IN
来源
控制
TOPSwitch的
PI-1703-112995
图1.典型应用。
TOPSwitch的
选购指南
输出功率范围
订单
部分
反激式
230 VAC或
110 VAC
W /倍频
85-265
VAC
PFC /
BOOST
230/277
VAC
TOP200YAI*
TOP201YAI*
TOP202YAI*
0-25 W
20-45 W
30-60 W
40-70 W
50-85 W
0-12 W
10-22 W
15-30 W
20-35 W
25-42 W
0-25 W
20-50 W
30-75 W
50-100 W
60-125 W
75-150 W
描述
TOPSwitch的
家庭实现了,只有三个引脚,所有
必要的功能为一个离线开关模式控制
系统:高压N沟道功率MOSFET具有可控
导通栅极驱动器,电压模式PWM控制器
集成的100 kHz振荡器,高压启动偏置电路,
带隙基准推导,偏置分流稳压器/误差放大器
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或自激振荡( RCC )
开关转换器解决方案,一
TOPSwitch的
集成电路
可以降低总成本,元件数量,尺寸,重量和在
同时提高效率和系统可靠性。这些
TOP203YAI*
TOP214YAI*
TOP204YAI*
60-100 W 30-50 W
*封装外形: Y03A
设备适用于100/110/230 VAC离线电源
电源应用中的0到100 W( 050 W通用)
范围和二百七十七分之二百三十○ VAC的离线功率因数校正(PFC)
应用在0至150瓦范围内。
1996年7月
TOP200-4/14
VC
控制
ZC
并联稳压器/
误差放大器器
-
+
5.7 V
5.7 V
4.7 V
0
1
国内
供应
SHUTDOWN /
自动重启
+
-
÷
8
上电
RESET
EXTERNALLY
引发
关闭
IFB
关闭
+
R
S
Q
-
Q
VI
极限
振荡器
DMAX
时钟
SAW
控制
开启
司机
-
+
PWM
比较
S
R
Q
Q
领导
EDGE
消隐
最低
ON- TIME
延迟
RE
来源
PI-1746-011796
图2.功能框图。
引脚功能描述
漏针:
输出MOSFET的漏极连接。提供内部偏置
通过内部启动操作过程中的电流切换高
电流源。内部电流检测点。
控制引脚:
误差放大器和反馈电流的输入脚,用于占空比
控制权。内部并联稳压器连接,以提供内部
在正常操作期间的偏置电流。触发输入锁存
关机。它也可以用来作为电源旁路和自动重启动/
补偿电容连接点。
源极引脚:
MOSFET的源极连接。初级侧电路
通用,电源回路和参考点。
SOURCE ( TAB )
控制
的TO-220 /3( YO3A )
PI-1065A-110194
图3.引脚CON组fi guration 。
2
D
7/96
TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭功能描述
TOPSwitch的
是一种自偏置和保护
线性控制电流 - 占空比
转换器的开漏输出。
高效率是通过实现
使用CMOS和整合
功能可能的最大数量。
CMOS显著降低偏置
电流相比,双极或
分立式解决方案。集成消除
用于电流的外部电阻器的功率
传感和/或提供初始启动
偏置电流。
在正常操作期间,内部
输出MOSFET的占空比线性
随增加的控制
引脚电流,如图4。
执行所有必要的控制,偏差,
和保护功能,漏极
和控制引脚的每个执行
下面介绍的几个功能。
请参考图2为一个方框图
及图6为定时和电压
的波形
TOPSwitch的
集成
电路。
控制电源电压
控制引脚电压V
C
是供给
或偏置电压控制器和
驱动电路。一个外部旁路
电容紧密相连的
控制和源极引脚为
提供栅极的驱动电流需要。
电容的总量
连接到该管脚(C
T
)还设置了
自动重启动定时以及控制
环路补偿。 V
C
被限制在
的两种操作模式两种。
磁滞调节被用于初始
启动和超负荷运行。分流
调节用于分隔占空比
来自控制电路的周期误差信号
电源电流。在启动过程中,V
C
电流从高电压供给
开关电流源连接
内部漏极之间
控制引脚。电流源
提供足够的电流供给
控制电路,以及充电
总的外部电容(C
T
).
