TSM2321
-20V P沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= - 20V
R
DS （ ON）
， V GS @ -4.5V ， IDS @ -3.2A = 65mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ -2.5V ， IDS @ -2.0A = 90mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑，薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
TSM2321CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
-20V
±10
-3.2
-11
1.25
0.8
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
TSM2321
1-5
2005/06年度转。一
电气特性
TA = 25
o
C，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.2A
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
g
fs
-20
--
--
-0.6
--
--
-8
--
--
50
75
-0.9
--
--
--
8
--
65
90
-1.5
-1.0
±100
--
--
V
m
V
uA
nA
A
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= - 1.6A ，V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
-0.78
-1.6
-1.2
A
V
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.2A,
V
GS
= -4.5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
7.4
1.2
2.8
13.9
7.1
75.2
54
610
155
105
--
--
--
pF
nS
--
--
--
nC
V
DD
= -10V ，R
L
= 10,
I
D
= -1A ，V
根
= -4.5V,
R
G
= 6
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
TSM2321
2-5
2005/06年度转。一
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