TIP29 , 30
高功率双极晶体管
产品特点:
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO ( SUS )
= 60V (最小值) - TIP29A , TIP30A
= 100V (最小) - TIP29C , TIP30C 。
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 0.7V (最大值) ,在我
C
= 1.0A.
电流增益带宽乘积F
T
= 3.0MHz (最低)在我
C
= 200mA的电流
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器(箱) 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP29A
TIP29C
PNP
TIP30A
TIP30C
1.0安培
其他芯片
功率晶体管
40 - 100伏
30瓦
TO-220
外形尺寸:毫米为
第1页
31/05/05 V1.0
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP29/29A/29B/29C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP30 / 30A / 30B / 30C
应用
·对于一般用途的功率放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
参数
TIP29
TIP29A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP29B
TIP29C
TIP29
TIP29A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP29B
TIP29C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
80
100
5
1
3
0.4
30
-65~150
-65~150
V
A
A
A
w
发射极开路
80
100
40
60
V
条件
价值
40
60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP29/29A/29B/29C
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
TIP29,A,B,C(NPN)
TIP30,A,B,C(PNP)
1.0安培
补充
广颖电
晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
标记:型号数量
R
TH (JC)
是4.167
O
C / W ,R
日( JA )
为62.5
O
C / W
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
等级
40
60
80
100
5.0
1.0
3.0
0.4
30
0.24
-55到+150
-55到+150
最大
单位
V
V
A
A
W
W/
O
C
O
C
O
C
单位
K
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
TO-220
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
3
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
PEAK
(1)
基极电流连续
总功率耗散@T
C
=25
O
C
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
(注
2)
(I
C
= 30mAdc ,我
B
=0)
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=40V, V
EB
=0)
TIP29 , TIP30
(V
CE
=60V, V
EB
=0)
TIP29A , TIP30A
(V
CE
=80V, V
EB
=0)
TIP29B , TIP30B
(V
CE
=100V, V
EB
=0)
TIP29C , TIP30C
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流,我
B
=0)
TIP29 , TIP29A , TIP30 , TIP30A
(V
CE
= 60Vdc的,我
B
=0)
TIP29B , TIP29C , TIP30B , TIP30C
民
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO ( SUS )
40
60
80
100
---
---
---
---
---
1.0
VDC
L
V
D
G
N
J
R
I
EBO
I
CES
MADC
---
---
---
---
---
---
200
200
200
200
0.3
0.3
uAdc
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
MADC
基本特征
(2)
直流电流增益
(I
C
= 0.2Adc ,V
CE
=4.0Vdc)
40
---
----
(I
C
= 1.0Adc ,V
CE
=4.0Vdc)
15
75
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0Adc ,我
B
=125mAdc)
---
0.7
VDC
V
BE(上)
基射极电压上
VDC
(I
C
=1.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
1.3
f
T
电流增益带宽积
(注
3)
3.0
---
MH
Z
(I
C
= 200mAdc ,V
CE
=10Vdc,
f=1.0MH
Z
)
h
fe
小信号电流增益
20
---
---
(I
C
= 0.2Adc ,V
CE
= 10V直流, F = 1.0KHz )
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
2.
脉冲测试:脉冲宽度= 300US ,占空比<2.0 %
3.