自动重启
DMAX
IB
斜率= PWM增益
-16%/mA
占空比( % )
DMIN
ICD1 2.5
6.5
45
PI-1691-112895
IC (MA )
占空比图4.关系到控制引脚电流。
VC
5.7 V
4.7 V
0
VIN
0
IC
CT充电
关闭
开关
(a)
IC
CT充电
ICD1
排CT
ICD2
排CT
VC
5.7 V
4.7 V
8个周期
0
95%
5%
关闭
VIN
0
关闭
关闭
开关
开关
(b)
C
T
是总的外部电容
连接到控制引脚
PI-1124A-060694
图5.启动波形为(一)正常运行和(b )自动重新启动。
D
7/96
3
TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭功能说明(续)
第一时间V
C
到达上
阈值时,高压电流
源被关断,并且PWM
调制器和输出晶体管是
激活时,如图5( a)所示。
在正常操作期间(当
输出电压调节)反馈
控制电流供应V
C
供应
电流。分流调节器保持V
C
at
通常5.7 V通过分流控制
反馈引脚电流超过
所需的直流电源的电流通过
PWM误差信号感应电阻R
E
。该
该引脚的低动态阻抗(Z
C
)
设置误差放大器时的增益
在初级反馈使用
配置。动态阻抗
控制引脚一起的
外部电阻和电容
确定控制环路
补偿的电力系统中。
如果控制引脚的外部
电容(C
T
)应排出到
下限阈值,则输出
MOSFET被关断和控制
电路被放置在低电流待机
模式。高压电流源
导通和充电外部
再次电容。充电电流是
带有负极性示出并
放电电流被示为具有
在图6中的正极性
迟滞自动重启一直比较
V
C
内的典型的4.7到窗口
5.7 V通过将高压电流
源开和关,如图
图5(b ) 。自动重启动电路具有分频
由8计数器从而防止输出
再次接通,直到MOSFET
8次充放电循环有
已过。柜台有效地限制
TOPSwitch的
通过功耗
降低自动重启占空比
通常为5 %。自动重启动继续
循环,直到输出电压调节是
再次实现。
带隙基准
所有的关键
TOPSwitch的
内部电压
是从一个具有温度衍生
补偿的带隙基准。这
参考也被用来产生一个
温度补偿电流源
其修剪成精确地设定
振荡器频率和MOSFET的栅极
驱动电流。
振荡器
内部振荡器线性充
并排出内部电容
两者之间的电压电平来创建
对于脉冲宽度锯齿波形
调制器。该振荡器设置脉冲
宽度调制器/在电流限制锁存器
每个周期的开始。标称
100kHz的频率被选择为
降低EMI ,提高效率
在电源应用中。修剪
的电流基准提高
振荡器的频率精度。
脉宽调制器
脉冲宽度调制器工具
通过驱动电压模式控制环路
输出MOSFET的占空比
成反比的电流
流入控制引脚。该
R两端误差信号
E
由过滤
RC网络与典型的角落
7千赫频率降低的效果
开关噪声。经滤波的误差
信号与内部相比
振荡器产生的锯齿波形生成
占空比的波形。作为控制
电流增加时,占空比
减小。从时钟信号
振荡器设置一个锁而打开的
输出MOSFET 。脉冲宽度
调制器,使锁存器复位,关闭
输出MOSFET 。最大
占空比由的对称性设置
内部振荡器。该调制器具有一个
最小导通时间,以保持当前
的消耗
TOPSwitch的
独立的误差信号。记
该最小电流必须被驱动
进入税前控制引脚
周期开始变化。
栅极驱动器
栅极驱动器被设计成转动
上以控制的速率输出MOSFET
以减少共模EMI。该
栅极驱动电流,修剪
改进的精度。
误差放大器器
分路调节器还可以执行
在主误差放大器的功能
反馈应用。分流
调整器的电压得出
从补偿温度
带隙基准源。误差的增益
放大器通过控制引脚设置
动态阻抗。该控制
销外部电路信号钳位到
V
C
电压电平。控制引脚
电流超过电源电流的是
由并联稳压器分离和
通过R FL OWS
E
作为误差信号。
逐周期电流限制
通过周期峰值漏极电流的周期
限制电路以MOSFET
导通电阻作为电流采样电阻。一
电流限制比较器比较
MOSFET的导通状态下的漏 - 源
电压,V
DS (ON ) ,
与阈值电压。
高漏极电流导致V
DS ( ON)
to
超过阈值电压和匝数
输出MOSFET关断,直到开始
在下一个时钟周期。电流限制
比较器的阈值电压是
温度补偿,以减少
有效的峰值电流的变化
由于极限温度的变化有关
在输出MOSFET
DS ( ON)
.
