【TSM344120V P沟道MOSFET产品概述VDS(V)RDS （ ON）(mΩ)-2090 @】,IC型号TSM3441CX6,TSM3441CX6 PDF资料,TSM3441CX6经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSM3441

20V P沟道MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(mΩ)

-20

90 @ V

= -4.5V

110 @ V

= -2.5V

SOT-26

针脚定义：

1.排放6.漏

2.排水5 ，沥干

3.门4.源

(A)

-3.3

-2.9

特点

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

框图

应用

●

负荷开关

PA的开关

订购信息

产品型号

TSM3441CX6 RF

包

SOT-26

填料

3Kpcs / 7 “卷轴

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@4.5V.

漏电流脉冲，V

@4.5V

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

符号

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 70℃

极限

-20

±8

-3.3

-10

-0.72

1.25

0.8

+150

- 55 + 150

单位

热性能

参数

结到外壳热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

5秒。

符号

极限

单位

C / W

1/6

版本： A07

TSM3441

20V P沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

条件

= 0V时，我

= -250uA

= V

, I

= -250A

= ±8V, V

= 0V

= -16V, V

= 0V

≥-10V,

= -5V

= -4.5V ，我

= -3.3A

= -2.5V ，我

= -2.9A

= -5V ，我

= -4A

= -1.6A ，V

= 0V

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

-20

-0.45

-6

典型值

6.5

-0.8

15.23

5.49

2.74

882.51

145.54

97.26

17.28

3.73

36.05

6.19

最大

-0.95

±100

-1.0

110

-1.2

单位

mΩ

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

= -6V ，我

= -2.8A,

= -4.5V

= -6V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

= -6V ，R

= 6Ω,

= -1A ，V

根

= -4.5V,

= 6Ω

关断下降时间

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/6

版本： A07

TSM3441

20V P沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/6

版本： A07

TSM3441

20V P沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

单脉冲功率

归瞬态热阻抗，结到环境

4/6

版本： A07

TSM3441

20V P沟道MOSFET

SOT- 26机械制图

暗淡

SOT- 26 DIMENSION

MILLIMETERS

英寸

民

典型值

最大

典型值

0.95 BSC

1.9 BSC

2.60

1.40

2.80

1.00

0.00

0.35

0.10

0.30

2.80

1.50

2.90

1.10

0.40

0.15

3.00

1.70

3.10

1.20

0.10

0.50

0.20

0.60

0.0374 BSC

最大

BSC 0.0748

0.1024 0.1102 0.1181

0.0551

0.1101

0.0394

0.00

0.0138

0.0039

0.0118

0.0157

0.0059

0.0591

0.1142

0.0433

0.0669

0.1220

0.0472

0.0039

0.0197

0.0079

0.0236

标记图

=器件代码

=年份代码

=月守则

（ A =一月，

B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，

I =月， J =月， K =月， L =月）

- 批次编号

5/6

版本： A07

TSM3441

-20V P沟道增强型MOSFET

SOT-26

引脚分配：

1.漏

6.排水

2.漏

5 ，排水

3.门

4.源

= -20V

DS （ ON）

， V GS @ -4.5V ， IDS @ -3A = 100mΩ的

DS （ ON）

， V GS @ -2.5V ， IDS @ -2.0A = 150mΩ

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

充分界定雪崩电压和电流

改进直通FOM

框图

P沟道MOSFET

订购信息

产品型号

TSM3441CX6

填料

磁带&卷轴

3000 /每卷

包

SOT-26

绝对最大额定值

（ TA = 25

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流，

脉冲漏极电流，

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

TA = 25℃

TA = 70℃

符号

, T

英镑

极限

-20V

±8

-3

-10

1.3

+150

- 55 + 150

单位

热性能

参数

结到脚（漏）热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注：表面安装在FR4电路板t< = 10秒。

符号

θJF

θJA

极限

单位

C / W

TSM3441

1-3

2005/11转。 B

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

漏源导通电阻

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

通态漏电流

正向跨导

条件

符号

民

典型值

最大

单位

= 0V时，我

= - 250uA

= - 4.5V ，我

= -3A

= - 2.5V ，我

= -2.0A

= V

, I

= - 250uA

= - 16V, V

= 0V

= ± 8V, V

= 0V

≧-

10V, V

= -5V

= - 5V ，我

= - 3A

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

- 20

- 0.45

-6

112

6.5

5.4

0.8

1.1

447

127

-0.8

100

150

-1.0

±100

110

-1.6

-1.2

mΩ

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

= -1.6A ，V

= 0V

= - 6V ，我

= - 3A,

= - 4.5V

= - 6V ，R

= 6Ω,

= - 1A ，V

根

= - 4.5V,

= 6Ω

= - 6V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％

TSM3441

2-3

2005/11转。 B

SOT- 26机械制图

SOT- 26 DIMENSION

暗淡

MILLIMETERS

民

2.70

0.25

最大

3.00

0.50

英寸

民

0.106

0.010

最大

0.118

0.020

1.90(typ)

0.95(typ)

1.50

1.05

2.60

1.70

1.35

3.00

0.075(typ)

0.037(typ)

0.059

0.041

0.102

0.067

0.053

0.118

0.60(typ)

0.024(typ)

TSM3441

3-3

2005/11转。 B