f
T
=| h
fe
| X F
TEST
h
FE(1)
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
修改:
3
www.mccsemi.com
1第3
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
(品名) -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改:
3
3 3
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
TIP29,A,B,C(NPN)
TIP30,A,B,C(PNP)
1.0安培
补充
广颖电
晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
标记:型号数量
R
TH (JC)
是4.167
O
C / W ,R
日( JA )
为62.5
O
C / W
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
等级
40
60
80
100
5.0
1.0
3.0
0.4
30
0.24
-55到+150
-55到+150
最大
单位
V
V
A
A
W
W/
O
C
O
C
O
C
单位
K
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
TO-220
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
3
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
PEAK
(1)
基极电流连续
总功率耗散@T
C
=25
O
C
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
(注
2)
(I
C
= 30mAdc ,我
B
=0)
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=40V, V
EB
=0)
TIP29 , TIP30
(V
CE
=60V, V
EB
=0)
TIP29A , TIP30A
(V
CE
=80V, V
EB
=0)
TIP29B , TIP30B
(V
CE
=100V, V
EB
=0)
TIP29C , TIP30C
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流,我
B
=0)
TIP29 , TIP29A , TIP30 , TIP30A
(V
CE
= 60Vdc的,我
B
=0)
TIP29B , TIP29C , TIP30B , TIP30C
民
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO ( SUS )
40
60
80
100
---
---
---
---
---
1.0
VDC
L
V
D
G
N
J
R
I
EBO
I
CES
MADC
---
---
---
---
---
---
200
200
200
200
0.3
0.3
uAdc
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
MADC
基本特征
(2)
直流电流增益
(I
C
= 0.2Adc ,V
CE
=4.0Vdc)
40
---
----
(I
C
= 1.0Adc ,V
CE
=4.0Vdc)
15
75
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0Adc ,我
B
=125mAdc)
---
0.7
VDC
V
BE(上)
基射极电压上
VDC
(I
C
=1.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
1.3
f
T
电流增益带宽积
(注
3)
3.0
---
MH
Z
(I
C
= 200mAdc ,V
CE
=10Vdc,
f=1.0MH
Z
)
h
fe
小信号电流增益
20
---
---
(I
C
= 0.2Adc ,V
CE
= 10V直流, F = 1.0KHz )
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
2.
脉冲测试:脉冲宽度= 300US ,占空比<2.0 %
3.
f
T
=| h
fe
| X F
TEST
h
FE(1)
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
修订版:A
www.mccsemi.com
1第3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版:A
3 3
2011/01/01
TIP29 , A,B ,C ( NPN ) , TIP30 , A,B ,C ( PNP )
集热器
集热器
BASE
BASE
≈
8.0 k
≈
120
≈
8.0 k
≈
120
辐射源
辐射源
图1.达林顿电路原理图
订购信息
设备
TIP29
TIP29G
TIP29A
TIP29AG
TIP29B
TIP29BG
TIP29C
TIP29CG
TIP30
TIP30G
TIP30A
TIP30AG
TIP30B
TIP30BG
TIP30C
TIP30CG
包
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
TO220
TO220
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
TIP29 , A,B ,C ( NPN ) , TIP30 , A,B ,C ( PNP )
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 0) (注2)
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
V
CEO ( SUS )
VDC
40
60
80
100
MADC
0.3
0.3
MADC
200
200
200
200
1.0
75
0.7
1.3
MADC
VDC
VDC
兆赫
符号
民
最大
单位
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电,我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ,V
EB
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB
= 0)
(V
CE
= 80伏,V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏,V
EB
= 0)
发射极截止电流(V
BE
= 5.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注2 )
直流电流增益(I
C
= 0.2 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
TIP29 , TIP29A , TIP30 , TIP30A
TIP29B , TIP29C , TIP30B , TIP30C
TIP29 , TIP30
TIP29A , TIP30A
TIP29B , TIP30B
TIP29C , TIP30C
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
h
fe
40
15
3.0
20
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 1.0 ADC ,我
B
= 125 MADC )
基射极电压上(我
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
动态特性
电流增益
带宽积(注3 )
(I
C
= 200 MADC ,V
CE
= 10 VDC ,女
TEST
= 1.0兆赫)
小信号电流增益(I
C
= 0.2 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%
3. f
T
=
h
fe
f
TEST
http://onsemi.com
3
TIP29 , A,B ,C ( NPN ) , TIP30 , A,B ,C ( PNP )
500
300
的hFE , DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
T, TIME (
μ
s)
100
70
50
30
V
CE
= 2.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.5 0.7 1.0
0.05 0.07 0.1
0.3
I
C
,集电极电流( AMP )
3.0
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
t
f
@ V
CC
= 30 V
3.0
2.0
t
s
′
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
- 1/8 t
f
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 10 V
10
7.0
5.0
0.03
I
C
,集电极电流( AMP )
图2.直流电流增益
图3.关断时间
开通脉冲
约
+11 V
V
in
0
V
EB (O FF )
t
1
t
3
V
CC
R
C
V
in
R
B
T, TIME (
μ
s)
C
jd
<<
eb
t
1
≤
7.0纳秒
100 <吨
2
& LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
- 4.0 V
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 10 V
约
+11 V
V
in
t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
EB (O FF )
= 2.0 V
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
R
B
和R
C
改变以OBTAIN
所需的电流水平。
关断脉冲
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
