TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 8位
所有输入/输出TTL兼容
V
CC
公差
±10%
最高访问/最小周期时间
’28F512A-10
100纳秒
’28F512A-12
120纳秒
’28F512A-15
150纳秒
’28F512A-17
170纳秒
工业标准编程算法
10万和1 000编程/擦除周期
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电擦除。 。 。 82.5毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A12
A15
NC
VPP
VCC
W
NC
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A15
DQ0 - DQ7
E
G
NC
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
5 V电源
12 V电源
地
写使能
描述
该TMS28F512A闪存是65 536
8位（ 524 288位） ，可编程只读
存储器可以电批量擦除和
重新编程。它是在10万和1 000可用
编程/擦除周期耐力版本。
该TMS28F512A提供的32引脚塑料
有引线芯片载体封装1,25毫米
（ 50密耳）引线间距（ FM后缀） 。
该TMS28F512A的特点是操作
在0 ℃的温度范围内，以70℃（ FML后缀） ，
- 40 ° C至85°C （ FME后缀） ，和 - 40 ° C至125°C
（ FMQ后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
装置符号命名
TMS28F512A
- 12
C4
FM
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
编程/擦除次数
C4 = 10 000次
C3 = 1 000次
速度代号
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
-17 = 170纳秒
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
0
FL灰
EEPROM
65 536
×
8
A
0
65 535
15
E
G
W
22
24
31
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是N个包。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
W
国家控制
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A15
16
行解码器
524 288位
数组矩阵
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
手术
的操作模式如表1所定义。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
读
待机和写禁止
算法的选择
算法的选择模式
读
READ /
写
输出禁用
待机和写禁止
写
VPP
(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
E
(22)
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
G
(24)
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
A0
(12)
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
X
A9
(26)
X
X
X
VID
X
X
X
X
W
(31)
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
X
VIL
DQ0 - DQ7
(13 – 15, 17 – 21)
数据输出
高阻
高阻
制造商的等效代码89H
设备的等效代码B8H
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
X可以为VIL或VIH 。
VPPL
≤
VCC + 2 V ; VPPH是为设备指定的编程电压。有关详细信息，请参阅推荐工作条件。
读/输出禁止
当两种或更多种TMS28F512As的输出并联连接在同一总线上，任何输出
在电路中特定的设备可以读取，没有来自其他设备的竞争输出干扰。对
读取TMS28F512A的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。在所有的其它设备
电路应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
待机和写禁止
我主动
CC
电流可以从30毫安由E或100施加高TTL电平被减少至1 mA
A
通过应用
对大肠杆菌具有高的CMOS电平。在这种模式下，所有的输出均处于高阻抗状态。该TMS28F512A画
有功电流，当它在编程，擦除或程序取消/删除验证。继续
绘制的有功电流，直到操作被终止。
算法的选择模式
该算法选择模式提供了访问的二进制代码，标识正确的编程和
擦除算法。当A9被迫V这一模式被激活
ID
。两个标识符字节通过切换访问
A0 。所有其他地址必须保持低电平。 A0低选择制造商等价代码89H和A0高
选择器件等效代码B8H ，如表2所示。
表2.算法，选择模式
识别码
§
厂商等效代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
DQ6
0
DQ5
0
DQ4
0
1
DQ3
1
1
DQ2
0
0
DQ1
0
0
DQ0
1
0
（十六进制）
89
B8
设备的等效代码
1
0
1
§ E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VID ， A10 - A15 = VIL ， VPP = VPPL 。
编程和擦除
在擦除状态中，所有位都处于逻辑1 。在删除该设备，所有的存储位必须编程
为逻辑0 。之后，整个芯片被擦除。在这点上，比特，现在逻辑一，可以被编程
因此。参考fastwrite-和fasterase -算法进一步的细节。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 65 536 8位
