TC7WBL125FK
暂定
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC7WBL125FK
双路低电压总线开关
该TC7WBL125FK是一个低导通电阻,高速CMOS
2位总线开关与低电压操作。该总线开关
允许连接或断开,以将具有最小制成
传播延迟,同时保持低功耗
这是CMOS的特征。
当输出使能(OE )为低电平时,开关导通;当
处于高电平时,开关处于关闭状态。
P型MOS和N - MOS沟道块也允许该设备是
适合于模拟信号的传输。
所有的输入都配有保护电路,保护
设备的静电放电。
特点
工作电压: V
CC
= 2~3.6 V
高速运行:吨
pd
= 0.25纳秒(最大值) @ 3 V
导通电阻极低,R
ON
= 5
(典型值) @ 3 V
静电放电( ESD )性能: ± 200 V以上( JEITA )
± 2000伏以上( MIL )
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
对于输入掉电保护功能以及I / O端子。
包装: US8
重量0.01克(典型值)。
引脚分配
( TOP VIEW )
V
CC
OE2
8
7
B1
6
A2
5
WBL
125
1
2
OE1 A1
3
4
B2 GND
1
2001-10-16
TC7WBL125FK
电气特性
DC特性
(大
=
40~85°C)
特征
为“H”电平
“ L”电平
输入漏电流
关机漏电流
断态泄漏电流
(开关OFF)
I
SZ
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
V
IN
=
0~5.5 V
的a,b ,
OE
=
0~5.5 V
A,B
=
0~5.5 V,
OE
=
V
CC
V
IS
=
0 V,I
IS
=
30毫安
V
IS
=
3.0 V,I
IS
=
30毫安
抗性
(注3)
R
ON
V
IS
=
2.4 V,I
IS
=
15毫安
V
IS
=
0 V,I
IS
=
24毫安
V
IS
=
2.3 V,I
IS
=
24毫安
V
IS
=
1.7 V,I
IS
=
15毫安
静态电源电流
I
CC
V
IN
=
V
CC
或GND ,我
OUT
=
0
(注1 )
(注1 )
(注1 )
(注2 )
(注2 )
(注2 )
测试条件
V
CC
(V)
2.0~3.6
2.0~3.6
2.0~3.6
0
2.0~3.6
3.0
3.0
3.0
2.3
2.3
2.3
3.6
民
0.7
×
V
CC
典型值。
2
3
5
3
4
9
最大
0.3
×
V
CC
±1.0
±1.0
±1.0
7
7
15
10
15
25
10
A
V
单位
控制引脚输入
电压
A
A
A
注1:典型值是在V
CC
=
3.3 V ,TA
=
25°C.
注2:典型值是在V
CC
=
2.5 V ,TA
=
25°C.
注3 :按照与A和B引脚上所指示的电流通过开关的电压降。上
电阻值由电压的下两个( A或B)的引脚确定。
AC特性
(大
=
40~85°C)
特征
传播延迟时间
(公交巴士)
输出使能时间
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
图1 ,图3中
2.3
3.0
图1 ,图3中
2.3
3.0
测试条件
图1 ,图2中
(注4 )
V
CC
(V)
3.0
民
最大
0.25
待定
ns
待定
待定
ns
待定
单位
ns
注4 :该参数由设计保证,但未经测试。该总线开关不利于传播延迟
比典型的交换机上的电阻RC延迟和50 pF负载电容,当其他
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
电容特性
(大
=
25°C)
特征
控制引脚输入电容
开关端子电容
符号
C
IN
C
I / O
OE
=
V
CC
测试条件
(注5 )
(注5 )
V
CC
(V)
3.0
3.0
典型值。
3
10
单位
pF
pF
注5 :本项目为设计保证。
3
2001-10-16