前沿消隐电路抑制
该电流限流比较短
输出MOSFET之后的时间被接通
上。前沿消隐时间
设置这样造成的电流尖峰
初级侧电容和
次级整流管反向恢复
时间不会引起早产
终止开关脉冲。
4
D
7/96
TOP200-4/14
VIN
VIN
0
VOUT
0
IOUT
0
1
2
8
1
2
8
1
VC (复位)
45毫安
VC
0
1
2
8
1
2
8
1
IC
0
1
2
3
4
1
PI-1119-110194
图6.典型波形为( 1 )正常工作, ( 2 )自动重启, ( 3 )锁存关断,以及( 4 )掉电复位。
关断/自动重启动
为了最大限度地减少
TOPSwitch的
动力
损耗,关断/自动重启动
电路接通电源打开和关闭
在通常为5 % ,如果一个彻头彻尾的占空比
监管的情况仍然存在。损失
监管中断外部电流
到控制引脚。 V
C
从分流模式的变化
迟滞自动重启动模式说明
以上。当故障状况是否
移除时,电源输出
变为可调,V
C
调控的回报
以分流模式,正常运行
供电恢复。
锁存关断
输出过压保护锁存器
是由一个大电流脉冲激活成
控制引脚。设置时,锁存器
关闭
TOPSwitch的
输出。
激活由电复位电路
去除和恢复的输入功率,或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
过热保护
温度保护是由设置
高精度模拟电路,接通
输出MOSFET关断时的结
温度超过热
切断温度(通常为145 ℃)。
激活由电复位电路
删除和恢复输入功率或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
高压偏置电流源
该电流源偏置
TOPSwitch的
从漏极引脚与收费
控制脚的外接电容
(C
T
)在启动期间或迟滞
操作。出现迟滞工作
在自动重启动和锁定
关机。电流源切换
打开和关闭的有效占空比
大约35%。这占空比
受控制的比例确定
脚充电(我
C
)和放电电流
(I
CD1
CD2
) 。这个电流源是
正常运行时期间关闭
输出MOSFET的开关。
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TOPSwitch的
家庭
三端离线式PWM开关
产品亮点
低成本替代离散切换器
20到50更少的组件 - 削减成本,提高可靠性
源连接选项卡,并控制MOSFET的导通
降低EMI和EMI滤波器的成本
允许更小50 %,重量减轻的解决方案
成本与线性电源上面的5 W的竞争
最多在反激式拓扑90 %的效率
内置启动和电流限制降低DC损耗
低电容700 V MOSFET切断交流损耗
CMOS控制器/栅极驱动器的功耗仅为6毫瓦
70 %的最大占空比最大程度地减少传导损耗
简化设计 - 缩短上市时间
支持多种参考设计板
集成PWM控制器和700 V MOSFET的
行业标准的三引脚TO- 220封装
只有一个外部电容器所需要的补偿,
旁路和启动/自动重启动功能
系统级故障保护功能
自动重启动和逐周期电流限制功能
处理初级和次级断层
片锁存热关断保护整
系统免受过载
高度灵活的
实现降压,升压,反激或正激拓扑
轻松与两个光电和主反馈接口
支持操作的连续的或不连续模式
AC
IN
来源
控制
TOPSwitch的
PI-1703-112995
图1.典型应用。
TOPSwitch的
选购指南
输出功率范围
订单
部分
反激式
230 VAC或
110 VAC
W /倍频
85-265
VAC
PFC /
BOOST
230/277
VAC
TOP200YAI*
TOP201YAI*
TOP202YAI*
0-25 W
20-45 W
30-60 W
40-70 W
50-85 W
0-12 W
10-22 W
15-30 W
