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TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS ， 870纳米，
的GaAlAs双异质
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位：mm） ：
5
峰值波长：
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 10°
94
8389
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
高调制带宽：F
c
= 24 MHz的
与硅光电探测器良好的光谱匹配
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
TSFF6210是红外线， 870 nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和
高速，成型于清，未着色的塑料封装。
应用
摄像机之间的红外视频数据传输和
电视机
具有高调制自由空气数据传输系统
频率或高数据传输率的要求
无烟火灾自动探测器
产品概述
部件
TSFF6210
I
e
（毫瓦/ SR）
180
（度）
± 10
λ
P
（纳米）
870
t
r
（纳秒）
15
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSFF6210
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
1
180
单位
V
mA
mA
A
mW
文档编号： 81352
1.0版， 05月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
143
TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，
焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
90
125
180
1800
50
- 0.35
± 10
870
40
0.25
15
15
24
3.7
450
分钟。
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
马克斯。
1.8
3.0
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
www.vishay.com
144
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81352
1.0版， 05月， 08
TSFF6210
高速红外发光二极管，符合RoHS
威世半导体
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
0.02
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
100
1000
t
P
/T = 0.01
T
AMB
< 50℃
1.25
1.0
I
F
- 正向电流（mA ）
0.05
0.1
0.75
0.5
0.2
0.5
0.25
0
780
100
0.01
16031
0.1
1.0
10
880
λ
-
波长
（纳米）
980
t
P
- 脉冲持续时间（毫秒）
95 9886
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
0°
10°
20°
30°
- 角位移
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
15989
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度对比角位移
1
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
0
Φ
e,
I
e
- 衰减量（dB ）
100
-1
-2
-3
-4
-5
10
1
I
FDC
= 70毫安
I
FAC
= 30毫安页
10
1
0.1
1
16032
10
100
1000
10
2
10
3
10
4
10
5
I
F
- 正向电流（mA ）
14256
的F - 频率（KHz ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 衰减与频率的关系
文档编号： 81352
1.0版， 05月， 08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
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TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
包装尺寸
以毫米为单位
20161
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如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81352
1.0版， 05月， 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双异质
特点
套餐类型：含铅
包装形式： T- 1.75
尺寸（单位为毫米）：
5
峰值波长：
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 10°
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
高调制带宽：F
c
= 24 MHz的
与硅光电探测器良好的光谱匹配
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
94
8389
描述
TSFF6210是红外线， 870 nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和
高速，成型于清，未着色的塑料封装。
in
应用
摄像机之间的红外视频数据传输和
电视机
具有高调制自由空气数据传输系统
频率或高数据传输率的要求
无烟火灾自动探测器
产品概述
部件
TSFF6210
I
e
（毫瓦/ SR）
180
（度）
± 10
λ
P
（纳米）
870
t
r
（纳秒）
15
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSFF6210
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
T-1
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
文档编号： 81352
修订版1.1 ， 29军， 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
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1
t
≤
5秒2毫米的情况下
J- STD- 051 ，导致7毫米，
焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
180
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管，
870纳米， GaAlAs的双异质
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
90
125
180
1800
50
- 0.35
± 10
870
40
0.25
15
15
24
3.7
450
分钟。
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
马克斯。
1.8
3.0
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
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2
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文档编号： 81352
修订版1.1 ， 29军， 09
TSFF6210
高速红外发光二极管，
威世半导体
870纳米， GaAlAs的双异质
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
t
P
/T = 0.01
0.02
T
AMB
< 50℃
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
I
F
- 正向电流（mA ）
1.0
0.05
0.1
0.75
0.5
0.2
0.5
100
0.01
0.25
0
780
0.1
1
10
100
880
λ
-
波长
（纳米）
980
16031
t
P
- 脉冲持续时间（毫秒）
95 9886
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
0°
10°
20°
30°
- 角位移
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
15989
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度对比角位移
1
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
0
Φ
e
, I
e
- 衰减量（dB ）
100
-1
-2
-3
-4
-5
10
1
I
FDC
= 70毫安
I
FAC
= 30毫安页
10
1
0.1
1
16032
10
100
1000
10
2
10
3
10
4
10
5
I
F
- 正向电流（mA ）
14256
的F - 频率（KHz ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 衰减与频率的关系
文档编号： 81352
修订版1.1 ， 29军， 09
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TSFF6210
威世半导体
高速红外发光二极管，
870纳米， GaAlAs的双异质
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
7.7 ± 0.15
5.8 ± 0.15
R2.49 （球）
8.7
± 0.3
(4.9)
< 0.7
地区没有飞机
35.7 ± 0.55
+ 0.2
0.6 - 0.1
1分钟。
5 ± 0.15
+ 0.15
0.5 - 0.05
+ 0.15
0.5 - 0.05
2.54喃。
6.544-5259.09-4
问题： 4 ; 09年5月19日
20161
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
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修订版1.1 ， 29军， 09
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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