TPS28225-Q1
TPS28226-Q1
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SLUSAR9A - 2011年12月 - 修订2012年5月
高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器
检查样品：
TPS28225 -Q1 ， TPS28226 -Q1
1
特点
通过汽车应用认证
AEC- Q100认证具有以下
结果：
- 设备温度等级2 ： -40 ° C至
105 ° C工作环境温度
范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C3B
驱动两个N沟道MOSFET采用14纳秒
自适应死区时间
广泛的栅极驱动电压： 4.5 V至8.8 V
最佳效率在7 V至8 V
广电网串输入电压： 3 V
高达27 V
宽输入PWM信号： 2.0 V至13.2 V
振幅
能够驱动器与MOSFET的
≥40-A
当前
每相
高工作频率： 14 ns的传播
延迟和10 ns上升/下降时间允许F
SW
- 2
兆赫
能够传播<30 - ns输入的PWM脉冲
低端驱动器接收器导通电阻（ 0.4
)
防止dv / dt的相关贯通
当前
三态PWM输入用于电源级停机
节省空间的使能（输入）和电源良好
（输出）在同一引脚信号
热关断
UVLO保护
内置自举二极管
经济型SOIC -8和耐热增强型
3毫米x 3毫米DFN -8封装
高性能置换热门3-
国家输入驱动器
应用
多相直流 - 直流与模拟转换器
或数字控制
台式机和服务器的VRM和EVRDs
便携式/笔记本电脑稳压器
同步整流用于隔离型电源
耗材
描述
该TPS28225 - Q1与TPS28226 -Q1是高
速驱动N沟道免费从动
功率MOSFET利用自适应死区时间控制。
这些驱动程序用于各种高优化
当前和多相直流 - 直流转换器。该
TPS28225 -Q1是一种解决方案，提供高
高效率，小体积低EMI辐射。
性能受到高达8.8 -V的栅极来实现
驱动电压， 14 ns的自适应死区时间控制， 14纳秒
传播延迟和高电流2 -A源
4 -A水槽驱动能力。为0.4 Ω的阻抗
低栅极驱动器拥有权力的大门
MOSFET低于其阈值，并确保没有拍摄开启
通过电流在高dV / dt相节点的转换。
自举电容器通过一个内部二极管充电
允许使用的N沟道MOSFET半桥
配置。
该TPS28225 -Q1具有3态PWM输入
所有的多相控制器兼容用人
三态输出功能。只要输入电压范围保持
内部三态窗口250 ns的保持关闭时间，该
开关驱动两个输出低电平。这种关机
模式可以防止负载从的反相输出 -
电压。
其他功能包括欠压锁定，
热关断和双向启用/电源良好
信号。系统无三态功能的控制器
可以使用启用/功率良好的输入/输出同时容纳
输出关闭时低。
该TPS28225 - Q1被以经济的提供SOIC-
8和耐热增强型低尺寸双列扁平无引线
（ DFN - 8 ）封装。该驱动程序在指定的
-40 ° C至105 ℃，扩展级温度范围
绝对最高结温150 ℃。
该TPS28226 -Q1工作在相同的方式
该TPS28225 -Q1比欠电压输入等
锁定。
除非另有说明，所有的引用
该TPS28225 -Q1适用于TPS28226 -Q1也。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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功能框图
VDD
6
UVLO
2
BOOT
1
UGATE
EN / PG
7
热
SD
HLD -OFF
时间
8
相
27K
拍摄开启
通过
保护VDD
PWM
3
13K
3-STATE
输入
电路
5
LGATE
4
GND
典型应用
图1.单相POL稳压器
V
DD
（ 4.5 V至8 V ）
6
VDD
BOOT 2
TPS28225
UGATE 1
TPS40200
3相PWM 8
VCC 3
OUT 3
7 ENBL
FB 3
GND
3
LGATE 5
GND 4
V
OUT
V
IN
（ 3 V至32 V - V
DD
)
2
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典型应用（续）
用于同步整流图2.驱动器与互补MOSFET的驱动
12 V
35 V至75V
V
OUT
= 3.3 V
小学高边
V
DD
高压驱动器
HB
PWM
调节器
LI
0：N TR OL
HI
DRIVE
HI
HO
HS
LO
TPS28255
BOOT 2
线性
注册。
DRIVE
LO
V
