初步
TSC5302D
高压NPN晶体管,二极管
引脚分配:
1.基地
2.收集
3.辐射源
BV
首席执行官
= 400V
BV
CBO
= 800V
IC = 2A
V
CE (SAT)
, = 1.0V @ IC / IB = 1A / 0.2A
特点
内置续流二极管,使高效抗
饱和运算。
无需关注,因为低变量的值HFE
存储时间传播,即使后起之秀的精神产品。
低基数的驱动器要求。
适用于半桥镇流器应用。
订购信息
产品型号
TSC5302DCH
TSC5302DCP
填料
管
T&R
包
TO-251
TO-252
框图
结构
硅三重扩散型。
与二极管NPN硅晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
脉冲
基极电流
DC
脉冲
集电极耗散功率( TC = 25
o
C)
TO-251
TO-252
工作结温
工作结存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
注: 1,单脉冲, PW = 300US ,职务< = 2 %
T
J
T
英镑
RθJC
RΘJA
P
D
I
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
800V
400V
10
2
4
1
2
75
1.5
+150
- 65 + 150
6.25
100
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
o
o
C
C
C / W
C / W
TS5302D初步
1-1
2004/09转。一
初步
电气特性
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 5毫安,我
E
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CB
= 500V ,我
E
= 0
V
EB
= 9V ,我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.25A
基射极饱和电压
I
C
/ I
B
= 0.5A / 0.1A
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.25A
直流电流增益
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.4A
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
启动时间
贮存时间
下降时间
Doide
下降时间
正向电压
I
C
= 1A
I
C
= 1A
V
CC
= 250V ,我
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 0.2A,
t
P = 25US
占空比< 1 %
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
1
V
CE ( SAT )
2
V
CB (SAT)
1
V
CB (SAT)
2
h
FE
1
h
FE
2
800
400
10
--
--
--
--
--
--
20
6
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2.0
--
--
--
--
10
10
0.4
0.6
0.9
1.0
--
--
0.5
2.75
0.2
uS
uS
uS
V
V
V
V
uA
uA
V
条件
符号
民
典型值
最大
单位
t
ON
t
英镑
t
F
t
F
Vf
--
--
--
--
700
1.4
nS
V
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TS5302D初步
2-2
2004/09转。一
初步
电气特性曲线
图1.静态Characteric
图2.直流电流增益
图3的Vce ( sat)的V.S. VBE (SAT)
图4.开关时间
图5.安全工作区
图6.功率降额
TS5302D初步
3-3
2004/09转。一
TSC5302D
高压NPN晶体管,二极管
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
图1.静态特性
图2.直流电流增益
图3的Vce ( sat)的V.S. VBE (SAT)
图4.功率降额
3/6
版本: A07
TSC5302D
高压NPN晶体管,二极管
SOT- 252机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
TO- 252外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
2.3BSC
0.09BSC
4.6BSC
0.18BSC
6.80
7.20
0.268
0.283
5.40
5.60
0.213
0.220
6.40
6.65
0.252
0.262
2.20
2.40
0.087
0.094
0.00
0.20
0.000
0.008
5.20
5.40
0.205
0.213
0.75
0.85
0.030
0.033
0.55
0.65
0.022
0.026
0.35
0.65
0.014
0.026
0.90
1.50
0.035
0.059
2.20
2.80
0.087
0.110
0.50
1.10
0.020
0.043
0.90
1.50
0.035
0.059
1.30
1.70
0.051
0.67
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =月, C =月, D = APL, E =月, F =君,G =月, H =月,
I =月, J =月, K =月, L =月)
L
- 批次编号
4/6
版本: A07
TSC5302D
高压NPN晶体管,二极管
SOT- 251机械制图
暗淡
A
A1
b
C
D
D1
E
E1
e
F
L
L1
TO- 251外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
2.20
2.40
0.087
0.094
1.10
1.30
0.043
0.051
0.55
0.75
0.022
0.030
0.48
0.58
0.019
0.023
6.50
7.00
0.256
0.276
5.50
5.70
0.217
0.224
6.40
6.60
0.252
0.260
5.20
5.40
0.205
0.213
2.25
2.35
0.089
0.093
0.48
0.58
0.019
0.023
7.80
8.20
0.307
0.323
1.00
1.30
0.039
0.051
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =月, C =月, D = APL, E =月, F =君,G =月, H =月,
I =月, J =月, K =月, L =月)
L
- 批次编号
5/6
版本: A07