【TSM2N7002K60V N沟道MOSFETSOT-23SOT-323针脚定义：1.门2.源3.排】,IC型号TSM2N7002KCXRF,TSM2N7002KCXRF PDF资料,TSM2N7002KCXRF经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSM2N7002K

60V N沟道MOSFET

SOT-23

SOT-323

针脚定义：

1.门

2.源

3.排水

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

2 @ V

= 10V

4 @ V

= 4.5V

（MA ）

300

200

特点

●

低导通电阻

ESD保护2KV

高速开关

低电压驱动

框图

订购信息

产品型号

TSM2N7002KCX RF

TSM2N7002KCU RF

包

SOT-23

SOT-323

填料

3Kpcs / 7 “卷轴

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

连续@ T

=25C

脉冲

连续@ T

=25C

脉冲

符号

DMR

, T

英镑

极限

±20

300

800

300

800

300

+150

-55到+150

单位

反向漏电流

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

热性能

参数

（从案例1/8“ ）焊接温度

结到环境热阻（PCB安装）

符号

极限

350

单位

C / W

注意事项：

一。脉冲宽度

≤300us,

占空比

≤2%

B 。当设备被安装在一个玻璃环氧树脂板面积测量1× 0.75× 0.62英寸。

。封装的功耗，可能会导致在连续的漏极电流。

1/7

版本： B09

TSM2N7002K

60V N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

C，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

条件

= 0V时，我

=250A

, I

=250A

=±20V, V

=0V

=60V, V

=0V

= 10V ，我

=300mA

= 4.5V ，我

=100mA

= 10V ，我

=200mA

= 300毫安，V

=0V

= 10V ，我

= 250毫安，

=4.5V

= 25V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

民

1.0

100

典型值

1.5

1.2

0.8

最大

2.5

±10

1.0

1.4

单位

总栅极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

0.4

2.5

0.6

导通延迟时间

= 30V ，R

=10Ω

=的200mA， V

根

=10V,

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/7

版本： B09

TSM2N7002K

60V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/7

版本： B09

TSM2N7002K

60V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

单脉冲功率

归瞬态热阻抗，结到环境

4/7

版本： B09

TSM2N7002K

60V N沟道MOSFET

SOT- 23机械制图

暗淡

SOT- 23外形尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

马克斯。

1.00 BSC

0.039 BSC

0.10

0.004

0.37

0.42

0.014

0.016

0.15

0.09

0.005

0.004

2.80

3.00

0.110

0.118

1.20

1.40

0.047

0.055

1.9 BSC

0.075 BSC

0.95 BSC

0.037 BSC

2.35

2.45

0.093

0.096

0.15

0.45

0.005

0.018

0.45

0.55

0.018

0.022

0.2 BSC

0.007 BSC

0.1 BSC

0.004 BSC

5/7

版本： B09