SS
隔离
和
反馈
6 VDD
V
DD
（ 4.5 V至8 V ）
UGATE 1
7 EN / PG相8
3 PWM
LGATE 5
GND 4
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3
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典型应用（续）
图3.多相位同步降压转换器
V
DD
（ 4.5 V至8 V ）
6 VDD
BOOT
2
V
IN
（ 3 V至32 V - V
DD
)
TPS28225
UGATE
3 PWM
相
1
8
7 EN / PG
LGATE
2 PWM1
要DRIVER
GND
5
4
CS 1
到控制器
TPS4009x
或任何其它模拟
或数字控制器
PWM2 1
VIN 8
要DRIVER
PWM3 8
6 VDD
PWM 4 5
GND
4
3 PWM
相
8
V
OUT
BOOT
2
到控制器
1
CS 4
CSCN
TPS28225
UGATE
GNDS
7
VOUT
3
7 EN / PG
启用
LGATE
GND
5
4
订购信息
T
A
SOIC （ D）
-40 ° C至105℃
DFN （ DRB ）
(1)
(2)
3000卷
包
2500卷
(1) (2)
订购零件
数
TPS28225TDRQ1
TPS28226TDRQ1
TPS28225TDRBRQ1
TPS28226TDRBRQ1
顶部端标记
预览
预览
PxnD
预览
的SOIC-8 （D）中和DFN -8（ DRB）包使用在无铅引线钯镍金精这与MSL水平的1兼容在255 ℃至
260℃峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
在DFN封装，所述装置的中心下方的垫是热衬底。 PCB的“热地”设计，这
暴露管芯焊盘应包括降下来，并连接到一个或一个以上埋入铜平面（多个）热通孔。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋的飞机为热扩散使DFN封装，以充分发挥其热势。这应该垫
无论是接地的最佳抗噪能力，并且它不应该连接到其他节点。
4
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
输入电源电压范围，V
DD
启动电压，V
BOOT
相电压，V
相
DC
脉冲< 400纳秒， E = 20
μJ
(3)
(1) (2)
价值
-0.3 8.8
-0.3 33
-2至32或V
BOOT
+ 0.3 – V
DD
以较低者为准
-7至33.1或V
BOOT
+ 0.3 – V
DD
以较低者为准
-0.3至13.2
V
相
- 0.3 V
BOOT
+ 0.3, (V
BOOT
– V
相
< 8.8 ）
脉冲<为100 ns ， E = 2
μJ
脉冲<为100 ns ， E = 2
μJ
（ HBM ） AEC -Q100分类级别H2
（ CDM ） AEC -Q100等级分类C3B
V
相
- 2至V
BOOT
+ 0.3, (V
BOOT
– V
相
< 8.8 ）
-0.3到V
DD
+ 0.3
-2到V
DD
+ 0.3
2
750
-40至150
-40至105
-65到150
300
单位
V
V
V
V
V
V
kV
V
°C
°C
°C
°C
输入电压范围，V
PWM
, V
EN / PG
输出电压范围，
V
UGATE
输出电压范围，
V
LGATE
ESD额定值
工作结温范围，T
J
工作环境温度范围内，T
A
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
(3)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。请教
数据书热限制和包的考虑包装节。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS28225TDRBRQ1
DRB （ 8芯）
50.2
57.5
25.9
1.5
26.0
9.5
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
V
IN
T
J
输入电源电压（ TPS28225 -Q1 ）
输入电源电压（ TPS28226 -Q1 ）
电源输入电压的TPS28225 -Q1
工作结温范围
4.5
6.8
3
–40
典型值
7.2
7.2
最大
8
8
32 V
= VDD
125
°C
V
单位
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