TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
电气规格
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
V
GS
= 0V时,我
S
=10A
I
S
= 10A ,T
J
=25 C
o
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 19A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 16A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
民
30
--
--
1.15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
3.6
4.8
--
--
--
12
5.4
4.6
1700
350
140
25
20
25
15
最大
--
4.6
5.9
2.2
1
±100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
m
V
uA
nA
V
DS
= 15V ,我
D
= 19A,
V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 15V,
R
G
= 1
t
r
t
D(关闭)
t
f
nS
V
SD
t
fr
--
--
0.8
25
1.2
--
V
nS
的di / dt = 100A / us的
反向恢复电荷
Q
fr
--
17
--
nC
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300μS ,占空比
≤
2%.
2. Rθ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻之和,其中的情况下热
参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面。 Rθ
JC
由设计而Rθ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。 Rθ
JA
以下所示为在静止空气中在FR -4单个设备的操作
3.最大额定电流是通过封装的限制。
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TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
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