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TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
PDFN33
针脚定义:
1.源
8.排水
2.源
7.排水
3.源
6.排水
4.门
5.排水
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(m)
4.6 @ V
GS
=10V
5.9 @ V
GS
=4.5V
I
D
(A)
19
16
特点
先进的沟槽技术
低导通电阻
低栅极电荷典型@ 12NC (典型值)。
低的Crss典型@ 140pF (典型值)。
框图
订购信息
产品型号
TSM40N03PQ33 RGG
PDFN33
填料
5Kpcs / 13 “卷轴
注意:
“G”表示为无卤产品
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
=25°
C
连续漏电流
T
C
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
漏电流脉冲注1
雪崩电流, L = 0.5mH
雪崩能量, L = 0.5mH
T
C
=25°
C
最大功率耗散
T
C
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
存储温度范围
工作结温范围
*受最高结温
T
英镑
T
J
P
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
±20
40
40
25
20
100
38
72
52
33
3.8
2.4
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
注:表面安装在FR4板上吨
10sec
符号
R
JC
R
JA
极限
2.4
33
单位
o
o
C / W
C / W
1/4
版本: A12
TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
电气规格
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
V
GS
= 0V时,我
S
=10A
I
S
= 10A ,T
J
=25 C
o
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 19A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 16A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
30
--
--
1.15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
3.6
4.8
--
--
--
12
5.4
4.6
1700
350
140
25
20
25
15
最大
--
4.6
5.9
2.2
1
±100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
m
V
uA
nA
V
DS
= 15V ,我
D
= 19A,
V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 15V,
R
G
= 1
t
r
t
D(关闭)
t
f
nS
V
SD
t
fr
--
--
0.8
25
1.2
--
V
nS
的di / dt = 100A / us的
反向恢复电荷
Q
fr
--
17
--
nC
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
2. Rθ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻之和,其中的情况下热
参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面。 Rθ
JC
由设计而Rθ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。 Rθ
JA
以下所示为在静止空气中在FR -4单个设备的操作
3.最大额定电流是通过封装的限制。
2/4
版本: A12
TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
PDFN33机械制图
单位:毫米
3/4
版本: A12
TSM40N03PQ33
30V N沟道功率MOSFET
通告
这里所显示的产品规格如有变更,恕不另行通知。 TSC或任何代其,
对于任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证,明示或暗示,以
任何知识产权授予本文件。除TSC的条款和条件提供
销售此类产品, TSC不承担任何责任,并免除任何明示或暗示的担保,
有关销售和/或使用TSC产品,包括责任或与适合特定用途的担保,
适销性,或不侵犯任何专利,版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险,并同意完全
赔偿TSC对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
4/4
版本: A12
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM40N03PQ33
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TSM40N03PQ33
TSC/台湾半导体
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PDFN33
全新原装正品/质量有保证
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TSM40N03PQ33
TSC/台半
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23000
PDFN33
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TSM40N03PQ33
VB
25+23+
35500
DFN33
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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TSC
24+
30000
PDFN33
进口原装大量现货
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TSM40N03PQ33
TSC/台半
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21000
PDFN33
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
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TSM40N03PQ33
TSC/台湾半导体
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TSM40N03PQ33
TSC/台半
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TSM40N03PQ33
TSC/台湾半导体
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联系人:何小姐
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TSM40N03PQ33
VBSEMI/台湾微碧
21+
14460
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23600726
联系人:林先生
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TSM40N03PQ33
TSC/台湾半导体
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