20-35 W
25-42 W
0-25 W
20-50 W
30-75 W
50-100 W
60-125 W
75-150 W
描述
TOPSwitch的
家庭实现了,只有三个引脚,所有
必要的功能为一个离线开关模式控制
系统:高压N沟道功率MOSFET具有可控
导通栅极驱动器,电压模式PWM控制器
集成的100 kHz振荡器,高压启动偏置电路,
带隙基准推导,偏置分流稳压器/误差放大器
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或自激振荡( RCC )
开关转换器解决方案,一
TOPSwitch的
集成电路
可以降低总成本,元件数量,尺寸,重量和在
同时提高效率和系统可靠性。这些
TOP203YAI*
TOP214YAI*
TOP204YAI*
60-100 W 30-50 W
*封装外形: Y03A
设备适用于100/110/230 VAC离线电源
电源应用中的0到100 W( 050 W通用)
范围和二百七十七分之二百三十○ VAC的离线功率因数校正(PFC)
应用在0至150瓦范围内。
1996年7月
TOP200-4/14
VC
控制
ZC
并联稳压器/
误差放大器器
-
+
5.7 V
5.7 V
4.7 V
0
1
国内
供应
SHUTDOWN /
自动重启
+
-
÷
8
上电
RESET
EXTERNALLY
引发
关闭
IFB
关闭
+
R
S
Q
-
Q
VI
极限
振荡器
DMAX
时钟
SAW
控制
开启
司机
-
+
PWM
比较
S
R
Q
Q
领导
EDGE
消隐
最低
ON- TIME
延迟
RE
来源
PI-1746-011796
图2.功能框图。
引脚功能描述
漏针:
输出MOSFET的漏极连接。提供内部偏置
通过内部启动操作过程中的电流切换高
电流源。内部电流检测点。
控制引脚:
误差放大器和反馈电流的输入脚,用于占空比
控制权。内部并联稳压器连接,以提供内部
在正常操作期间的偏置电流。触发输入锁存
关机。它也可以用来作为电源旁路和自动重启动/
补偿电容连接点。
源极引脚:
MOSFET的源极连接。初级侧电路
通用,电源回路和参考点。
SOURCE ( TAB )
控制
的TO-220 /3( YO3A )
PI-1065A-110194
图3.引脚CON组fi guration 。
2
D
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TOPSwitch的
家庭功能描述
TOPSwitch的
是一种自偏置和保护
线性控制电流 - 占空比
转换器的开漏输出。
高效率是通过实现
使用CMOS和整合
功能可能的最大数量。
CMOS显著降低偏置
电流相比,双极或
分立式解决方案。集成消除
用于电流的外部电阻器的功率
传感和/或提供初始启动
偏置电流。
在正常操作期间,内部
输出MOSFET的占空比线性
随增加的控制
引脚电流,如图4。
执行所有必要的控制,偏差,
和保护功能,漏极
和控制引脚的每个执行
下面介绍的几个功能。
请参考图2为一个方框图
及图6为定时和电压
的波形
TOPSwitch的
集成
电路。
控制电源电压
控制引脚电压V
C
是供给
或偏置电压控制器和
驱动电路。一个外部旁路
电容紧密相连的
控制和源极引脚为
提供栅极的驱动电流需要。
电容的总量
连接到该管脚(C
T
)还设置了
自动重启动定时以及控制
环路补偿。 V
C
被限制在
的两种操作模式两种。
磁滞调节被用于初始
启动和超负荷运行。分流
调节用于分隔占空比
来自控制电路的周期误差信号
电源电流。在启动过程中,V
C
电流从高电压供给
开关电流源连接
内部漏极之间
控制引脚。电流源
提供足够的电流供给
控制电路,以及充电
总的外部电容(C
T
).
