TSB772
低的Vce （ sat）的PNP晶体管
TO-126
引脚分配：
TO-126
1.发射器
2.收集
3. BASE
BV
首席执行官
= - 50V
IC = - 3A
V
CE （SAT）
， = - 0.5V （典型值） @Ic / IB = - 2A / - 0.1A
特点
低V
CE （SAT） 。
优良的直流电流增益特性
订购信息
产品型号
TSB772CK
填料
散装
包
TO-126
结构
外延平面型。
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作结温
工作结存储温度范围
注： 1。单脉冲， PW =为2mS
DC
脉冲
TO-126
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
- 50V
- 50V
-6
-3
- 7 （注1 ）
1.0
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
TA = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= - 50uA的，我
E
= 0
I
C
= - 1mA时，我
B
= 0
I
E
= - 50uA的，我
C
= 0
V
CB
= - 40V ，我
E
= 0
V
EB
= - 4V ，我
C
= 0
I
C
/ I
B
= - 2.0A / - 0.2A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 1A
V
CE
= - 5V ，我
C
= - 100mA时
F = 100MHz的
V
CB
= - 10V ， F = 1MHz的
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
民
- 50
- 50
-6
--
--
--
160
--
典型值
--
--
--
--
--
- 0.3
--
80
55
最大
--
--
--
-1
-1
- 0.5
350
--
--
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 380uS ，占空比< = 2 ％
TSB772
1-1
2003/12转。 B
QQ：2880707522 复制