,集电极电流( AMP )
3.0
图4.开关时间等效电路
图5.开启时间
10
IC ,集电极电流( AMPS )
T
J
= 150°C
3.0
dc
0.1
二次击穿有限公司
限热@ T
C
= 25°C
键合丝有限公司
TIP29 , 30
曲线适用BELOW
TIP29A , 30A
为V
首席执行官
TIP29B , 30B
TIP29C , 30C
0.1
1.0
4.0
20
40
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
5毫秒
1毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 %
J(下PK)
v
150℃。在高温情况下,热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
100
图6.活动区安全工作区
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4
TIP29 , A,B ,C ( NPN ) , TIP30 , A,B ,C ( PNP )
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
发行公司
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.036
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.161
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.91
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
4.10
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
C
S
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
安森美半导体
和
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
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文学履行:
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P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
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传真:
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N.美国技术支持:
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美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
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日本以客户为中心中心
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销售代表
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5
TIP29B/D
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
2008年7月
TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C
NPN外延硅晶体管
特点
为了配合TIP30 / TIP30A / TIP30B / TIP30C
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
: TIP29
: TIP29A
: TIP29B
: TIP29C
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
1
3
0.4
30
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压: TIP29
: TIP29A
: TIP29B
: TIP29C
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
C
=25°C)
集电极耗散(T
a
=25°C)
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
结温
储存温度
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
1
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
*集电极发射极耐受电压
: TIP29
: TIP29A
: TIP29B
: TIP29C
集电极截止电流
: TIP29 / 29A
: TIP29B / 29C
集电极截止电流
: TIP29
: TIP29A
: TIP29B
: TIP29C
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
*直流电流增益
V
CE
= 40V, V
EB
= 0
V
CE
= 60V, V
EB
= 0
V
CE
= 80V, V
EB
= 0
V
CE
= 100V, V
EB
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 0.2A
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
I
C
= 1A ,我
B
= 125毫安
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
V
CE
= 10V ,我
C
= 200毫安
3.0
40
15
200
200
200
200
1.0
μA
μA
μA
μA
mA
测试条件
分钟。
马克斯。
单位
I
C
= 30mA时我
B
= 0
40
60
80
100
V
V
V
V
I
首席执行官
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 60V ,我
B
= 0
0.3
0.3
mA
mA
I
CES
75
0.7
1.3
V
V
兆赫
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
*脉冲测试: PW≤300ms ,职务Cycle≤2 %
2008飞兆半导体公司
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2
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
典型特征
V
BE
(SAT) ,V
CE
(SAT) [毫伏] ,饱和电压
1000
10000
V
CE
= 4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
100
1000
V
BE
(SAT)
10
100
V
CE
(SAT)
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[马] ,集电极电流
I
C
[马] ,集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
40
35
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
(MAX) (PULSE )
P
C
[W] ,功率耗散
30
25
20
15
10
5
0
s
1m
I
C
(MAX) (DC)的
1
s
5m
DC
TIP29 V
首席执行官
马克斯。
TIP29A V
首席执行官
马克斯。
TIP29B V
首席执行官
马克斯。
TIP29C V
首席执行官
马克斯。
0.1
10
100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
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TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
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3
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
机械尺寸
TO220
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
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4
TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C NPN外延硅晶体管
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
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TIP29 , 30
高功率双极晶体管
产品特点:
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO ( SUS )
= 60V (最小值) - TIP29A , TIP30A
= 100V (最小) - TIP29C , TIP30C 。
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 0.7V (最大值) ,在我
C
= 1.0A.
电流增益带宽乘积F
T
= 3.0MHz (最低)在我
C
= 200mA的电流
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器(箱) 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP29A
TIP29C
PNP
TIP30A
TIP30C
1.0安培
其他芯片
功率晶体管
40 - 100伏
30瓦
TO-220
外形尺寸:毫米为
第1页
31/05/05 V1.0