DGN-8
DGK-8
D-8
DRB-8
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THS4211
THS4215
SLOS400D - 2002年9月 - 修订2004年11月
低失真，高速，电压反馈型放大器
特点
单位增益稳定
宽带： 1 GHz的
高压摆率： 970 V / μs的
低失真
- -90 dBc的THD为30兆赫
- 130 MHz的带宽（0.1分贝， G = 2 ）
- 0.007 ％微分增益
- 0.003 °差分相位
高输出驱动，我
O
= 200毫安
出色的视频性能
- 130 MHz的带宽（0.1分贝， G = 2 ）
- 0.007 ％微分增益
- 0.003 °差分相位
电源电压
– +5 V,
±5
V, +12 V, +15 V
关机功能（ THS4215 ）
评估模块可用
描述
该THS4211和THS4215是高压摆率，统一
获得设计，稳定的电压反馈型放大器
从电源电压低至5 V ，最高运行
15五， THS4215提供了相同的性能
如用加入了掉电THS4211
能力。高转换率的组合，广
带宽，低失真和单位增益稳定
使THS4211和THS4215高性能
在多个AC规范的设备。
采用THS4211设计人员奖励
更高的动态范围更宽的频带
没有失代偿的稳定性问题
放大器。该器件采用SOIC ， MSOP
与使用PowerPad ，并与无引线MSOP
使用PowerPad封装。
THS4211
NC
IN-
IN +
V
S-
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
S
+
V
OUT
NC
应用
高线性度的ADC前置放大器
差分至单端转换
DAC输出缓冲器
有源滤波
视频应用
低失真，宽带应用电路
50
来源
50
+
V
I
49.9
THS4211
_
V
O
谐波失真 - dBc的
相关器件
设备
THS4271
THS4503
THS3202
描述
1.4 GHz的电压反馈放大器
宽带全差动放大器
双路，宽带电流反馈放大器
谐波失真
vs
频率
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
-95
-100
1
10
的F - 频率 - 兆赫
100
HD3
HD2
GAIN = 2
R
f
= 392
R
L
= 150
V
O
= 2 V
PP
V
S
=
±5
V
+5 V
-5 V
392
392
注：电源去耦电容没有显示
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2004 ，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
电源电压，V
S
输入电压V
I
输出电流，I
O
连续功率耗散
最高结温，T
J (2)
最高结温，连续运转，长期可靠性牛逼
J (3)
存储温度范围，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
(3)
16.5 V
±V
S
百毫安
见耗散额定值表
150°C
125°C
-65_C到150_C
300°C
4000 V
1500 V
200 V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
在任何情况下的绝对最大额定值是由硅工艺的制约的限制。强调以上这些评级可能
会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会降低设备的可靠性。这些都是
只强调额定功率，以及设备在这些功能操作或超出规定的其他条件是不是暗示。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。
包装耗散额定值
(1)
包
D（ 8针）
DGN （ 8针）
(1)
DGK （ 8针）
DRB （ 8针）
(1)
θ
JC
（ ° C / W）
38.3
4.7
54.2
5
θ
JA （2）
（ ° C / W）
97.5
58.4
260
45.8
额定功率
T
A
≤
25°C
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
2.18 W
(3)
T
A
= 85°C
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
873毫瓦
(2)
(3)
该THS4211 / 5 ，可于该芯片的底面掺入的PowerPAD 。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。如果不这样做，可能会导致超过最大结温
这可能会永久损坏设备。请参见TI技术简介SLMA002和SLMA004关于利用的详细信息
PowerPAD热增强型封装。
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持结温低于125 ℃，以获得最佳性能和长
长期可靠性。
推荐工作条件
民
电源电压（V
S+
和V
S–
)
输入共模电压范围
双电源
单电源
±2.5
5
V
S–
+ 1.2
最大
±7.5
15
V
S+
– 1.2
单位
V
V
2
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包装/订货信息
包装设备
非掉电
THS4211D
THS4211DR
THS4211DGK
THS4211DGKR
THS4211DRBT
THS4211DRBR
THS4211DGN
THS4211DGNR
掉电
THS4215D
THS4215DR
THS4215DGK
THS4215DGKR
THS4215DRBT
THS4215DRBR
THS4215DGN
THS4215DGNR
(1)
SOIC-8
MSOP-8
QFN-8-PP
(1)
MSOP-8-PP
(1)
—
BEZ
BEU
BFQ
轨， 75
磁带和卷轴， 2500
导轨， 100
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
轨， 80
磁带和卷轴， 2500
SOIC-8
MSOP-8
QFN-8-PP
(1)
MSOP-8-PP
(1)
—
BEJ
BET
BFN
轨， 75
磁带和卷轴， 2500
导轨， 100
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
轨， 80
磁带和卷轴， 2500
套餐类型
包装标志
传输介质， QUANTITY
在使用PowerPad是所有其他引脚的电隔离。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
IN-
IN +
V
S-
1
2
3
4
THS4211
8
7
6
5
D， DRB ， DGK ， DGN
NC
V
S
+
V
OUT
NC
（ TOP VIEW ）
REF
IN-
IN +
V
S-
1
2
3
4
THS4215
8
7
6
5
D， DRB ， DGK ， DGN
PD
V
S
+
V
OUT
NC
NC =无引黄联接
NC =无连接
见注A.