自动重启
DMAX
IB
斜率= PWM增益
-16%/mA
占空比( % )
DMIN
ICD1 2.5
6.5
45
PI-1691-112895
IC (MA )
占空比图4.关系到控制引脚电流。
VC
5.7 V
4.7 V
0
VIN
0
IC
CT充电
关闭
开关
(a)
IC
CT充电
ICD1
排CT
ICD2
排CT
VC
5.7 V
4.7 V
8个周期
0
95%
5%
关闭
VIN
0
关闭
关闭
开关
开关
(b)
C
T
是总的外部电容
连接到控制引脚
PI-1124A-060694
图5.启动波形为(一)正常运行和(b )自动重新启动。
D
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TOPSwitch的
家庭功能说明(续)
第一时间V
C
到达上
阈值时,高压电流
源被关断,并且PWM
调制器和输出晶体管是
激活时,如图5( a)所示。
在正常操作期间(当
输出电压调节)反馈
控制电流供应V
C
供应
电流。分流调节器保持V
C
at
通常5.7 V通过分流控制
反馈引脚电流超过
所需的直流电源的电流通过
PWM误差信号感应电阻R
E
。该
该引脚的低动态阻抗(Z
C
)
设置误差放大器时的增益
在初级反馈使用
配置。动态阻抗
控制引脚一起的
外部电阻和电容
确定控制环路
补偿的电力系统中。
如果控制引脚的外部
电容(C
T
)应排出到
下限阈值,则输出
MOSFET被关断和控制
电路被放置在低电流待机
模式。高压电流源
导通和充电外部
再次电容。充电电流是
带有负极性示出并
放电电流被示为具有
在图6中的正极性
迟滞自动重启一直比较
V
C
内的典型的4.7到窗口
5.7 V通过将高压电流
源开和关,如图
图5(b ) 。自动重启动电路具有分频
由8计数器从而防止输出
再次接通,直到MOSFET
8次充放电循环有
已过。柜台有效地限制
TOPSwitch的
通过功耗
降低自动重启占空比
通常为5 %。自动重启动继续
循环,直到输出电压调节是
再次实现。
带隙基准
所有的关键
TOPSwitch的
内部电压
是从一个具有温度衍生
补偿的带隙基准。这
参考也被用来产生一个
温度补偿电流源
其修剪成精确地设定
振荡器频率和MOSFET的栅极
驱动电流。
振荡器
内部振荡器线性充
并排出内部电容
两者之间的电压电平来创建
对于脉冲宽度锯齿波形
调制器。该振荡器设置脉冲
宽度调制器/在电流限制锁存器
每个周期的开始。标称
100kHz的频率被选择为
降低EMI ,提高效率
在电源应用中。修剪
的电流基准提高
振荡器的频率精度。
脉宽调制器
脉冲宽度调制器工具
通过驱动电压模式控制环路
输出MOSFET的占空比
成反比的电流
流入控制引脚。该
R两端误差信号
E
由过滤
RC网络与典型的角落
7千赫频率降低的效果
开关噪声。经滤波的误差
信号与内部相比
振荡器产生的锯齿波形生成
占空比的波形。作为控制
电流增加时,占空比
减小。从时钟信号
振荡器设置一个锁而打开的
输出MOSFET 。脉冲宽度
调制器,使锁存器复位,关闭
输出MOSFET 。最大
占空比由的对称性设置
内部振荡器。该调制器具有一个
最小导通时间,以保持当前
的消耗
TOPSwitch的
独立的误差信号。记
该最小电流必须被驱动
进入税前控制引脚