所有输入/输出TTL兼容
V
CC
公差
±10%
最高访问/最小周期时间
’28F512A-10
100纳秒
’28F512A-12
120纳秒
’28F512A-15
150纳秒
’28F512A-17
170纳秒
工业标准编程算法
10万和1 000编程/擦除周期
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电擦除。 。 。 82.5毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A12
A15
NC
VPP
VCC
W
NC
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A15
DQ0 - DQ7
E
G
NC
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
5 V电源
12 V电源
地
写使能
描述
该TMS28F512A闪存是65 536
8位（ 524 288位） ，可编程只读
存储器可以电批量擦除和
重新编程。它是在10万和1 000可用
编程/擦除周期耐力版本。
该TMS28F512A提供的32引脚塑料
有引线芯片载体封装1,25毫米
（ 50密耳）引线间距（ FM后缀） 。
该TMS28F512A的特点是操作
在0 ℃的温度范围内，以70℃（ FML后缀） ，
- 40 ° C至85°C （ FME后缀） ，和 - 40 ° C至125°C
（ FMQ后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
装置符号命名
TMS28F512A
- 12
C4
FM
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
编程/擦除次数
C4 = 10 000次
C3 = 1 000次
速度代号
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
-17 = 170纳秒
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
0
FL灰
EEPROM
65 536
×
8
A
0
65 535
15
E
G
W
22
24
31
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是N个包。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
W
国家控制
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A15
16
行解码器
524 288位
数组矩阵
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F512A
65536 ×8位
FL灰内存
SMJS514C - 1994年2月 - 修订1997年8月
手术
的操作模式如表1所定义。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
读
待机和写禁止
算法的选择
算法的选择模式
读
READ /
写
输出禁用
待机和写禁止
写
VPP
(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
E
(22)
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
G
(24)
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
A0
(12)
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
X
A9
(26)
X
X
X
VID
X
X
X
X
W
(31)
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
X
VIL
DQ0 - DQ7
(13 – 15, 17 – 21)
数据输出
高阻
高阻
制造商的等效代码89H
设备的等效代码B8H
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
X可以为VIL或VIH 。
VPPL
≤
VCC + 2 V ; VPPH是为设备指定的编程电压。有关详细信息，请参阅推荐工作条件。
读/输出禁止
当两种或更多种TMS28F512As的输出并联连接在同一总线上，任何输出
在电路中特定的设备可以读取，没有来自其他设备的竞争输出干扰。对
读取TMS28F512A的输出端，一个低电平信号被施加到E和G管脚。在所有的其它设备
电路应禁用通过施加高电平信号给其中一个引脚它们的输出。
待机和写禁止
我主动
CC
电流可以从30毫安由E或100施加高TTL电平被减少至1 mA
A
通过应用
对大肠杆菌具有高的CMOS电平。在这种模式下，所有的输出均处于高阻抗状态。该TMS28F512A画
有功电流，当它在编程，擦除或程序取消/删除验证。继续
绘制的有功电流，直到操作被终止。
算法的选择模式
该算法选择模式提供了访问的二进制代码，标识正确的编程和
擦除算法。当A9被迫V这一模式被激活
ID
。两个标识符字节通过切换访问
A0 。所有其他地址必须保持低电平。 A0低选择制造商等价代码89H和A0高
选择器件等效代码B8H ，如表2所示。
表2.算法，选择模式
识别码
§
厂商等效代码
引脚
A0
VIL
VIH
DQ7
1
DQ6
0
DQ5
0
DQ4
0
1
DQ3
1
1
DQ2
0
0
DQ1
0
0
DQ0
1
0
（十六进制）
89
B8
设备的等效代码
1
0
1
§ E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VID ， A10 - A15 = VIL ， VPP = VPPL 。
编程和擦除
在擦除状态中，所有位都处于逻辑1 。在删除该设备，所有的存储位必须编程
为逻辑0 。之后，整个芯片被擦除。在这点上，比特，现在逻辑一，可以被编程
因此。参考fastwrite-和fasterase -算法进一步的细节。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
QQ：2881677436 复制