注意一个：如果没有信号被施加到PD引脚与断电选项默认为ON状态的器件。
3
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电气特性，V
S
=
±5
V
R
F
= 392
,
R
L
= 499
,
G = 2 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
OUT
= -7 dBm的
G = -1 ，磷
OUT
= -16 dBm的
小信号带宽
G = 2，P
OUT
= -16 dBm的
G = 5，P
OUT
= -16 dBm的
G = 10，P
OUT
= -16 dBm的
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
2
nd
阶谐波失真
G = 1，V
O
= 1 V
PP
,
F = 30 MHz的
3
rd
阶谐波失真
谐波失真
2
nd
阶谐波失真
G = 2，V
O
= 2 V
PP
,
F = 30 MHz的
3
rd
阶谐波失真
3
rd
阶互调（ IMD
3
)
3
rd
阶
输出截距（ OIP
3
)
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
V
CM
= 0 V
7
0.3
15
6
V
O
=
±0.3
V ，R
L
= 499
70
3
65
12
62
14
±40
18
±10
7
±10
60
14
±40
20
±10
8
±10
dB
mV
μV/°C
A
NA / ℃，
A
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
G = 2，V
O
= 2 V
PP
, R
L
= 150
,
F = 70 MHz的
G = 2，V
O
= 2 V
PP
, R
L
= 150
,
F = 70 MHz的
G = 2，R
L
= 150
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
–68
–70
–80
–82
–53
32
0.007
0.003
7
4
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
%
°
纳伏/赫兹÷
pA√Hz
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
–78
–90
–100
–100
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
典型值
典型值
典型值
典型值
G = 1，P
OUT
= -7 dBm的
> 10 ， F = 1兆赫
G = -1 ，V
O
= 2 V
p
G = 1，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 4 V步骤
1
325
325
70
35
70
350
77
970
850
22
55
GHz的
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
测试条件
25°C
过温
25°C
0 ° C至-40°C
70 ° C至85°C
单位
MIN /
典型值/
最大
4
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典型值
参数
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
电源
额定工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比（ PSRR + ）
电源抑制比（ PSRR ± ）
V
S+
= 5.5 V至4.5 V ，V
S–
= 5 V
V
S+
= 5 V, V
S–
= -5.5 V至-4.5 V
启用
掉电
启用
掉电
650
450
4
3
4
F = 1 MHz的
250
±5
19
19
64
65
R
L
= 10
F = 1 MHz的
±4.0
220
170
0.3
V
CM
=
±
1 V
共模
共模/差
±4
56
4
0.3/0.2
测试条件
25°C
过温
25°C
0 ° C至-40°C
70 ° C至85°C
±3.7
50
±3.6
48
单位
MIN /
典型值/
最大
±3.8
52
V
dB
M
pF
民
民
典型值
典型值
民
民
民
典型值
最大
最大
民
民
民
民
最大
民
最大
最大
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
±3.8
200
140
±3.7
190
130
±3.6
180
120
V
mA
mA
±7.5
22
16
58
60
REF+1.8
REF+1
REF–1
REF–1.5
850
650
±7.5
23
15
54
56
±7.5
24
14
54
56
V
mA
mA
dB
dB
V
V
V
V
掉电特性（ THS4215 ONLY）
REF = 0 V或V
S–
掉电电压等级
参考= V
S+
或浮动
掉电静态电流
Turnon时间延迟（叔
（上）
)
关断延迟时间（T
（关闭）
)
输入阻抗
输出阻抗
PD =参考+1.0 V，参考值= 0 V
PD =参考-1.5 V，参考值= 5 V
最终供电电流值的50％
最终供电电流值的50％
900
800
1000
900
A
A
s
s
G
k
5
QQ：2881677436 复制