周期开始变化。
栅极驱动器
栅极驱动器被设计成转动
上以控制的速率输出MOSFET
以减少共模EMI。该
栅极驱动电流,修剪
改进的精度。
误差放大器器
分路调节器还可以执行
在主误差放大器的功能
反馈应用。分流
调整器的电压得出
从补偿温度
带隙基准源。误差的增益
放大器通过控制引脚设置
动态阻抗。该控制
销外部电路信号钳位到
V
C
电压电平。控制引脚
电流超过电源电流的是
由并联稳压器分离和
通过R FL OWS
E
作为误差信号。
逐周期电流限制
通过周期峰值漏极电流的周期
限制电路以MOSFET
导通电阻作为电流采样电阻。一
电流限制比较器比较
MOSFET的导通状态下的漏 - 源
电压,V
DS (ON ) ,
与阈值电压。
高漏极电流导致V
DS ( ON)
to
超过阈值电压和匝数
输出MOSFET关断,直到开始
在下一个时钟周期。电流限制
比较器的阈值电压是
温度补偿,以减少
有效的峰值电流的变化
由于极限温度的变化有关
在输出MOSFET
DS ( ON)
.
前沿消隐电路抑制
该电流限流比较短
输出MOSFET之后的时间被接通
上。前沿消隐时间
设置这样造成的电流尖峰
初级侧电容和
次级整流管反向恢复
时间不会引起早产
终止开关脉冲。
4
D
7/96
TOP200-4/14
VIN
VIN
0
VOUT
0
IOUT
0
1
2
8
1
2
8
1
VC (复位)
45毫安
VC
0
1
2
8
1
2
8
1
IC
0
1
2
3
4
1
PI-1119-110194
图6.典型波形为( 1 )正常工作, ( 2 )自动重启, ( 3 )锁存关断,以及( 4 )掉电复位。
关断/自动重启动
为了最大限度地减少
TOPSwitch的
动力
损耗,关断/自动重启动
电路接通电源打开和关闭
在通常为5 % ,如果一个彻头彻尾的占空比
监管的情况仍然存在。损失
监管中断外部电流
到控制引脚。 V
C
从分流模式的变化
迟滞自动重启动模式说明
以上。当故障状况是否
移除时,电源输出
变为可调,V
C
调控的回报
以分流模式,正常运行
供电恢复。
锁存关断
输出过压保护锁存器
是由一个大电流脉冲激活成
控制引脚。设置时,锁存器
关闭
TOPSwitch的
输出。
激活由电复位电路
去除和恢复的输入功率,或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
过热保护
温度保护是由设置
高精度模拟电路,接通
输出MOSFET关断时的结
温度超过热
切断温度(通常为145 ℃)。
激活由电复位电路
删除和恢复输入功率或
瞬间拉控制引脚
低于上电复位门限复位
闩锁,并允许
TOPSwitch的
to
恢复正常供电运行。
V
C
调节进入迟滞模式时,
电源被闭锁。
高压偏置电流源
该电流源偏置
TOPSwitch的
从漏极引脚与收费
控制脚的外接电容
(C
T
)在启动期间或迟滞
操作。出现迟滞工作
在自动重启动和锁定
关机。电流源切换
打开和关闭的有效占空比
大约35%。这占空比
受控制的比例确定
脚充电(我
C
)和放电电流
(I
CD1
CD2
) 。这个电流源是
正常运行时期间关闭
输出MOSFET的开关。
D
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